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e絡盟為亞太區新增英飛凌革命性的COOLMOS系列功率MOSFET (2014.08.11)
e絡盟宣布提供來自全球半導體和系統解決方案領先提供商英飛凌的高壓MOSFET產品組合 — C7和P6系列CoolMOS功率MOSFET，它們具備極低的開關和傳導損耗，從而可實現更高的功率密度和效率 |
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英飛凌推出TO 247-4針腳封裝 CoolMOS MOSFET (2013.05.13)
英飛凌科技股份有限公司今日推出 TO 247-4 針腳封裝的CoolMOSTM MOSFET。新增的第四針腳係做為 Kelvin 源極，能有效減少功率 MOSFET 源極接合線的寄生電感，這可使各種硬式切換拓樸 (例如連續導通模式功率因數控制器 (CCM PFC)、升壓與雙電晶體順向式 (TTF))，達到最佳效率 |
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英飛凌推出 CoolMOS C7 (2013.05.09)
英飛凌科技股份有限公司 推出 CoolMOS C7，擴充其高電壓產品組合，推出全新 650V 超接面 MOSFET 技術。新款 C7 產品系列可為所有標準封裝提供同級最佳 RDS(on)，此系列的低切換損耗也提高了全負載時的效率 |
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Infineon推出採直驅技術的 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列產品 (2012.05.15)
英飛凌(Infineon) 日前推出最新 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，進一步強化英飛凌在 SiC市場的領先地位。此一革命性的全新產品系列展現英飛凌在 SiC 技術研發領域超過十年的經驗，同時擁有高品質、可大量生產的特點 |
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英飛凌推出ThinPAK 8x8無鉛SMD封裝的高壓MOSFET (2010.05.07)
飛凌日前宣佈推出新型 ThinPAK 8x8 無鉛 SMD 封裝的高壓 MOSFET。新型封裝面積僅有 64mm² （小於 D2PAK 的 150mm²），且高度僅 1mm（低於 D2PAK 的 4.4mm），不但尺寸極小，又具備標準的低寄生電感，為設計人員提供一個全新且有效縮小系統方案尺寸的功率密度設計 |
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NXP推出先進UHF智慧型標籤IC (2007.09.27)
NXP半導體（NXP Semiconductors）日前宣佈推出下一代智慧型標籤IC UCODE G2XM和UCODE G2XL，為整體超高頻（UHF）應用市場帶來突破性功能。新型UCODE RFID晶片能夠在極廣的讀取範圍與讀卡機密集的環境下穩定運作 |
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NXP的RFID晶片促進EPC Gen2的推廣 (2006.09.14)
NXP半導體宣佈由EPCglobal Inc-認證的第二代（Gen2）超高頻（UHF）IC已廣泛贏得中國廠商的青睞。UCODE EPC G2可同時支援EPC（Gen2）與ISO/IEC 18000 6c標準，不但已獲得RFID產業界各製造商的廣泛擁護與支持，更將進一步推動全球RFID技術的推廣和應用 |
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美國內政部宣佈採用飛利浦感應式智慧卡晶片技術 (2005.01.17)
皇家飛利浦電子公司宣布美國內政部(U.S. Department of Interior, DoI)自即日起將採用符合美國政府智慧卡互通規格(Government Smart Card-Interoperability Specification, GSC-IS)的飛利浦MIFARE DESFire感應式晶片技術，全面部署門禁管理系統 |
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NASA採用飛利浦MIFARE DESFire感應式晶片技術 (2004.08.09)
美國太空總署(NASA)宣佈採用飛利浦MIFARE DESFire感應式晶片技術，建置安全智慧卡門禁技術。飛利浦的晶片技術符合美國政府的政府智慧卡通用性規範(GSC-IS)標準，這項晶片技術整合於發放給所有太空總署內部員工和承包商的智慧卡中，以作為即時身份驗證之用 |
