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ROHM針對電池驅動行動裝置 新增0.9V驅動陣容 (2010.03.22)
ROHM近日宣佈，針對行動音響、錄音筆、電子辭典、隨身收音機、電子玩具等，行動裝置電源電路用MOSFET“ECOMOS”系列擴增其產品陣容，新增首創0.9Ｖ驅動產品。
此新產品已經開始樣品出貨（樣品價格10日圓／個），預定自2010年2月下旬開始量產 |
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Avago新前端模組產品針對行動網路手機市場 (2009.05.07)
安華高科技（Avago Technologies）宣佈，推出了兩款整合功率放大器（PA,Power Amplifier）、雙工器、帶通濾波器與耦合器，可以改善效率並延長通話時間的前端模組（FEM,Front End Module）產品 |
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ROHM推出行動裝置市場專用電晶體封裝 (2008.11.03)
ROHM Co., Ltd.特別推出體積為全球最小的電晶體封裝「VML0805」(0805(0302 inch)尺寸)，並預定自2008年11月依序開始進行適用於此一封裝的通用型雙載子電晶體與內建電阻型數位電晶體的樣品出貨(樣品售價100日圓/個)，並自2009年3月起以月產1000萬個的規模展開量產 |
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交換式電源供應器設計 (2004.08.04)
新一代的掌上型設備不僅體積更小、色彩更豐富，同時還能以更快的速度傳送電子郵件、網頁與圖形。但要吸引消費者，設計者就必須要在不增加電池體積與重量情況下維持適當的電池使用壽命 |
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低壓降線性穩壓器系統介紹與探討 (2004.01.05)
電壓轉換的方式可二分為切換式穩壓器與線性穩壓器。近來低壓降線性穩壓器的轉換效率提升及低雜訊的優點，連帶成為小功率降壓及穩壓器之主流，本文將針對壓降線性穩壓器作系統架構的介紹與分析，並探討其發展之現況 |
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SiGe HBT技術發展概述 (2001.06.01)
SiGe技術經過這十幾年的研究發展，已漸漸開花結果。 |
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工研院電子所積極開發IGBT先進製程技術 (2001.02.13)
為了將雙載子電晶體和金氧半電晶體相結合，以得到一個有絕緣閘輸入並有低導通電阻的功率元件，而促成了絕緣閘雙載子電晶體(IGBT)的研究發展。國內的工研院電子所目前也正積極研究此先進製程技術，並表示最快在3月份完成IGBT的驗證工作，其規格則可做到電壓600伏，電流30安培 |
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高平投資勝陽光電 (2000.08.18)
繼日前傳出美國通訊元件大廠科勝訊(Conexant)公司有意收購全新光電公司股權外，近期全球最大異質接面雙載子電晶體磊晶片(HBT)製造廠--美國的高平(Kopin)公司，也將參與勝陽光電公司投資 |
