帳號：
密碼：
相關物件共 4 筆
(您查閱第 頁資料, 超過您的權限, 請免費註冊成為會員後, 才能使用!)
網路研討會宣傳資料:滿足高功率，高亮度LED的電性量測需求-網路研討會宣傳資料:滿足高功率，高亮度LED的電性量測需求 (2011.11.18)
網路研討會宣傳資料:滿足高功率，高亮度LED的電性量測需求
恩智浦新推電晶體提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.19)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）推出BLC7G22L（S）-130基地台功率電晶體，這是恩智浦的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技術的產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化
恩智浦半導體突破性提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.16)
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日推出BLC7G22L（S）-130基地台功率電晶體，這是恩智浦應用第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技術的首款產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化
替代傳統共振方式 (2005.12.05)
電源供應器增加功率密度的壓力與日俱增，於是在這前提下產生了數個需求：改善半導體和被動元件的效益及創新架構，以便從全新半導體元件之功能中獲得有利的好處。本文將探討最近發展的高壓超接合面功率MOSFET以及矽晶碳化物Schottky二極體，並比較採用硬式切換或共振方式在性能、系統成本和可靠度方面的優缺點


  十大熱門新聞
1 Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統
2 Basler全新小型高速線掃描相機適合主流應用
3 宇瞻智慧物聯展示ESG監控管理與機聯網創新方案
4 Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列
5 瑞薩與英特爾合作為新款Intel Core Ultra 200V系列處理器提供最佳化電源管理
6 宜鼎推出DDR5 6400記憶體 同級最大64GB容量及全新CKD元件
7 SCIVAX與Shin-Etsu Chemical聯合開發全球最小的3D感測光源裝置
8 三菱電機新型MelDIR品牌80×60像素熱二極管紅外線感測器
9 Pilz安全可配置小型控制器PNOZmulti 2適用於分散式周邊設備
10 Bourns SA2-A系列高壓氣體放電管新品符合AEC-Q200標準

AD
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 讀者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw