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應材於新加坡舉行節能運算高峰會 推廣先進封裝創新合作模式 (2024.11.21)
為加速推進高效能、低功率的AI晶片新封裝技術，應對次世代節能運算需求。應用材料公司近日於新加坡主辦高峰會，除集結超過20多位半導體產業頂尖的研發領袖，並鼓勵設備製造商、材料供應商、元件廠商與研究機構之間聯盟合作，並採用專為加速先進晶片封裝技術商業化而設計的新合作模式，宣布推動全球EPIC創新平台擴展計畫 |
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巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年 (2024.10.24)
巴斯夫和Fraunhofer 光子微系統研究所近日共同慶祝在光子微系統領域的合作達10周年。雙方一直致力於半導體生產和晶片整合領域的創新和客製化解決方案，合作改進微晶片的互連材料 |
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盛美半導體新型面板級電鍍設備問世 拓展扇出型面板級封裝產品線 (2024.09.03)
盛美半導體設備推出了用於扇出型面板級封裝（FOPLP）的Ultra ECP ap-p面板級電鍍設備。該設備採用盛美自主研發的水準式電鍍確保面板具有良好的均勻性和精度。
盛美的Ultra ECP ap-p面板級電鍍設備可以達到加工尺寸515x510毫米的面板，同時具有600x600毫米版本可供選擇 |
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HBM應用優勢顯著 高頻半導體測試設備不可或缺 (2024.08.27)
HBM技術將在高效能運算和AI應用中發揮越來越重要的作用。
儘管HBM在性能上具有顯著優勢，但在設計和測試階段也面臨諸多挑戰。
TSV技術是HBM實現高密度互連的關鍵，但也帶來了測試的複雜性 |
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揮別製程物理極限 半導體異質整合的創新與機遇 (2024.08.21)
半導體異質整合是將不同製程的晶片整合，以提升系統性能和功能。
在異質整合系統中，訊號完整性和功率完整性是兩個重要的指標。
因此必須確保系統能夠穩定地傳輸訊號，和提供足夠的功率 |
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AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸 (2024.08.21)
HBM非常有未來發展性，特別是在人工智慧和高效能運算領域。隨著生成式AI和大語言模型的快速發展，對HBM的需求也在增加。主要的記憶體製造商正在積極擴展採用3D DRAM堆疊技術的HBM產能，以滿足市場需求 |
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3D IC與先進封裝晶片的多物理模擬設計工具 (2024.07.25)
在3D IC和先進封裝領域，多物理模擬的工具的導入與使用已成產業界的標配，尤其是半導體領頭羊台積電近年來也積極採用之後，更讓相關的工具成為顯學。 |
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美光最低延遲創新主記憶體MRDIMM正式送樣 (2024.07.18)
因應工作負載要求的日益嚴苛，為了充分發揮運算基礎架構的最大價值。美光科技（Micron）宣佈其多重存取雙列直插式記憶體模組（MRDIMM）開始送樣。MRDIMM針對記憶體需求高達每DIMM 插槽128GB以上的應用 |
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高速運算平台記憶體爭霸 (2024.07.02)
各類AI應用的市場需求龐大，各種記憶體的競爭也異常的激烈，不斷地開發更新產品，降低成本，企圖向上向下擴大應用，只有隨時保持容量、速度與可靠度的優勢才是王道 |
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西門子推出全新Calibre 3DThermal軟體 強化3D IC市場布局 (2024.06.30)
西門子數位工業軟體近日宣佈推出 Calibre 3DThermal 軟體，用於 3D 積體電路（3D-IC）熱分析、驗證與除錯。Calibre 3DThermal 將 Calibre 驗證軟體和 Calibre 3DSTACK 軟體的關鍵能力，以及西門子 Simcenter Flotherm 軟體運算引擎相結合 |
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AI世代的記憶體 (2024.05.28)
AI運算是專門處理AI應用的一個運算技術，是有很具體要解決的一個目標，而其對象就是要處理深度學習這個演算法，而深度學習跟神經網路有密切的連結，因為它要做的事情，就是資料的辨識 |
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美光32Gb伺服器DRAM通過驗證並出貨 滿足生成式AI應用要求 (2024.05.08)
美光科技宣布其採用高容量單片 32Gb DRAM 晶粒的 128GB DDR5 RDIMM 記憶體正式驗證與出貨。美光 128GB DDR5 RDIMM 記憶體速度高達 5,600 MT/s，適用於各種先進伺服器平台，該產品採用美光的 1β 技術，相比其他 3DS直通矽晶穿孔（TSV）堆疊的產品，位元密度提升超過 45%，能源效率提升 22%，延遲則降低 16% |
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工研院突破3D先進封裝量測成果 新創公司歐美科技宣布成立 (2024.05.02)
在人工智慧（AI）浪潮席捲全球之下，工研院新創公司「歐美科技」今（30）日宣布成立，將藉由非破壞光學技術為半導體先進封裝帶來突破性的檢測應用，運用半導體矽穿孔量測研發成果，推動AI晶片高階製程提升整體良率，幫助半導體業者快速鑑別產品，也獲得德律科技、研創資本、新光合成纖維等注資 |
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美光推出128GB DDR5 RDIMM記憶體 為生成式AI應用提供更佳解 (2023.11.27)
美光科技，宣布推出128GB DDR5 RDIMM 記憶體，採用 32Gb 單片晶粒，以高達 8,000 MT/s 的同類最佳效能支援當前和未來的資料中心工作負載。此款大容量高速記憶體模組專為滿足資料中心和雲端環境中各種關鍵應用的效能及資料處理需求所設計，包含人工智慧（AI）、記憶體資料庫（IMDBs）、高效處理多執行緒及多核心運算工作負載等 |
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聯電與供應鏈夥伴啟動W2W 3D IC專案 因應邊緣AI成長動能 (2023.10.31)
聯華電子今(31)日宣佈，已與合作夥伴華邦電子、智原科技、日月光半導體和Cadence成立晶圓對晶圓（wafer-to-wafer；W2W）3D IC專案，協助客戶加速3D封裝產品的生產。此項合作案是利用矽堆疊技術，整合記憶體及處理器，提供一站式堆疊封裝平台，以因應AI從雲端運算延伸到邊緣運算趨勢下，對元件層面高效運算不斷增加的需求 |
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應材分享5大挑戰技術與策略 看好2030年半導體產值兆元美金商機 (2023.09.05)
因應人工智慧（AI）、物聯網產業興起，將進一步提高晶片需求並，推動半導體產業成長，預計最快在2030年產值可望突破1兆美元。然而，晶片製造廠商同時也須面臨維持創新步伐的重大挑戰，美商應用材料公司（APPLIED MATERIALS）也在今（5）日分享，將之歸類為「5C」大挑戰，以及對應提出的研發技術平台與策略 |
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矽光子發展關鍵：突破封裝與材料障礙 (2023.08.21)
最終的光電融合是3D共封裝光學，即三維整合。可以毫不誇張地說，基於矽光子的光電子融合，將會是未來計算機系統和資訊網路的關鍵技術。 |
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晶背供電技術的DTCO設計方案 (2023.08.11)
比利時微電子研究中心（imec）於本文攜手矽智財公司Arm，介紹一種展示特定晶背供電網路設計的設計技術協同優化（DTCO）方案，其中採用了奈米矽穿孔及埋入式電源軌來進行晶背佈線 |
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美光發布首款8層堆疊24GB HBM3 實現1.2TB/s頻寬 (2023.07.30)
美光科技宣布推出業界首款第二代 8 層堆疊（8-High）24GB HBM3，並開始送樣。此產品頻寬達 1.2TB/s 以上，每腳位傳輸速率超過 9.2Gb/s，較目前市面上的HBM3解決方案高出 50%。此外，美光第二代HBM3的每瓦效能較前幾代產品提升2.5 倍，刷新 AI 數據中心的關鍵性能、容量及功耗指標 |
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應材創新混合鍵合與矽穿孔技術 精進異質晶片整合能力 (2023.07.13)
面對當前國際半導體市場競爭加劇，應用材料公司也趁勢推出新式材料、技術和系統，將協助晶片製造商運用混合鍵合（hybrid bonding）及矽穿孔（TSV）技術，將小晶片整合至先進2.5D和3D封裝中，既提高其效能和可靠性，也擴大了應材在異質整合（heterogeneous integration, HI）領域領先業界的技術範疇 |
