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ROHM推出SOT-223-3小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET (2023.12.12)
近年來隨著照明用小型電源和泵浦用馬達的性能提升,對於在應用中發揮開關作用的MOSFET小型化產品需求漸增。半導體製造商ROHM推出採用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」,適用於照明用小型電源、空調、泵浦和馬達等應用
ROHM推出EcoGaN Power Stage IC 可助減少應用損耗及實現小型化 (2023.09.04)
近年來消費性電子和工控設備的電源在節能方面的要求升高,以期實現永續發展,因而能夠幫助提高功率轉換效率和實現元件小型化的GaN HEMT受到關注。但與Si MOSFET比較之下,GaN HEMT的閘極處理較為困難,必須與驅動閘極用的驅動器結合使用
ROHM推出R60xxRNx系列 滿足小型馬達驅動低雜訊要求 (2023.04.12)
ROHM在600V耐壓Super Junction MOSFET「PrestoMOS」產品陣容中,新增「R60xxRNx系列」3款新產品,非常適用於冰箱和排氣風扇等對低雜訊特性要求較高的小型馬達驅動。 近年來,全球電力供應日趨緊張,開始要求應用設備要更加節能
偉詮推出高頻多模準諧振模式反激式控制晶片 (2022.03.07)
為了加速超小型化USB PD充電器的設計,偉詮電子日前推出採用WT7162Rx高頻多模準諧振式反激式控制晶片搭配氮化鎵的超小型化USB PD充電器參考設計。 WT7162Rx PWM控制系列晶片是一款高度整合的高頻/多模式反激式PWM控制晶片,具備準諧振模式切換和波谷切換的非連續導通模式
ROHM推出45W輸出、內建FET小型表面安裝AC/DC轉換器IC (2021.12.23)
半導體製造商ROHM針對空調、生活家電、FA裝置等配備交流電源的家電和工控裝置領域,研發出內建730V耐壓MOSFET的AC/DC轉換器IC「BM2P06xMF-Z系列(BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z)」
UnitedSiC推出最小導通電阻6mΩ SiC FET 耗損僅競品的一半 (2021.09.14)
碳化矽(SiC)功率元件的應用正快速且廣泛的成長中,尤其是電動車相關的市場,而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC(聯合碳化矽),今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品,該元件的導通電阻(RDS on)僅有6mΩ,僅有競爭對手SiC MOSFET產品的一半,並提供了5μs額定短路耐受時間
變革的700 V高頻、高低端驅動器實現超高功率密度 (2019.02.22)
本文將對NCP 51530與業界標準的兩個元件進行比較。計算NCP 51530用於主動鉗位返馳式 (Active Clamp Flyback;ACF) USB PD轉換器中的損耗。然後給出NCP 51530對比兩個競爭元件用於ACF應用中的實際熱性能
意法半導體推出快速恢復的超接面MOSFET (2019.02.14)
意法半導體推出之MDmesh DM6 600V MOSFET具備一個快速恢復二極體,將最新超接面(Super-Junction)技術的性能優勢導入全橋和半橋拓樸、零電壓切換(Zero-Voltage Switching,ZVS)相移轉換器等的拓樸結構裡通常需要一個穩定可靠的二極體來處理動態dV/dt的應用
EiceDRIVER 搭配 CoolMOS CFD2 可實現優異冷藏效率 (2018.10.25)
本文說明閘極驅動器電路有效設計的基本考量,以及結合運用 EiceDRIVER IC 及 CoolMOS CFD2 所帶來的效益。
Diodes可調光LED驅動器為230/120VAC燈完善調光器兼容性 (2016.04.01)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出LED驅動器AL1697,適用於以線路供電的Triac可調光LED照明應用。新產品利用符合美國電氣製造商協會 (NEMA) SSL-6調光曲線標準的單級高功率因數調光電路,與前緣觸發 (Leading-edge) 和後緣觸發 (Trailing-edge) Triac調光器相互兼容,藉以提供最佳化線性和負載調節
意法半導體新650V超接面MOSFET提升安全系數 (2014.12.02)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)的最新超接面(super-junction)功率MOSFET可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求,同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項
MOSFET封裝進步 幫助提供超前晶片組線路圖的行動功能 (2013.11.29)
面臨為需求若渴的行動裝置市場提供新功能壓力的設計人員,正在充分利用全新次晶片級封裝(sub-CSP)技術的優勢,使用標準IC來構建領先於晶片組路線圖的新設計。
ROHM推AC/DC轉換器用電源IC 內建功率MOSFET (2013.10.18)
半導體製造商ROHM株式會社(總公司:日本京都市)全新研發適合AC變壓器(Adapter)與各種家電初級電源AC/DC轉換器使用的電源IC「BM2Pxxx/BM2PxxxF系列」。 新系列有24種品項,採用自製低啟動電阻之超接合面(super junction)MOSFET,並致力電路優化,達成業界最高水準的效率和低雜訊
意法半導體推出採用TO-247封裝的650V車規MOSFET (2013.08.14)
意法半導體的STW78N65M5和STW62N65M5是業界首款採用深受市場歡迎的TO-247封裝的650V AEC-Q101車規MOSFET。在高電壓突波(high-voltage spikes)的環境中,650V額定電壓能夠?目標應用帶來更高的安全系數,有助於提高汽車電源和控制模組的可靠性
意法半導體採用新節能封裝擴大高能效功率產品陣容 (2013.05.14)
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體推出了首款採用新封裝技術的MDmesh V 超接面(Super-Junction)MOSFET,新封裝可提升家用電器、電視機、個人電腦、電信設備和伺服器開關電源的功率電路能效
英飛凌推出超接面CE,適合消費性及照明應用 (2012.05.10)
英飛凌科技(Infineon)日前推出新產品 500V CoolMOS CE,可在消費電子、個人電腦 Silverbox 和照明 SMPS(開關式電源供應器)等價格導向應用的電源供應設計中,取代標準MOSFET。英飛凌 500V CoolMOS CE 結合了最新超接面 MOSFET 的所有優點:低區域特定導通電阻、低切換耗損,及非常耐用的本體二極體
英飛凌推出車用650V CFDA (2012.04.10)
英飛凌(Infineon) 日前宣佈,擴展其車用功率半導體系列產品,推出全新 650V CoolMOSTM CFDA。這是整合高速本體二極體技術的超接面 MOSFET 解決方案,符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101
ROHM新推出導通電阻僅34mΩ (2012.03.08)
羅姆電子(ROHM株式會社)於日前宣布全新推出創新低導通電阻之高耐壓型功率MOSFET,「R5050DNZ0C9」(500V/50A/typ,34mΩ max45mΩ),適合太陽能發電系統的功率調節器使用。 隨著節能議題愈來愈受到關注,其中,太陽能發電可謂是最具代表性的可回收能源,因此使得該市場在近年來不斷地成長擴張
ST超結型MOSFET系列再添新成員 (2012.01.06)
意法半導體(ST)日前推出MDmesh V系列。MDmesh V系列是高性能MOSFET產品,擁有極低的每單位面積導通電組(on-resistance per area),在650V額定電壓應用中可實現高能效和功率密度;對於以熱量形式損耗電能的系統功率轉換電路,如電子照明控制器、消費性電子電源和太陽能電力轉換器可提升能效
ROHM運用矽深掘蝕刻技術推出全新超接面MOSFET (2011.11.29)
ROHM於日前宣佈,推出全新低導通電阻之高耐壓型功率MOSFET-R5050DNZ0C9,適合太陽能發電系統的功率調節器使用。隨著節能議題愈來愈受到關注,其中,太陽能發電可謂是最具代表性的可回收能源,因此使得該市場在近年來不斷地成長擴張


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