為了加速超小型化USB PD充電器的設計，偉詮電子日前推出採用WT7162Rx高頻多模準諧振式反激式控制晶片搭配氮化鎵的超小型化USB PD充電器參考設計。

偉詮電子60W超小型化氮化鎵USB PD充電器參考設計(source:偉詮)

WT7162Rx PWM控制系列晶片是一款高度整合的高頻/多模式反激式PWM控制晶片，具備準諧振模式切換和波谷切換的非連續導通模式。這系列控制晶片可優化產品性能，並提高充電器的整體效率，以及大幅減少周邊使用零件數目和降低材料成本。

這控制晶片在高輸出功率期間，以準諧振切換模式運行，並在中/低輸出功率期間，降低開關頻率並支持非連續導通模式下的谷底開關切換，使充電器能夠在整個輸出功率範圍內實現最佳轉換效率。

本控制晶片提供全面性安全保護機制，例如X-Cap自動放電保護、交流電源欠電壓保護(BNI/BNO)、輸出過電壓保護(OVP)、輸出短路保護(SCP)、內含過溫度保護(OTP)、輸出過載保護(OLP)等，並且針對寬輸出電壓應用，提供適應性過功率保護(OPP)和適應性調降頻率的效率優化技術等。由於獨特的超高壓取電技術，可以支持業界USB PD3.0 with PPS(programmable power supply)嚴苛的輸出電壓3.3V~21V需求，並可大幅減少外部應用電路。

此系列控制晶片包含WT7162RH和WT7162RG兩個版本。WT7162RH 專門使用於 super junction MOSFET，而WT7162RG提供6V箝制閘極電壓，用於直接驅動新世代化合物半導體氮化鎵(GaNFET)功率開關。

參考設計是一60W USB PD充電器(5V/3A; 9V/3A; 12V/3A; 20V/3A; PPS 3.3V~21V/3A)，該設計包含WT7162Rx具有超高壓啟動的PWM控制晶片、WT7131A支持CCM/DCM高頻同步整流的控制晶片、和WT6636F USB PD協議控制晶片，搭配GaNFET功率開關，兼具高效率和小型化設計(長: 43mm/寬: 43mm/高: 22mm)，並通過 EMC/ESD/Surge測試，並且支援USB PD 3.0 PPS和Qualcomm Quick Charge 4+快充協議。