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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於提升開關電源設計能效和可靠性 |
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Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品組合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 額定電流為 6A、16A 和 20A 的工業級裝置-2 包裝有利於更大的設計靈活性 |
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DC充電站：ST在功率與控制層面所遇到之挑戰 (2021.04.23)
預計到2027年，全球電動汽車充電站市場規模迅速擴展，而亞太地區電動汽車銷量的迅速成長推動了全球電動汽車充電站市場的成長。意法半導體（ST）產品可支援此一市場／應用 |
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馬達變頻器內的關鍵元件: 功率半導體 (2021.04.20)
全球工業產業消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。 |
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TRENCHSTOP IGBT7：工業驅動器的理想選擇 (2020.09.30)
變速驅動器（VSD）相較於以機械節流進行的定速運作，能夠節省大量電力。IGBT7適合需要高效率和功率密度的變速驅動器使用。 |
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安森美高能效乙太網路供電方案 解決100W功率需求挑戰 (2020.06.30)
網路規模的激增使得相應設備對功率的需求顯著增長。乙太網路是這技術生態系統的關鍵一環。新的乙太網路供電(PoE)通用標準(IEEE 802.bt)提供高達90瓦的功率，安森美半導體的PoE-PD方案不僅支援新標準的功率限制 |
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Littelfuse推出經擴展的碳化矽肖特基二極體產品系列 (2018.01.24)
Littelfuse, Inc.推出四個隸屬於其第2代產品家族的1200V碳化矽（SiC）肖特基二極體系列產品，該產品家族最初於2017年5月發佈。
LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的額定電流分別為8A、15A、20A，並採用主流的TO-220-2L封裝 |
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透過IGBT 閘極驅動器的先進裝置簡化高電壓、高電流變頻器 (2017.11.02)
本文聚焦於 EV 變頻器，探討在降低成本的同時，提高系統效率及功能安全性的未來趨勢。 |
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Littelfuse推出超低正向壓降肖特基勢壘整流器 (2016.03.17)
力特公司（Littelfuse）的功率半導體產品組合再添新成員—專為超低正向壓降（VF）設計的矽肖特基器件。
DST系列肖特基勢壘整流器非常適用於高頻應用（如開關式電源）以及直流應用（如太陽能電池板旁路二極體和極性保護二極體），其設計目的是為了滿足商業和工業應用的要求 |
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Littelfuse新型功率半導體適用於高頻開關式電源和直流-直流轉換器應用 (2016.03.15)
力特公司（Littelfuse）在其不斷壯大的功率半導體產品中又增加兩個系列：MBR系列肖特基勢壘整流器（標準肖特基）是基於矽肖特基二極體技術的最新器件；DUR系列超快整流器可帶來超快的開關速度 |
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ST的二極體專利技術可大幅縮減充電器尺寸，並可加快充電速度 (2014.07.01)
意法半導體的新系列場效應整流二極體（FERD，Field-Effect Rectifier diodes） 完美解決了低正向壓降（VF）與低漏電流（IR）之間不可兼得的矛盾關係，讓充電器和筆記型電腦轉換器（adaptor）等設備的設計人員在不使用成本更高的同步整流二極的前提下滿足要求最嚴格的能效標準 |
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英飛凌於 PCIM 展展出 650V TRENCHSTOP 5 (2013.05.17)
英飛凌科技股份有限公司於德國紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2013 展會期間展出 650V TRENCHSTOP 5。自 2012 年秋季推出這款新一代薄晶圓絕緣閘雙極性電晶體 (IGBT) 後，TRENCHSTOP 5 就獲得了廣大的市場矚目，被視為改變遊戲規則的技術 |
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安森美半導體推出突破性電源產品 (2012.03.07)
應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN) 持續開發創新技術及產品，使公司能夠為市場提供豐富的電源半導體方案 |
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安森美推出溝槽型低正向壓降肖特基整流器 (2012.01.03)
安森美半導體（ON Semiconductor）近日推出新系列的100伏特溝槽型低正向壓降肖特基整流器（LVFR），用於筆記型電腦適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流（DC-DC）轉換器等應用 |
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Diodes推出一對嶄新600V整流器 (2011.11.04)
Diodes公司針對功率因數校正（Power Factor Correction）升壓二極體應用，推出一對嶄新的600V DiodeStar整流器，以擴展其DiodeStar產品系列。DSR6V600P5和DSR6U600P5使用Diodes專有的powerDI5 封裝 |
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ST推出新的高效能系列功率整流二極體 (2010.03.28)
意法半導體（ST）於日前宣佈，推出新的高效能系列功率整流二極體 STPS50U100C，可協助產品製造商達到效能標準，如80 PLUS。節能已成為電源廠商和電腦廠商的主要賣點。為提高電源效能所提出的80 PLUS獎勵計畫，可透過減少能源浪費降低二氧化碳排放量 |
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NXP推出全新FlatPower封裝MEGA Schottky整流器 (2008.10.15)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）宣佈推出全新FlatPower封裝的MEGA Schottky整流器。NXP此項新產品的正向壓降（forward voltage-drop）表現，可以允許超過50安培的高鋒值電流（high peak current），並且達到1W的Ptot功率耗散 |
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安森美推出新微型封裝的晶體和二極體 (2008.08.13)
安森美半導體(ON)擴充離散元件封裝系列，推出新微型封裝的電晶體和二極體。新的封裝技術能配合今日空間受限的可攜式裝置的嚴峻設計需求。
安森美半導體標準產品部全球市場行銷副總裁麥滿權說：「對我們的可攜式產品客戶來說，小尺寸、低高度且同時具備功率密度都是設計流程中相當關鍵的參數 |
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Vishay推出高性能45V肖特基二極體 (2008.07.14)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出最大結溫高達+175°C的業界首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能45V肖特基二極體。30CTT045與60CPT045器件基於亞微米溝槽技術，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設計人員提升汽車及其他高溫應用中的功率密度 |
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Vishay推出適用高溫應用的第5代高性能二極體 (2008.01.31)
Vishay宣佈推出適用於高溫應用的新型高性能Schottky二極體第5代矽平臺，以及具有低正向壓降、低反向漏電流和較高的最大結溫的8款新型器件。
Vishay新型Schottky二極體系列採用亞微米溝槽技術，最大結溫為+175°C，適用於汽車及其它高溫應用 |
