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意法半導體RS-485收發器兼具傳輸穩定性與速度 適用於工業自動化、智慧建築和機器人 (2024.05.22)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出新款ST4E1240 RS-485收發器晶片。新產品具有40Mbit/s傳送速率和PROFIBUS相容輸出,以及轉態和熱插拔保護功能。 ST4E1240是意法半導體新系列收發器晶片的首款產品,為現代高性能工業應用提供強大可靠的RS-485訊號傳輸解決方案
英飛凌可編程設計高壓 PSoC 4 HVMS系列適用於智慧感測應用 (2024.05.15)
在汽車產業中,資訊安全與功能安全的重要性增升,同時汽車製造商正在用觸控介面取代機械按鈕,實現簡潔的座艙和方向盤。因此,電子電路的空間受到很大限制,需要高度整合、外形精簡的積體電路(IC)
英飛凌新款MOSFET優化高功率密度、效率和系統可靠性 (2024.03.28)
英飛凌科技(Infineon)推出全新的OptiMOS 6 200 V MOSFET產品系列,全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動堆高機等應用提供出色的性能。新款MOSFET產品的導通損耗和開關性能都更加優化,降低電磁干擾(EMI)和開關損耗,有益於用於伺服器、電信、儲能系統(ESS)、音訊、太陽能等用途的各種開關應用
東芝小型光繼電器適用於半導體測試儀中高頻訊號開關 (2023.10.17)
東芝電子推出一款採用小而薄的WSON4封裝的光繼電器TLP3475W,它可以減少高頻訊號中的插入損耗並抑制功率衰減],適用於使用大量繼電器並需要高速訊號傳輸的半導體測試儀的引腳電子裝置
人工智慧:晶片設計工程師的神隊友 (2023.07.20)
隨著人工智慧的發展,晶片業者正在利用深度學習來進行比人類更快、更高效地晶片設計。晶片設計是一項複雜的工作,最近幾年不斷追求更高密度和性能的界限下,人工智慧已經在晶片設計中發揮著越來越大的作用
隔離式封裝的優勢 (2023.02.09)
本文說明高功率半導體的先進封裝有效提升效率及效益的技術與列舉應用範例。
以模型為基礎的設計方式改善IC開發效率 (2022.04.25)
以模型為基礎的設計開發,在Simulink建立模型並模擬混和訊號IC設計、受控體和微機電系統(MEMS),本文展示馬達和感測器的範例。
評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程,並展望其新世代架構,包含叉型片(forksheet)與互補式場效電晶體(CFET)。
從原理到實例:詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET為例,分析其效率和散熱能力方面的優勢,並說明如何使用此類元件進行設計。
微機電系統EMC達到99%改進幅度 (2021.08.23)
本文闡述針對現今高度整合CbM解決方案因應EMC標準相容性進行設計時所面臨的關鍵挑戰。
採用LCC拓撲的二相輸入300W交直流LED電源供應器 (2021.05.26)
本文探討如何利用半橋式無引腳晶片載體(LCC)諧振轉換器的數位控制功能,搭配同步整流,來打造300W電源供應器。
晶體振盪器如何讓數位電子裝置同步化 (2021.05.12)
大多數設計或使用的電子系統,都具有一或多個振盪器來提供時脈以進行同步運作,作為頻率參考或實現準確的定時。本文將討論石英晶體振盪器的優點,以及一些可用的選擇
提高電動車充電率 TI推升車用GaN FETs開關頻率性能 (2021.02.23)
為了加速電動車(EV)技術導入,滿足消費者對續航里程、充電時間與性價比的要求,全球汽車大廠在研發上需要更高的電池容量、更快的充電性能,同時盡可能降低或維持設計尺寸、重量或元件成本
片上變壓器隔離門極驅動器的優勢 (2020.12.04)
儘管隔離技術已經存在多年了,但已演變以滿足新應用的需求,如可再生能源的逆變器、工業自動化、儲能以及電動和混合動力汽車的逆變器和正溫係數(PTC)加熱器。
邏輯元件製程技術藍圖概覽(上) (2020.11.10)
愛美科CMOS元件技術研究計畫主持人Naoto Horguchi、奈米導線研究計畫主持人Zsolt Tokei彙整各自的領域專長,將於本文一同呈現先進製程技術的發展藍圖。
SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估 (2020.08.18)
本文透過模擬雪崩事件,進行非鉗位元感性負載開關測試,並使用不同的SiC MOSFET元件,依照不同的測試條件,評估技術的失效能量和魯棒性。
[CTIMES╳安馳] 開關穩壓器整合多元能力 解決棘手電源設計挑戰 (2020.07.28)
電子產品的發展趨勢朝向體積小型化與功能多元化,這使得功率節節高昇。在許多新一代的電子裝置上,除了尺寸更小,還以更高電壓運行,同時採用的是較低的寄生電容與更高的功率水平
高功率電源挑戰重重 開關穩壓器帶來最佳效益 (2020.07.28)
電子產品的發展趨勢朝向體積小型化與功能多元化,這使得功率節節高昇。在許多新一代的電子裝置上,除了尺寸更小,還以更高電壓運行,同時採用的是較低的寄生電容與更高的功率水平
ROHM發表第4代低導通電阻SiC MOSFET (2020.06.17)
半導體製造商ROHM推出「1200V 第4代SiC MOSFET」,適合用於動力逆變器等車電動力總成系統和工控裝置電源。 對於功率半導體來說,當導通電阻降低時短路耐受時間就會縮短,兩者之間存在著權衡關係,因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時,也必須同時考慮如何兼顧短路耐受時間
針對汽車嚴苛環境設計 完善電源供應系統佔小空間、省電及低EMI (2020.04.08)
本文探討汽車電源供應器規格的關鍵要求,以及因應汽車規範的解決方案,內容並提供多個範例解決方案,來一一說明高效能元件的組合如何輕易地解決以往無法克服的汽車電源難題


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6 Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列
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