|
恩智浦新推電晶體提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.19) 恩智浦半導體(NXP Semiconductors)推出BLC7G22L(S)-130基地台功率電晶體,這是恩智浦的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor;LDMOS)技術的產品,專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化 |
|
恩智浦半導體突破性提升LDMOS基地台功率效能 (2008.05.16) 恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日推出BLC7G22L(S)-130基地台功率電晶體,這是恩智浦應用第七代橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor;LDMOS)技術的首款產品,專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化 |
|