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英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC (2024.10.28)
許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時，也朝向更高的功率水準。因應此需求，英飛凌科技（Infineon）推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體，適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10 A 至80 A，符合光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用 |
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Microchip推出最新車用700和1200V碳化矽蕭特基二極體 (2020.10.29)
汽車電氣化浪潮正席捲全球，電動汽車搭載的馬達、車載充電器和DC/DC轉換器等高壓汽車系統都需要碳化矽（SiC）等創新電源技術。Microchip今日宣佈推出最新通過認證的700和1200V碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD）功率元件，為電動汽車（EV）系統設計人員提供了符合嚴苛汽車品質標準的解決方案，同時支援豐富的電壓、電流和封裝選項 |
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新款200V耐壓蕭特基二極體有效降低功耗並實現小型化設計 (2019.08.27)
近年來，在48V輕度混合動力驅動系統中，將馬達和週邊零件集中在一個模組內的「機電一體化」已成為趨勢，而能夠在高溫環境下工作的高耐壓、高效率超低IR[1]蕭特基二極體[2]（簡稱SBD）之需求也日益增加 |
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Littelfuse SiC蕭特基二極體降低能源成本和空間要求 (2018.06.30)
Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247蕭特基二極體和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263蕭特基二極體，擴充其碳化矽電源半導體產品組合。
相比矽二極體，GEN2碳化矽蕭特基二極體可顯著降低開關損耗，並大幅提高電力電子系統的效率和可靠性 |
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Diodes可提升蕭特基二極體的效能達20% (2017.07.13)
【美國德州普拉諾訊】Diodes公司推出的SDT蕭特基二極體系列，使用先進的深溝製程，提供出色效能，且成本比平面型蕭特基二極體相近甚至更低。初始的29個裝置系列產品，採用熱效率封裝，提供阻流、自由轉輪、返馳與其他二極體功能，適合廣泛的產品應用，例如AC-DC充電器/轉接器、DC DC 上/下轉換及AC LED照明 |
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高突波電流耐受量SiC蕭特基二極體能大幅度改善運轉時效 (2016.06.28)
SiC元件的材料物性好，已經逐漸為上述應用裝置所採用。尤其是伺服器等須提升電源效率的裝置，電源上使用SiC-SBD產品，就能充分發揮該產品的高速回復特性，運用在PFC電路後，可望進一步提升裝置的效率 |
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Diodes晶片尺寸封裝蕭特基二極體實現雙倍功率密度 (2013.07.04)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款採用了晶圓級晶片尺寸封裝的蕭特基 (Schottky) 二極體，為智慧型手機及平板電腦的設計提供除微型DFN0603元件以外的另一選擇。新元件能夠以同樣的電路板佔位面積，實現雙倍功率密度 |
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Linear發表具APD電流監視器之升壓DC/DC轉換器 (2009.02.23)
凌力爾特( Linear) 發表定頻、電流模式升壓DC/DC 轉換器LT3571，其具備內建的高壓端崩潰光二極體 (APD) 電流監視器。LT3571可從2.7V至 20V的輸入範圍提供達75V之輸出電壓，因此適合廣泛的光纖應用 |
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ROHM全新研發出二極體用大功率封裝 (2008.12.30)
半導體製造商ROHM專門針對行動音樂播放機、遊戲機、數位相機等，對於小型化、薄型化等需求日益強烈的行動裝置市場，全新研發出最小等級的二極體封裝「KMD2」（1608(0603 inch)尺寸），而採用此封裝的蕭特基二極體，預定將自2008年12月起陸續開始提供樣品（樣品價格為100日圓/個），並預計自2009年4月起分別以月產1000萬顆的規模投入量產 |
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Zetex推出新款低洩漏蕭特基二極體 (2005.07.05)
類比訊號處理及功率管理方案供應商Zetex，近日推出ZLLS350蕭特基勢壘二極體。新元件在30V下的典型及最大逆向電流分別為1µA及4µA，有助延長充電器和發光二極體(LED)驅動器等多元化應用系統的電池壽命 |
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Fuji Electronic新產品由增你強代理推廣 (2005.05.16)
增你強近日推廣其代理品牌Fuji Electronic新推出的(符合環保規章)省電型PWM IC與SMD SD包裝的2A~4A蕭特基二極體。Fuji(符合環保規章)省電型PWM IC，型號為FA5516/5517/5518，是針對需要大瓦數的電源供應器所設計，例如150W~200W的LCD TV |
