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三五年內 英飛凌生產線全面升級12吋製程 (2002.12.23)
根據外電消息，日前德商DRAM廠英飛凌（Infineon）宣佈，該公司12吋晶圓生產成本低於8吋晶圓，並計畫未來三、五年內將生產線都升級為12吋晶圓製程。英飛凌表示，英飛凌德國德累斯頓12吋晶圓廠，將於2003年夏天投產，預計將為英飛凌節省30％的成本，月產能將達28000片 |
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聯電獲MoSys授權1T-SRAM技術 (2002.11.20)
聯電與MoSys近日宣佈，聯電取得MoSys之1T-SRAM技術的授權，以加強聯電現有的IP服務，提供更適合聯電製程的記憶體給SoC設計工程師使用。聯電並將此高密度（ultra-high density）1T-SRAM記憶體技術客製化，進而提供更多重的選擇 |
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聯電否認放棄0.15微米製程之報導 (2000.12.13)
針對媒體報導有關聯華電子放棄0.15微米製程一事，聯華電子特別為此鄭重聲明此項報導毫無根據。聯電表示，事實上，0.15微米製程可能為鋁製程世代的最後一項製程，本身具有其重要性；在該公司大力推動下，使用0.18、0.15微米及0.13微米製程之客戶正逐漸增加中，所以並無放棄0.15微米製程之計畫 |
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聯電率光推出0.13微米2M SRAM (2000.05.21)
就當台積電5月16日即將於美國矽谷舉辦年度技術論壇研討會，並陸續發佈0.15微米的多項產品成功於近日量產之際，台積電頭號競爭對手聯華電子5月15日宣佈，已成功採用0.13微米邏輯製程產出2M SRAM晶片，並於五月初產出，良率達到一定水準，成為業界宣佈最早量產0.13微米的產品 |
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鈺創可望從0.15微米SRAM中獲利 (2000.05.12)
鈺創科技與台積電共同宣佈，台積在鈺創委託下，以最先進的製程產出0.15微米的SRAM，該顆800萬(M)位元的低功率SRAM，不但是全世界最小的一顆，且兼具高速的特性。由於台積電生產該顆產品的良率相當高，若市場接受度高，鈺創將因此獲利豐沛，預估該最產品將可在第四季大量出貨 |
