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三五年內 英飛凌生產線全面升級12吋製程 (2002.12.23) 根據外電消息,日前德商DRAM廠英飛凌(Infineon)宣佈,該公司12吋晶圓生產成本低於8吋晶圓,並計畫未來三、五年內將生產線都升級為12吋晶圓製程。英飛凌表示,英飛凌德國德累斯頓12吋晶圓廠,將於2003年夏天投產,預計將為英飛凌節省30%的成本,月產能將達28000片 |
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聯電獲MoSys授權1T-SRAM技術 (2002.11.20) 聯電與MoSys近日宣佈,聯電取得MoSys之1T-SRAM技術的授權,以加強聯電現有的IP服務,提供更適合聯電製程的記憶體給SoC設計工程師使用。聯電並將此高密度(ultra-high density)1T-SRAM記憶體技術客製化,進而提供更多重的選擇 |
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聯電否認放棄0.15微米製程之報導 (2000.12.13) 針對媒體報導有關聯華電子放棄0.15微米製程一事,聯華電子特別為此鄭重聲明此項報導毫無根據。聯電表示,事實上,0.15微米製程可能為鋁製程世代的最後一項製程,本身具有其重要性;在該公司大力推動下,使用0.18、0.15微米及0.13微米製程之客戶正逐漸增加中,所以並無放棄0.15微米製程之計畫 |
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聯電率光推出0.13微米2M SRAM (2000.05.21) 就當台積電5月16日即將於美國矽谷舉辦年度技術論壇研討會,並陸續發佈0.15微米的多項產品成功於近日量產之際,台積電頭號競爭對手聯華電子5月15日宣佈,已成功採用0.13微米邏輯製程產出2M SRAM晶片,並於五月初產出,良率達到一定水準,成為業界宣佈最早量產0.13微米的產品 |
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鈺創可望從0.15微米SRAM中獲利 (2000.05.12) 鈺創科技與台積電共同宣佈,台積在鈺創委託下,以最先進的製程產出0.15微米的SRAM,該顆800萬(M)位元的低功率SRAM,不但是全世界最小的一顆,且兼具高速的特性。由於台積電生產該顆產品的良率相當高,若市場接受度高,鈺創將因此獲利豐沛,預估該最產品將可在第四季大量出貨 |