CTIMES - 其他記憶元件

LSI Logic推出SATA II RAID儲存介面卡 (2004.09.15)
LSI Logic加州舊金山Moscone南方會議中心舉行的2004年秋季英特爾科技論壇（IDF）展示了業界第一套採用IOP技術的SATA II RAID 儲存介面卡—MegaRAID SATA 300-8X，該介面卡配備雙3U/16-baySATA儲存伺服器以及Advanced Industrial Computer（AIC）之擴充機架

Agilent發表儲存網路用的光纖通道控制器 (2004.09.15)
安捷倫科技（Agilent Technologies）宣佈4 Gb/s光纖通道控制器IC採用了新的PCI Express系統匯流排。這個元件是安捷倫Tachyon系列光纖通道控制器產品中的最新成員，它以單晶片的形式，為儲存設備OEM提供了突破性的效能和埠密度

如何量測並消弭記憶體元件中的軟錯？ (2004.09.03)
當記憶體元件被使用於支援各種關鍵任務的應用，尤其是負責控制系統運作時，軟錯（Soft Errors）可能會產生嚴重的影響，不但造成資料的毀損，更可能導致功能與系統的故障；本文將探討這些軟錯的成因、不同的量測技術以及克服這些軟錯的方法

Cypress擴增FLEx72系列高頻寬雙埠RAM產品 (2004.08.20)
Cypress日前發表兩款新元件，4-Mbit(CYD04S72V)與9-Mbit(CYD09S72V)的產品樣本，擴增FLEx72系列高頻寬雙埠RAM的產品系列陣容。Cypress並針對x72-bit-wide多埠記憶體增添一款18-Mbit FLEx72元件，目前已開始量產

美國國家半導體推出雷射二極體驅動器 (2004.08.18)
美國國家半導體公司(National Semiconductor Corporation)推出一款適用於光學拾訊器 (Optical Pickup Units；OPU) 而設的全新雷射二極體驅動器。這款型號為 LMH6533 的晶片具有極快開關速度、極低輸出電流雜訊以及低功耗等優點

英飛凌推出DDR2記憶體模組 (2004.08.12)
英飛凌(Infineon Technologies AG)推出使用在Sub-Notebook的DDR-Micro-DIMM模組 (Dual In-line 記憶體模組)，此款符合JEDEC規範的Micro-DIMM只有使用在一般筆記型電腦相同容量的SO-DIMM (Small Outline DIMM)的65%之大小

M-Systems的DiskOnKey增加2GB容量 (2004.08.02)
Smart DiskOnKey平台的創造者M-Systems，已經將DiskOnKey裝置的容量增至2GB。新增的儲存容量，結合了DOK T5處理器的卓越速度，讓新裝置成為多種工作的理想解決方案，包括傳輸大型檔案、修復資料與備份、檔案暫存與管理作業系統

IC Insights調降Flash市場成長率預估 (2004.05.31)
因市場平均價格（ASP）下降，市調機構IC Insights宣佈調降對快閃記憶體（Flash）市場的整體預測值，該機構認為，2004年快閃記憶體市場將比2003年成長45％，略低於該機構原先所預期的48％

Flash雙雄率先降價　宣戰意味濃厚 (2004.05.25)
主宰全球NAND型快閃記憶體（Flash）市場的三星電子（Samsung）與東芝（Toshiba），日前不約而同採取降價行動，對此市場意見皆認為，兩大廠的降價動作似乎是為了對後來加入的競爭者宣戰，包括英飛凌（Infineon）、海力士（Hynix）、意法微電子（STMicroelectronics）與美光（Micron）等計畫在近期投入NAND型Flash生產的業者

加強產品差異化擺脫景氣循環漩渦 (2004.04.08)
由於DRAM產業的景氣循環特性，多數生產標準型DRAM的廠商，皆有過像坐雲霄飛車的經驗，這對於公司的長遠發展當然不是好事。不過近幾年，由於消費性電子市場的成長，非標準型記憶體的應用越見廣泛，也帶動此一市場的成長，全球第二大記憶體廠商Micron（美光）也藉此機會，致力於發展非標準型的記憶體市場

東芝將推出4Gb NAND Flash (2004.04.06)
路透社消息指出，東芝（Toshiba）表示將推出全球儲存量最大的快閃記憶體，以期在競爭日益激烈的可重複讀寫記憶體市場上抵擋競爭。容量4Gb的NAND快閃記憶體將在4月稍晚開始推出，售價為12000日圓(114美元)，預計2004年第三季可量產

神達智慧型手機採用M-Systems記憶體解決方案 (2004.04.05)
M-Systems表示，該公司的Mobile DiskOnChip快閃記憶體，成為神達電腦Mio 8390智慧型手機的內建多媒體記憶體解決方案。Mio 8390三頻式手機，採用微軟Windows Mobile作業系統(Smart Phone 2003)，並支援GSM、GPRS 900、1800與1900 MHz，因此該手機實際上能與全球各地的行動網路相容

Hynix將與意法在中國合資興建12吋晶圓廠 (2004.03.23)
據路透社報導，韓國DRAM大廠Hynix半導體日前表示，該公司計畫與歐洲最大半導體廠商意法微電子（STMicroelectronics）進行合作，雙方將在中國大陸無錫合資興建生產DRAM與快閃記憶體（Flash）的12吋晶圓廠

MCP記憶體將成手機應用大宗 (2004.03.11)
市調機構iSuppli最新報告指出，MCP（multichip package memory；多重晶片封裝）記憶體漸成為手機記憶體標準，目前全球手機已有半數以上使用MCP記憶體，分析師預估，未來4年全球MCP記憶體年複合成長率將可高達37.6％

英特爾指Flash至少可再維持五年榮景 (2004.03.10)
英特爾（Intel）技術及製造事業群（Technology & Manufacturing Group）副總Stefan Lai，日前在參加一場科技論壇時指出，若業者能順利進階到45奈米以下製程，NAND型及ETOX型快閃記憶體（Flash）至少可繼續維持5年榮景

離職員工向東芝索賠快閃記憶體權利金 (2004.03.04)
據彭博資訊（Bloomberg）報導，前東芝員工舛岡富士雄日前向東京地裁所提出申請，要求東芝以10億日圓（約為910萬美元）代價，買下快閃記憶體（Flash）專利權。到目前為止，東芝尚未對此發表任何意見

三星近期調降NAND晶片現貨價 (2004.02.26)
掌控全球六成NAND快閃記憶體市場的南韓三星電子，近期開始下調NAND晶片現貨價格，據模組業者指出，三星此舉除反映產出增加的供需情況，刺激更多需求外，也希望藉此打壓Hynix、英飛凌等新進供應商

英特爾推出90奈米無線快閃記憶體 (2004.02.23)
工商時報報導，英特爾於美國舊金山舉行的英特爾開發者論壇（IDF）中，發表全球第一套採用90奈米製程、NOR規格的英特爾無線快閃記憶體（Intel Wireless Flash Memory），該產品是英特爾利用第9世代的技術生產，晶片尺寸大小比前一世代縮小約50％，有助於降低成本並讓英特爾的產能增加2倍

常憶科技快閃記憶體產品符合環保標準 (2004.02.19)
電子零組件代理商益登科技所代理的常憶科技（PMC）日前宣佈，它的快閃記憶體產品系列已超越無鉛封裝的環保要求，完全未使用任何含鉛材料；在某些特定條件下，這些含鉛材料可能會對環境造成傷害

NAND與NOR型Flash將在手機市場出現競爭 (2004.02.16)
網站Silicon Strategies引述市調機構iSuppli報告指出，過去在不同領域各擅勝場的NAND型與NOR型快閃記憶體（Flash），將隨著手機發展愈趨先進而在手機市場上正面遭遇競爭，而NOR型晶片的市場地位將遭到NAND型的挑戰