帳號:
密碼:
CTIMES / 閘極驅動器
科技
典故
確保網路穩定運作與發展的組織 - ICANN

ICANN是一個獨特的組織目的在於提昇網路的品質,並且致力於全球網路的發展。
伺服器DC/DC設計擁抱數位化 (2015.11.11)
或許是因為伺服器需要因應多變的應用服務業者, 再加上營運成本也是極為重要的課題, 在DC/DC的設計難度,似乎不在AC/DC之下。 而數位化,就成了唯一的選擇。
ADI推出數位隔離型IGBT閘極驅動器 (2015.05.22)
全球高效能訊號處理解決方案廠商亞德諾半導體(ADI)推出隔離型IGBT閘極驅動器─ADuM4135,提升工業馬達控制應用中電動馬達的能源效率、可靠性和系統控制性能。結合獲獎的ADI iCoupler數位隔離技術
宜普電源推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體 (2015.01.23)
宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增強型單片式氮化鎵半橋元件。可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率。在於透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙,使電晶體的占板面積減少50%
Diodes全新MOSFET閘極驅動器提升轉換效率 (2015.01.08)
Diodes公司推出一對1A額定值的40V輕巧閘極驅動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,能用在控制板上和嵌入式電源以及馬達驅動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6(採用SOT26封裝)和 ZXGD3009DY(採用SOT363封裝)可縮短MOSFET的開關時間,有助於盡量降低開關損耗、改善功率密度,以及提升整體轉換效率
宜普電源推出單片半橋式氮化鎵功率電晶體 (2014.12.09)
為了協助功率系統設計增加效率與功率密度,宜普電源轉換公司(EPC)推出60 V單片半橋式氮化鎵功率電晶體-- EPC2101。透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成?單個元件,可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙,使得電晶體的占板面積?少50%
意法半導體新款智慧型單路閘極驅動器整合電流隔離 (2014.12.08)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)推出先進的單路閘極驅動器(single-channel gate driver)STGAP1S。新產品在同一晶片上整合電流隔離(galvanic isolation)與類比邏輯電路圖(logic circuitry),可協助設計人員簡化驅動器的設計,同時確保產品具有良好的雜訊免除力(noise immunity),實現安全可靠的功率控制
Linear推出高速、高輸入同步MOSFET閘極驅動器 (2011.02.28)
凌力爾特(Linear)於日前宣佈,推出新款H 等級版本的LTC4444/-5,其為高速、高輸入供應電壓 (100V) 同步 MOSFET閘極驅動器,專為在同步整流之轉換器架構中,驅動較高和較低側N 通道MOSFET 而設計

  十大熱門新聞

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw