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Intermolecular與爾必達合作研發次世代記憶體技術 (2008.08.19)
Intermolecular與爾必達宣布了一項新的合作發展計劃（ CDP）和授權協議，以加速爾必達次世代IC新材料與製程技術的發展。這項合作發展計畫將採用Intermolecular物理氣相沉積（ PVD）與原子層沉積（ ALD ）的工作流程和應用方案 |
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爾必達將投資蘇州DRAM新廠 (2008.08.13)
爾必達將繼廣島和台灣之後，在中國蘇州工業園區新設支援12吋晶圓的DRAM廠，這將是爾必達全球第三個生產基地。據了解，該DRAM廠主要用於應付中國市場快速成長的個人電腦等需求 |
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08年Q2全球記憶體銷售 三星依舊稱王 (2008.08.11)
外電消息報導，市場研究公司iSuppli日前表示，根據統計資料，今年第二季三星電子在全球記憶體市場上依舊表現搶眼，市場佔有率已超過了30%，持續維持第一大記憶體廠的龍頭地位 |
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爾必達與奇夢達將合作開發新一代DRAM (2008.04.29)
DRAM產業將有一番重組了。據了解，全球第三大廠德國奇夢達與第四大廠商爾必達記憶體將就合作開發DRAM技術簽署備忘錄，並將在近期正式簽訂協議。備忘錄內容將包括：合作開發40nm製程以下的DRAM產品、並包括設計和製程技術在內的IP交叉授權，未來並將成立合資工廠，共同生產產品並統合經營策略等 |
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聯電技術授權爾必達 廣島廠產能將用於代工 (2008.03.20)
爾必達與聯電（UMC）就合作發展日本的晶片代工業務達成協議。據了解，爾必達將獲得聯電的IP內核與先進邏輯技術，在廣島爾必達記憶體的12吋晶圓廠（E300 Fab）進行晶圓生產 |
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Rambus XDR記憶體架構榮獲DesignVision大獎 (2008.02.25)
Rambus宣佈國際工程協會（International Engineering Consortium，IEC）評選Rambus的XDR記憶體架構為2008年半導體與積體電路（智慧財產權）類別的DesignVision大獎得主。國際工程協會DesignVision大獎評賞獎勵業界最獨特、受益性最高的技術、應用、產品和服務 |
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聯電跨足記憶體 與爾必達交互授權技術 (2007.10.25)
聯電積極佈局記憶體市場，將與日本爾必達（Elpida）合作進行交互授權，由爾必達提供聯電SOC內嵌DRAM所需的技術，聯電則提供爾必達發展先進製程所需的低介電質銅導線（low-k/Cu）專利 |
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爾必達與中芯將成為合資夥伴 (2007.04.10)
爾必達將在近期宣布以設備與技術作價，來取得中芯成都廠八吋廠成芯，以及武漢十二吋廠新芯的股權，也就是爾必達與中芯將正式成為合資夥伴，這也是爾必達繼宣佈與力晶合資設立瑞晶後，另一項海外的重大投資計畫 |
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日本爾必達將在明年初決定新廠落腳何處 (2006.08.01)
根據路透社消息指出，全球第五大動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片製造商－日本爾必達記憶體（Elpida Memory）於2006年8月1號表示，將在明年初以前決定新晶片廠，在海外選擇方面，考量過稅率和補貼事宜後，目標縮小到三個地方，考量的建廠地點包括台灣、中國和新加坡 |
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爾必達考慮於台灣設立DRAM新廠 (2006.07.20)
根據報導，日本DRAM製造廠爾必達（Elpida）考慮將計畫中的先進工廠設在台灣。該公司將和在日本國內設廠的優劣進行比較之後，再作出最後決定。
據了解，爾必達計畫的新廠設備可製造加工寬度只有70奈米的DRAM半導體回路線，預定月產10萬片，同時也計畫生產下一代的半導體PRAM |
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完成90奈米認證 中芯將為爾必達代工DRAM (2006.06.20)
日本DRAM廠爾必達及中國晶圓代工廠中芯國際共同宣佈，中芯北京十二吋廠已經完成了爾必達90奈米製程認證，將開始為爾必達代工512Mb DDR2產品。中芯國際總裁暨執行長張汝京說，中芯北京廠已開始進入為爾必達量產DRAM的代工工程，未來與爾必達間亦會針對先進製程繼續合作 |
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DRAM廠鎖定發展高毛利之利基型產品 (2006.06.15)
從2005年第四季起，全球前五大DRAM廠三星、美光、奇夢達（Qimonda）、海力士與爾必達等，已經明確對外表示，未來DRAM事業著重重點，將不再是標準型DRAM，而是鎖定高毛利的利基型DRAM |
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爾必達提高委外代工量 力晶、中芯受惠 (2006.01.25)
日本DRAM廠爾必達看好應用在消費性電子產品、伺服器等的利基型DRAM市場，宣佈「首要DRAM事業」（PremierDRAM Business）策略，本身十二吋廠雖然在一月開出5萬4000片月產能，但會以利基型DRAM為投片主力 |
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爾必達12吋新廠啟用 目標全球前三大DRAM廠 (2005.12.02)
日本DRAM大廠爾必達（Elpida）宣布，位於日本廣島的十二吋廠E300新建生產線正式落成啟用，除了明年第一季月產能可達5萬4000片外，十二吋廠也將全線導入90奈米製程量產512Mb DDR2及遊戲機用XDR記憶體等高階產品 |
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9月份全球DRAM產出量 爾必達成長率奪魁 (2003.10.13)
根據集邦科技（DRAMeXchange）所公佈最新全球DRAM廠9月份產出量，總產出已達2.703億顆（256Mb計算），與8月份全球產出量相較，成長幅度僅達1.27％，顯示出全球各大DRAM顆粒廠在投片量及產出良率，並未出現重大突破，估計要到11月全球DRAM產出量才有機會出現明顯增長 |
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爾必達社長呼籲日本IT業者團結求勝 (2003.09.30)
日本廠商在此次IT需求榮景下表現特別出色，但日本DRAM業者爾必達社長在在接受日本經濟新聞訪問，對日系IT廠商能否一舉從敗部再度復活發表看法時卻表示，日本IT廠商仍需進一步選擇與集中事業，並加強國內廠商間的合作，才能與國際大廠共同競爭 |
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爾必達亦將日政府提出反Hynix傾銷DRAM案 (2003.08.21)
據工商時報報導，繼歐美等國控訴南韓DRAM業者Hynix接受南韓政府不當補助、違反市場公平交易原則的控告之後，為防止Hynix在日本市場進行傾銷，日本DRAM業者爾必達（Elpida）也已經向日本政府提出對Hynix之控告 |
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12吋廠產能陸續開出 DRAM供過於求現象恐難避免 (2003.03.21)
英飛凌（Infineon）、美光（Micron）等國際DRAM大廠，日前在美林科技論壇中表示，DRAM廠今年新增產能主要來自於製程微縮，但預估供給量成長幅度仍高達40％左右，市場恐要到第四季才有供需平衡機會，而包括三星、美光、爾必達（Elpida）等業者的12吋晶圓廠產能將在明年大幅開出，恐將使市場落入供給過剩的情況 |
