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Intermolecular與爾必達合作研發次世代記憶體技術 (2008.08.19) Intermolecular與爾必達宣布了一項新的合作發展計劃( CDP)和授權協議,以加速爾必達次世代IC新材料與製程技術的發展。這項合作發展計畫將採用Intermolecular物理氣相沉積( PVD)與原子層沉積( ALD )的工作流程和應用方案 |
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爾必達將投資蘇州DRAM新廠 (2008.08.13) 爾必達將繼廣島和台灣之後,在中國蘇州工業園區新設支援12吋晶圓的DRAM廠,這將是爾必達全球第三個生產基地。據了解,該DRAM廠主要用於應付中國市場快速成長的個人電腦等需求 |
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08年Q2全球記憶體銷售 三星依舊稱王 (2008.08.11) 外電消息報導,市場研究公司iSuppli日前表示,根據統計資料,今年第二季三星電子在全球記憶體市場上依舊表現搶眼,市場佔有率已超過了30%,持續維持第一大記憶體廠的龍頭地位 |
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爾必達與奇夢達將合作開發新一代DRAM (2008.04.29) DRAM產業將有一番重組了。據了解,全球第三大廠德國奇夢達與第四大廠商爾必達記憶體將就合作開發DRAM技術簽署備忘錄,並將在近期正式簽訂協議。備忘錄內容將包括:合作開發40nm製程以下的DRAM產品、並包括設計和製程技術在內的IP交叉授權,未來並將成立合資工廠,共同生產產品並統合經營策略等 |
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聯電技術授權爾必達 廣島廠產能將用於代工 (2008.03.20) 爾必達與聯電(UMC)就合作發展日本的晶片代工業務達成協議。據了解,爾必達將獲得聯電的IP內核與先進邏輯技術,在廣島爾必達記憶體的12吋晶圓廠(E300 Fab)進行晶圓生產 |
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Rambus XDR記憶體架構榮獲DesignVision大獎 (2008.02.25) Rambus宣佈國際工程協會(International Engineering Consortium,IEC)評選Rambus的XDR記憶體架構為2008年半導體與積體電路(智慧財產權)類別的DesignVision大獎得主。國際工程協會DesignVision大獎評賞獎勵業界最獨特、受益性最高的技術、應用、產品和服務 |
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聯電跨足記憶體 與爾必達交互授權技術 (2007.10.25) 聯電積極佈局記憶體市場,將與日本爾必達(Elpida)合作進行交互授權,由爾必達提供聯電SOC內嵌DRAM所需的技術,聯電則提供爾必達發展先進製程所需的低介電質銅導線(low-k/Cu)專利 |
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爾必達與中芯將成為合資夥伴 (2007.04.10) 爾必達將在近期宣布以設備與技術作價,來取得中芯成都廠八吋廠成芯,以及武漢十二吋廠新芯的股權,也就是爾必達與中芯將正式成為合資夥伴,這也是爾必達繼宣佈與力晶合資設立瑞晶後,另一項海外的重大投資計畫 |
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日本爾必達將在明年初決定新廠落腳何處 (2006.08.01) 根據路透社消息指出,全球第五大動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片製造商-日本爾必達記憶體(Elpida Memory)於2006年8月1號表示,將在明年初以前決定新晶片廠,在海外選擇方面,考量過稅率和補貼事宜後,目標縮小到三個地方,考量的建廠地點包括台灣、中國和新加坡 |
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爾必達考慮於台灣設立DRAM新廠 (2006.07.20) 根據報導,日本DRAM製造廠爾必達(Elpida)考慮將計畫中的先進工廠設在台灣。該公司將和在日本國內設廠的優劣進行比較之後,再作出最後決定。
據了解,爾必達計畫的新廠設備可製造加工寬度只有70奈米的DRAM半導體回路線,預定月產10萬片,同時也計畫生產下一代的半導體PRAM |
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完成90奈米認證 中芯將為爾必達代工DRAM (2006.06.20) 日本DRAM廠爾必達及中國晶圓代工廠中芯國際共同宣佈,中芯北京十二吋廠已經完成了爾必達90奈米製程認證,將開始為爾必達代工512Mb DDR2產品。中芯國際總裁暨執行長張汝京說,中芯北京廠已開始進入為爾必達量產DRAM的代工工程,未來與爾必達間亦會針對先進製程繼續合作 |
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DRAM廠鎖定發展高毛利之利基型產品 (2006.06.15) 從2005年第四季起,全球前五大DRAM廠三星、美光、奇夢達(Qimonda)、海力士與爾必達等,已經明確對外表示,未來DRAM事業著重重點,將不再是標準型DRAM,而是鎖定高毛利的利基型DRAM |
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爾必達提高委外代工量 力晶、中芯受惠 (2006.01.25) 日本DRAM廠爾必達看好應用在消費性電子產品、伺服器等的利基型DRAM市場,宣佈「首要DRAM事業」(PremierDRAM Business)策略,本身十二吋廠雖然在一月開出5萬4000片月產能,但會以利基型DRAM為投片主力 |
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爾必達12吋新廠啟用 目標全球前三大DRAM廠 (2005.12.02) 日本DRAM大廠爾必達(Elpida)宣布,位於日本廣島的十二吋廠E300新建生產線正式落成啟用,除了明年第一季月產能可達5萬4000片外,十二吋廠也將全線導入90奈米製程量產512Mb DDR2及遊戲機用XDR記憶體等高階產品 |
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9月份全球DRAM產出量 爾必達成長率奪魁 (2003.10.13) 根據集邦科技(DRAMeXchange)所公佈最新全球DRAM廠9月份產出量,總產出已達2.703億顆(256Mb計算),與8月份全球產出量相較,成長幅度僅達1.27%,顯示出全球各大DRAM顆粒廠在投片量及產出良率,並未出現重大突破,估計要到11月全球DRAM產出量才有機會出現明顯增長 |
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爾必達社長呼籲日本IT業者團結求勝 (2003.09.30) 日本廠商在此次IT需求榮景下表現特別出色,但日本DRAM業者爾必達社長在在接受日本經濟新聞訪問,對日系IT廠商能否一舉從敗部再度復活發表看法時卻表示,日本IT廠商仍需進一步選擇與集中事業,並加強國內廠商間的合作,才能與國際大廠共同競爭 |
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爾必達亦將日政府提出反Hynix傾銷DRAM案 (2003.08.21) 據工商時報報導,繼歐美等國控訴南韓DRAM業者Hynix接受南韓政府不當補助、違反市場公平交易原則的控告之後,為防止Hynix在日本市場進行傾銷,日本DRAM業者爾必達(Elpida)也已經向日本政府提出對Hynix之控告 |
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12吋廠產能陸續開出 DRAM供過於求現象恐難避免 (2003.03.21) 英飛凌(Infineon)、美光(Micron)等國際DRAM大廠,日前在美林科技論壇中表示,DRAM廠今年新增產能主要來自於製程微縮,但預估供給量成長幅度仍高達40%左右,市場恐要到第四季才有供需平衡機會,而包括三星、美光、爾必達(Elpida)等業者的12吋晶圓廠產能將在明年大幅開出,恐將使市場落入供給過剩的情況 |