CTIMES - Mram

紐約大學理工學院和法國CEA-Leti合作開發12吋晶圓磁性記憶體元件 (2024.06.25)
紐約州立大學理工學院(NYCREATES)和法國電子暨資訊技術實驗室(CEA-Leti)，宣布建立戰略研發夥伴關係，初期將聚焦於用於儲存電腦數據的磁性記憶體元件的研發，並將在300mm晶圓上進行生產

工業儲存技術再進化！ (2022.08.26)
近年來，半導體先進製程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智慧城市到國防航太等領域都可以應用大量晶片記錄海量數據

為台灣嵌入式記憶體技術奠基國研院發表SOT-MRAM研發平台 (2021.11.09)
國研院半導體中心，今日舉行次世代嵌入式記憶體技術，「自旋軌道力矩式磁性記憶體（SOT-MRAM）」研究成果發表會。該記憶體採用垂直異向性的結構，不僅電耗更低、體積更小，同時讀寫的速度也更快，能夠整合至高性能的邏輯IC之中，進一步實現下世代的處理器晶片

2021 VLSI聚焦記憶體內運算與AI晶片台灣供應鏈優勢再現 (2021.04.20)
國際超大型積體電路技術研討會（VLSI）是台灣半導體產業的年度盛事，今（20）日在經濟部技術處的支持下2021 VLSI順利登場，今年焦點落在目前市場最熱門的AI晶片、新興記憶體、小晶片（chiplet）系統、量子電腦、半導體材料、生物醫學電子等最新技術進展

工研院於IEDM發表下世代FRAM與MRAM記憶體技術 (2019.12.10)
工研院於今美國舉辦的IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting；IEDM)中發表三篇鐵電記憶體(Ferroelectric RAM；FRAM)以及三篇磁阻隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random-Access Memory；MRAM）相關技術重要論文，引領創新研發方向，並為新興記憶體領域中發表篇數最多者

實現物聯網與雲端運算的新型記憶體技術 (2019.10.04)
研究指出，以 MRAM取代微控制器中的 eFlash 和 SRAM，可節省達 90% 的功耗。這些功耗與面積成本優勢，使得MRAM成為邊緣裝置的理想選擇。

新一代記憶體發威 MRAM開啟下一波儲存浪潮 (2019.09.24)
STT-MRAM可實現更高的密度、更少的功耗，和更低的成本。此外，STT-MRAM也非常有可能成為未來重要的記憶體技術。不止可以擴展至10nm以下製程，更可以挑戰快閃記憶體的低成本

STT-MRAM技術優勢多嵌入式領域導入設計階段 (2019.09.12)
目前有數家晶片製造商，正致力於開發名為STT-MRAM的新一代記憶體技術，然而這項技術仍存在其製造和測試等面向存在著諸多挑戰。STT-MRAM（又稱自旋轉移轉矩MRAM技術）具有在單一元件中，結合數種常規記憶體的特性而獲得市場重視

群聯攜手Everspin 發展整合MRAM的SSD控制晶片 (2019.07.26)
群聯電子宣布與Everspin策略聯盟，整合Everspin的1Gb STT-MRAM，至群聯的企業級SSD儲存解決方案。群聯指出，MRAM是一種非揮發性記憶體技術，不僅斷電時資料不會遺失，且有低功耗及讀寫速度高於NAND等特性

給科技部的科研專案與人才培育計畫按個讚！ (2019.03.25)
長期以來，台灣的產學落差一直為人詬病，尤其是在取得博士後所進行的研究，常是為了教職升等和論文積分，在實際的產業應用上並無太多的成果，更遺憾的，是未能充分發揮這些博士人才的優勢，其實甚為可惜

清大突破全球首例自旋流解密MRAM關鍵瓶頸 (2019.03.14)
由國立清華大學賴志煌教授與林秀豪教授所帶領的研究團隊，在科技部長期的支持下，研究MRAM的特性、製程與操控，獨步全球，成功以自旋流操控鐵磁-反鐵磁奈米膜層的磁性翻轉，研究成果刊登於材料領域頂尖期刊《自然材料》(Nature Materials)

關注次世代嵌入式記憶體技術的時候到了 (2018.01.25)
次世代記憶體的產品，如FRAM，MRAM和RRAM，在物聯網與智慧應用的推動下，開始找到利基市場。

物聯網與AI將推升次世代記憶體需求 (2017.12.25)
經過十多年的沉潛，次世代記憶體的產品，包含FRAM（鐵電記憶體），MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）和RRAM（可變電阻式記憶體），在物聯網與智慧應用的推動下，開始找到利基市場

MRAM技術再突破工研院啟動全新記憶體戰局!!（下） (2013.07.08)
MRAM是一種磁性多層膜的堆疊結構，在這當中最為關鍵的三層，上下兩層為磁性層（一為參考層，一為自由層），中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向是水平排列，並可由電流來控制旋轉方向

MRAM技術再突破工研院啟動全新記憶體戰局!!（上） (2013.07.02)
在工研院即將進入歡慶40週年院慶之際，工研院電光所的研究團隊所開發出來的「垂直式自旋磁性記憶體技術」榮獲傑出研究金牌獎，此一技術乍看之下並不顯眼，但該記憶體技術的背後，卻也牽動了未來全球半導體大廠的勢力佈局

美科學家展示自旋電子新進展 (2013.05.13)
物聯網(IoT)催生出了一個物物相連，所有設備都搭載資料處理和連線能力的龐大網路，但如何讓電子設備以最少的能源提供強大運算效能？一項科學研究可望為未來的電子技術發展奠定基礎，美國德拉瓦大學(University of Delaware)的科學家們證實了過去僅存在於科學理論中，迄今從未確切證實的由電子產生的磁場

[Tech Spot]四大快閃記憶體替代技術 (2012.12.06)
快閃記憶體仍如日中天，智慧手機消費型設備，例如平板電腦和智慧手機，強勁地推動了快閃記憶體及整個半導體市場。未來幾年，平板電腦的市佔率將不斷增加，目前最常見的快閃記憶體類型是 NAND，一位市場分析師預測：2011 至 2015 年之間， NAND的市場複合年增長率將達到 7%

SSD產業將迎向另一次革命 (2012.08.23)
SSD近來在行動市場相當受到歡迎，平均售價也持續下降，讓這種快速存取且低功耗的儲存裝置成長力道強勁。不過，現在市售的SSD仍存在一些技術問題，例如裝置內的DRAM可能因斷電而流失資料，因而新世代的技術仍在發展中

搶佔MRAM先機韓政府攜手三星與海力士 (2009.12.01)
外電消息報導，韓國政府日前宣佈，將與三星電子及海力士合作，進行磁性隨機記憶體（Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory；MRAM)）的研發，以維持韓國在全球記憶體產業的領先地位

Aviza推出12吋晶圓級離子束沉積系統 (2008.11.14)
半導體設備及製程技術專業供應商Aviza，近日宣佈推出全球第一臺12吋晶圓級離子束沉積系統。第一臺系統已出貨至法國格勒諾伯市的歐洲領先電子學及自旋電子學應用研究中心CEA-LETI-MINATEC