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Vishay推出尺寸09的新型单匝衬套位置传感器 (2007.11.19)
Vishay宣布推出尺寸为09（22.2mm）的新型单匝、衬套位置传感器，该器件采用霍尔效应技术，面向恶劣环境中的应用。
新型351 HE的霍尔效应技术使其能够在高达20G的高频率振动、高达50G的冲击条件下在–45°C～+125°C的温度范围内工作，因此其具有比其他技术更胜一筹的强大优势 |
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NI LabVIEW SignalExpress 2.5提升多种效能 (2007.11.19)
NI最新发表的LabVIEW SignalExpress 2.5，为交互式的量测软件，可简化、分析，并呈现来自于数百种数据捕获设备与仪器的数据。LabVIEW SignalExpress以NI LabVIEW图形化程序设计为基础，具有简单易用的拖曳式环境，适用于设定数据记录与仪器控制的应用 |
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2007最新LED驱动电路（上） (2007.11.19)
LED为获得均匀发光特性，会使用复杂的控制技术，若要发挥最大特性，如何充分掌握LED的特性，并选择适当的驱动电路，便显得非常重要。施加最低电压的值阀值电压获得驱动所需要顺电压，因为制作时的分布不均，使用温度的变化不断改变，因此LED需以定电压驱动 |
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简易量测感测器硬体及软体介面简化设计 (2007.11.19)
透过Easy Drive ADC架构，量测高阻抗感测器可以变得更简单，设计师也可摆脱其ADC前端的放大器，而于ADC输入加入小型分离电容，以作为充电库。透过单通道及多通道版本、I2C及SPI、16或24位元解析度，完整的Easy Drive ADC系列，将可精确地数位化任何感测器、负载电流或电压 |
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受次贷风暴影响 08年美半导体产业可能陷低潮 (2007.11.16)
外电消息报导，市场研究机构Gartner日前发表一份报告表示，受次级贷款在全球经济所造成的负影响，美国半导体产业在2008年可能将陷入低潮。
据报导，Gartner在报告中表示，有许多的政府经济学家和金融顾问提出警告，由于受次级贷款及其在全球所引起的经济衰退影响，美国经济很可能会陷入低迷 |
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英飞凌与Intel技术性合作开发HD SIM卡解决方案 (2007.11.16)
在法国巴黎Cartes贸易展中，英飞凌科技AG宣布与英特尔进行技术性策略联盟，开发高密度(HD) SIM卡优化芯片解决方案。依照双方签订协议，英飞凌将建构模块化芯片解决方案，而英特尔则负责提供内存架构，容量从4MB到64MB不等 |
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NI发表高效能的智能型相机系列 (2007.11.16)
NI近日发表NI 1722与NI 1742 Smart Cameras，此为低价位的高效能系统。NI Smart Cameras为嵌入式装置，可整合工业级控制器与影像传感器，并搭配使用NI视觉软件，直接为相机提供图像处理功能；适用于零件定位、检测包装、识别组件，与读取1-D与2-D程序代码等的应用 |
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ST推出含ARM Cortex-M3处理器的微控制器 (2007.11.16)
意法半导体宣布推出了一个价很低的微控制器开发工具组STM32 PerformanceStick，专为最近推出的内建ARM Cortex-M3处理器的STM32微控制器系列产品而设计。透过使用这套开发工具组，用户可以轻易地了解STM32的功能和性能，特别是用户可以透过一个图形界面检视微控制器在不同条件下的性能特性 |
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NXP与新力合资成立Moversa 致力NFC芯片 (2007.11.16)
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)（由飞利浦创建的独立半导体公司）与新力公司宣布成立合资企业Moversa，该公司将致力于全球近距离无线通信（NFC）手机市场中推广非接触式智能卡应用 |
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2007 ARM 年度技术论坛-新竹场 (2007.11.16)
「2007 ARM 年度技术论坛」将于新竹及台北两地隆重登场！今年，ARM将以「Investing the Future」的主轴精神邀您一同开拓无限商机的广大市场 — 行动通讯(Wireless Communication)、数字家庭(Digital Home)及行动运算技术(Connected Mobile Computing) |
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Tower Semiconductor成立台湾办事处 (2007.11.16)
以色列独立专业晶圆代工厂塔尔半导体（Tower Semiconductor）15日宣布成立台湾办事处，以延伸其于亚太地区日渐提升的能见度。Tower台湾办事处位于新竹，今后将以此提供现有及未来的区域客户完整服务 |
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英飞凌NFC功能SIM卡新增安全性与便利性 (2007.11.16)
英飞凌科技在巴黎Cartes贸易展中，发表32位高安全性闪存微控制芯片，提供近场通讯（NFC）行动应用所需之安全层级与便利性。除了强化的硬件安全效能外，新型NFC功能SIM卡微控制芯片还结合单线通讯协议（SWP）接口与免接触的Mifare技术 |
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英飞凌树立封装技术工业新标准基础 (2007.11.15)
英飞凌科技与半导体封装暨测试厂日月光半导体（ASE），宣布双方将合作导入更高密度封装尺寸与具几达无限脚数的半导体封装技术，这项新封装规格比传统封装技术（导线架压层板）在尺寸上可缩小30% |
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Xilinx推出全新一代完备嵌入式处理平台 (2007.11.15)
美商赛靈思（Xilinx）发表次世代嵌入式处理解决方案，为研发团队提供更高的系统级效能、更大的弹性、以及强化的设计环境生产力，并适用于各類应用領域 |
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MAXIM推出大功率、高效HB LED驱动器 (2007.11.15)
MAX16821是大功率、同步高亮度LED（HB LED）驱动器，可快速响应电流脉冲，是第一款可驱动共阳级LED的驱动器。该组件所具有快速电流响应LED技术目前正在申请专利，该技术可以满足投影应用的规格要求，因此对于正投影、背投TV（RPTV）以及袖珍投影机这类要求具有非常快速的LED调光功能的应用相当理想 |
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Vishay推出新系列汽车用TrenchFET功率MOSFET (2007.11.15)
Vishay推出已通过AEC-Q101认证的新系列汽车用TrenchFET功率MOSFET，该系列包含两款采用PowerPAK 1212-8封装且额定结温为175°C的60V组件。日前推出的组件为在10V栅极驱动时导通电阻为25毫欧的Vishay Siliconix n信道SQ7414EN以及额定导通电阻为65毫欧的p信道SQ7415EN |
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高通取得第一批台积电45奈米制程3G芯片 (2007.11.15)
高通（Qualcomm）宣布已取得第一批由台积电45奈米制程所量产的3G芯片，而内建该芯片的手机也已经试拨电话通讯成功。而2008年高通的高阶3G芯片将导入台积电45奈米浸润式微影（immersion lithography）制程，并将与台积电继续就45奈米的半制程，也就是40奈米制程上持续合作 |
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AnalogicTech升压转换器 缩小手持装置尺寸 (2007.11.14)
AnalogicTech发表一款新同步升压转换器，以纤小封装提供设计者极高输出电流。AAT1217专为支持广泛的手持可携式应用而设计，可从单颗碱性电池输入提供达100 mA输出、及从双颗碱性电池输入提供达400 mA、以及从单颗锂电池输入提供500 mA，同时能支持低如0.85 V之开机电压 |
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Catalyst推出新型高功率LED驱动器 (2007.11.14)
Catalyst半导体针对快速成长的中型尺寸LED面板市场扩充其高功率LED驱动器。CAT4139升压转换器提供高达750mA的切换电流和可驱动高压LED串，电压高达22V，是数字相框与其他新兴的高LED数量（超过40个以上LED）背光应用市场的理想选择 |
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意法半导体推出微型记忆卡界面芯片 (2007.11.14)
意法半导体（ST）推出高整合度的微型记忆卡界面芯片，新产品采用IPAD（Integrated Passive and Active Devices）技术，内建记忆卡界面所必备的五项功能，可适用于使用抽取式SD卡如手机、GPS导航设备、数字相机等各种其他的消费性及工业产品 |
高度整合的芯片组不过是这几年才发生的事，如果说CPU是计算机的脑部，Chipsets就可算是计算机的心脏了。
