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【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2007年11月14日 星期三

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意法半导体(ST)推出高整合度的微型记忆卡界面芯片,新产品采用IPAD(Integrated Passive and Active Devices)技术,内建记忆卡界面所必备的五项功能,可适用于使用抽取式SD卡如手机、GPS导航设备、数字相机等各种其他的消费性及工业产品。新的覆晶(Flip -Chip)封装的EMIF06-SD02F3记忆卡收发器整合了信号调节、双向电平转换、ESD(静电放电)保护、EMI(电磁干扰)过滤和一个2.9V稳压器。

EMIF06-SD02F3
EMIF06-SD02F3

在一个单芯片内整合这些电路有助于提升系统的可靠性,同时较典型的分离组件解决方案节省75%以上的电路板空间。EMIF06-SD02F3需要不到7平方毫米的电路板面积,使用具有相同功能的分离组件解决方案则需要大约30平方毫米的电路板空间,同时新产品还简化了应用产品的设计和电路布局。

该芯片符合标准和高速SD界面标准,以及MiniSD、MMC和uSD/TransFlash标准。 新产品提供一个用于保护外部记忆卡插槽的先进ESD保护电路、用于防止射频干扰数据线路的高效EMI过滤电路和用于防止出现悬空的数据线路的上拉/下拉(pull-up and pull-down)电阻。Card-Side Pins的ESD保护电路符合严格的IEC61000-4-2 Level 4的保护标准,即空气放电15kV。 EMI滤波器工作频率为800MHz到3GHz,在1GHz频率下,衰减性能超过20dB。

此外,该芯片还提供六个高速双向电平转换器,它们的工作频率为50MHz,典型传播延迟为3ns,能够把2.9V的记忆卡连接到1.8V主处理器。1.5ns的信道间最大延迟差可确保数据的一致性,并针对低功耗应用提供了优化的驱动器,其静态断态电路为1 microamp。

记忆卡的电源是由一个2.9V芯片内建低压降(LDO)CMOS稳压器所提供的,输出电流 为200mA及输入电压范围为3.1V到5V。 当200mA负载时,最大压降为100mV。新产品还提供一个switch-off控制引脚,其启动时间很短,仅为30μs,这个特性有助于将产品的功耗降至最低并延长电池的使用时间。 稳压器包括一个热关断、低压锁定和短路保护功能。

關鍵字: 意法半导体  一般逻辑组件 
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