在法国巴黎Cartes贸易展中，英飞凌科技AG宣布与英特尔进行技术性策略联盟，开发高密度(HD) SIM卡优化芯片解决方案。依照双方签订协议，英飞凌将建构模块化芯片解决方案，而英特尔则负责提供内存架构，容量从4MB到64MB不等。英飞凌将运用其安全性硬件设计的丰富经验，依现有SLE 88系列开发出用于HD SIM卡的32位安全性微控制芯片。英特尔提供最先进的闪存技术、容量与制造。

双方密切合作让英飞凌HD安全性微控制器芯片，搭配英特尔闪存解决方案，得以达致优化校准，有效整合入HD SIM卡设计。初期闪存产品系列的开发将采65奈米与45奈米制程，生产最高达64MB的NOR闪存。目前安全性微控制器芯片采130奈米的制程技术，尚属智能卡应用产品使用的最先进芯片。依据ETSI标准规格，所有HD SIM解决方案产品的电压范围都在1.8 V到3.3 V之间。SLE 88系列产品概念可让现有SIM卡操作系统软件轻易重复使用。

美国市场研究公司Frost & Sullivan预测，到2010年，高密度SIM卡将占全部SIM卡市场的6%到8%，总数达38亿多片–高于2007年的25亿片。

Frost & Sullivan市场研究公司智能卡通讯技术部门全球计划督导Anoop Ubhey指出，「这两个行动应用的专业厂商，透过技术协议合作结盟，将撼动HD SIM市场重新洗牌。高密度SIM卡专用的NOR内存与微控制器芯片，开启未来商务型态的新契机，扩展行动网络业者的业务范围。」