半导体制造商ROHM针对车载设备、工业设备、消费性电子设备等电源电路和保护电路，推出业界最高等级trr的100V耐压萧特基二极体（SBD）「YQ系列」。

ROHM新款100V耐压SBD「YQ系列」 采用沟槽MOS结构，兼顾VF和IR得以显着改善效能，适用於汽车LED头灯等高速开关应用。

二极体的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用於各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD，其VF低於平面结构的SBD，因此可以在整流等应用中提高效率。而普通沟槽MOS结构的产品，其trr比平面结构的差，因此在用於开关应用时出现了功率损耗增加的课题。针对此种课题，ROHM推出采用独家沟槽MOS结构、同时改善了难以兼顾的VF和IR、实现了业界最高等级trr的YQ系列产品。

继支援各种电路应用的4个SBD系列产品後推出的新「YQ系列」，也是ROHM首款采用沟槽MOS结构的二极体。该系列利用ROHM独家结构设计，实现业界最高等级trr（15ns），与同样采用沟槽MOS结构的市场竞品相比，trr单项的损耗降低约37%，总开关损耗降低约26%，有助於降低应用产品功耗。

另外透过采用沟槽MOS结构，与以往采用平面结构的SBD相比，顺向施加时的损耗VF和逆向施加时的损耗IR均得到改善。这不仅可以降低在整流应用等顺向使用时的功率损耗，还可以降低SBD最令人担心的热失控风险。这些优势使该系列产品适用於容易发热的车载LED头灯的驱动电路、xEV用DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用。

新品从2023年12月起已全部投入量产，样品也开始透过电商平台销售。