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因应不景气 富士通将在日本裁员400人 (2008.12.24)
外电消息报导，富士通周二（12/23）宣布，受全球经济衰退影响，该公司计划在日本国内7家半导体芯片厂进行裁员计划，预计裁员的规模约有400人。
富士通表示，由于消费市场低迷，连带造成半导体也不景气，富士通不得不将原先计划的裁员100人，扩大至400人 |
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NI将仪器层级的I/O新增至LabVIEW FPGA硬件中 (2008.12.23)
NI发表新款的开放式FPGA架构硬件系列，并适用于PXI平台。NI FlexRIO产品系列，为业界首款商用现货（COTS）解决方案，可提供NI LabVIEW FPGA技术的弹性，并整合仪器层级的高速I/O |
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德州仪器0.7 V输入升压转换器支持5 µA工作电流 (2008.12.23)
德州仪器（TI）宣布推出一款2 MHz DC/DC升压转换器，工作静态电流为5 µA，而且可在轻负载条件下维持极高的效率。该解决方案支持0.7 V至5.5 V的输入电压，以及1.8 V至5.5 V的输出电压，进一步延长应用低功耗微控制器设计方案的电池使用寿命，例如采用单节AA电池或碱性钮扣电池等应用 |
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首款SSD开发平台问世 (2008.12.23)
为满足新一代行动装置如Netbook、MID及NB等产品的储存需求，创意电子（GUC）推出了全台首款的SSD开发平台「GP5000」。该平台使用一个32 bit的ARM-based处理器及一颗FPGA芯片，并整合了DDR2、PATA、SATA2、PCI-e等多种连接接口 |
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IBM研发出26GHz的石墨烯晶体管 (2008.12.23)
外电消息报导，IBM日前宣布，研发出一款全世界速度最快的石墨烯(graphene)场效晶体管(FET)，运作的频率高达26GHz。而未来透过碳元素更高的电子迁移率，该材料有望超越硅的物理极限，达到100GHz以上，并迈入兆赫领域 |
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Gartner再度下调09年半导体设备支出预期 (2008.12.23)
外电消息报导，市场研究公司Gartner日前再度下调了2009年半导体设备支出的预期。根据最新的预测报告，Gartner预计2008年半导体设备支出将减少30.6%，而2009年还会进一步减少31.7% |
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Android手机火热 2009年数量倍增 (2008.12.23)
外电消息报导，使用Google Android平台的手机数量，在2009年将会明显增加。包含三星、HTC、摩托罗拉与Sony Ecrisson等，都可能在明年推出基于此一平台的手机产品。
据报导，三星首款使用Google的Android平台的手机，可能在2009年第二季于美国市场推出，而Sprint可能会是这款手机的电信服务商 |
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IR全新基准MOSFET提升60%封装电流额定值 (2008.12.22)
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出具备高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
新组件的封装电流额定值达到195A，较典型封装电流额定值高出60% |
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恒忆推出新系列NAND闪存 (2008.12.22)
恒忆（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据储存应用推出新系列NAND闪存产品，持续为业界提供完整的 NOR、NAND、RAM和PCM（相变化内存）解决方案。新系列产品包括高达32Gb（gigabits）的MLC NAND、32GB（gigabytes）的eMMC和高达8 GB的microSD产品，均采用先进的41奈米制程 |
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掌握既有微控制器领先优势在台强化三大应用合作关系 (2008.12.22)
全球Tier1车厂前景备受关注，汽车电子及汽车信息系统（infotainment）应用能否带动汽车产业复苏，拥有全球车用MCU市占率首位的瑞萨（Renesas）发展策略动见观瞻。
台湾瑞萨董事长兼总经理森本哲哉（Tetsuya Morimoto）表示，目前Renesas专注行动通讯、计算机多媒体、汽车电子三大市场应用领域，其比例占整体Renesas应用销售比重的70％ |
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专访：台湾瑞萨董事长兼总经理森本哲哉 (2008.12.22)
全球Tier1车厂前景备受关注，汽车电子及汽车信息系统（infotainment）应用能否带动汽车产业复苏，拥有全球车用MCU市占率首位的瑞萨（Renesas）发展策略动见观瞻。
台湾瑞萨董事长兼总经理森本哲哉（Tetsuya Morimoto）表示，目前Renesas专注行动通讯、计算机多媒体、汽车电子三大市场应用领域，其比例占整体Renesas应用销售比重的70％ |
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高阶微处理器架构下的新世代SSD研讨会 (2008.12.22)
当SSD产品走入广大的消费电子市场，如Netbook、MID、NB、PC等产品时，对于效能、稳定度、使用寿命等规格要求将更高。而综观SSD 应用领域，因规格不断的提升，软件设计复杂度提高，微处理器(MCU)已由过去8-bit 8051的架构，往更高阶的32-bit MCU解决方案前进，其中ARM-based的方案，更是受业界的推崇及采用 |
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美专利商标局终审核驳PI对Fairchild的专利权指控 (2008.12.22)
快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor）宣布，针对该公司与Power Integrations之间长达四年的专利侵权诉讼案中所涉及的三项 Power Integrations尚在专利权期限内的专利，美国专利商标局（U.S. Patent and Trademark Office）已就其中两项专利的专利权指控发出终审核驳通知书 |
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美国国家半导体推出全新系列高电压降压控制器 (2008.12.21)
美国国家半导体（National Semiconductor Corporation）宣布推出四款全新的高电压异步降压控制器，其特点是功能极为齐全，优点包括适用于极高的输入电压，可以提供卓越的脉冲宽度调变（PWM）控制，而且还可减少电磁干扰 |
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Tektronix提供串行数据链路分析选项 (2008.12.21)
Tektronix宣布，DSA70000实时示波器系列的新串行数据链路分析（Serial Data Link Analysis，SDLA）软件，可进行如发送器到接收器的SATA 6 Gb/s、SuperSpeed USB、6 Gb/s SAS和PCI-Express 3.0等高速串行数据设计之完整测试 |
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明导Olympus-SoC布局绕线系统获台积电测试认可 (2008.12.21)
明导国际（Mentor Graphics）正式宣布Olympus-SoC布局绕线系统针对台积电40奈米制程的芯片设计流程已获台积电测试认可，并立即供应客户使用。该项测试包含了手持式组件与无线装置所用的高效率40奈米低功耗（LP）制程以及效能导向的中央处理单元（CPU）、图形处理单元（GPU）、游戏机台及网络组件所用的40奈米通用型（G）制程 |
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世界最小的SRAM (2008.12.21)
东芝日前在2008年国际电子组件会议（IEDM）上公布了目前世界上最小的SRAM。该技术为东芝、IBM及AMD所共同研发，其透过FinFET技术，并采用高电介质金属栅极（High-K metal gate）材料，开发出面积仅为0.128平方微米的SRAM，是目前世界上最小的SRAM |
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Q4芯片库存量过高 iSuppli发出红色警报 (2008.12.21)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli日前表示，由于市场衰退的速度超乎预期，预计今年第四季的消费性电子用芯片的库存量，可能较上一季多达3倍左右。
iSuppli表示，芯片库存过高，将会影响半导体产品的价格、营收和获利率，并将妨碍半导体产业从目前的衰退中复苏 |
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东芝与NEC合作开发45奈米CMOS平台技术 (2008.12.20)
外电消息报导，东芝宣布，将与NEC共同开发使用45奈米制程的CMOS平台技术。该平台将生产以低功耗为目标的SoC，以满足未来的行动应用需求。该平台预计在2009年第二季时进行大规模量产 |
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东芝、IBM及AMD合作开发出世界最小的SRAM (2008.12.20)
外电消息报导，东芝、IBM与AMD日前共同宣布，采用FinFET共同开发了一种静态随机内存（SRAM），其面积仅为0.128平方微米，是目前世界上最小的SRAM。这项技术是在上周（12/16）在旧金山2008年国际电子组件会议上所公布的 |
当传输技术进入数字时代之后，用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重，结合显示适配器硬件的数字显示接口标准，其发展进度因而更受到瞩目。
