东芝日前在2008年国际电子组件会议（IEDM）上公布了目前世界上最小的SRAM。该技术为东芝、IBM及AMD所共同研发，其透过FinFET技术，并采用高电介质金属栅极（High-K metal gate）材料，开发出面积仅为0.128平方微米的SRAM，是目前世界上最小的SRAM。东芝表示，这项产品将应用在对于电耗相当敏感的微型行动装置上，包含手机等及其他未来的行动产品，其电耗将只有目前的一半左右。