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南韩政府计画将Hynix一案提交WTO裁决 (2003.06.16)
南韩政府日前表示，除非欧美撤回对韩国记忆体业者Hynix课征惩罚性关税的决定，南韩计画将与美国及欧洲政府主管单位之间，对该国是否不当补助Hynix的争执，提交至世界贸易组织（WTO）进行仲裁 |
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AMD获三星颁发2002年「最佳供应商」奖 (2003.06.16)
日前宣布获三星电子(Samsung Electronics)评选为2002 年「最佳供应商」。 AMD 一直是三星电子的快闪记忆
体产品供应商，而「最佳供应商」奖是三星电子颁予供应商的最高荣誉 |
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DRAM、Flash、DSP将成2004年当红半导体产品 (2003.06.13)
半导体产业协会（SIA）日前公布开2003半导体销售年中报告时，亦对半导体市场明日之星作出预言表示，DRAM、快闪记忆体（Flash）及数位讯号处理器（DSP）将是2004年半导体市场最红的产品，但相较之下微处理器恐将失去原有的光环 |
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DRAM业者将成12吋厂增加之主要动力 (2003.06.09)
据工商时报报导，DRAM市场景气自2001以来价格一直处于低档，除了三星外，其余DRAM厂均出现亏损，DRAM业者也因此停止扩充产能计画。但市场调查机构Strategic Marketing Associates（SMA）指出，近期DRAM价格回升，业者亦展开新一波筹资与兴建12吋厂计画，明年底全球12吋厂单季资本投资可达55亿美元 |
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华邦公布5月营收报告 (2003.06.09)
华邦电子9日公布5月份营收达新台币20.05亿元，较去年同期营收22.35亿元，减少近10.28%。今年一至五月累计之营收总额为新台币108.04亿元，相较去年同期累计营收134.44亿元，减少近19.64% |
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DRAM六月上旬合约价上涨逾一成 (2003.06.03)
据工商时报报导，DRAM市场虽仍处于供过于求状况，但因通路商与记忆体模组厂等下游买家，预期DRAM价格将在第三季传统旺季上涨而积极回补库存，带动现货价缓慢上扬，DRAM厂六月上旬合约价出现大幅上涨情况，目前原厂256Mb DDR模组合约价已喊至35美元，飙涨逾一成 |
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环隆电气正式跨足Wireless PDA市场 (2003.06.02)
环隆电气正式跨足Wireless PDA市场，藉由内建无线网路模组研发设计与客制化设计及生产能力，搭配长期以来累积的零组件整合优势，全速拓展无线通讯应用领域商机。环隆电气所推出之Wireless PDA除了内建无线网路模组，并能同时支援VoIP功能，为客户提供从设计到生产的完整服务 |
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DRAM合约价六月可望止跌回升 (2003.05.23)
据工商时报报导，近来DRAM市场虽受到传统淡季与SARS等因素影响而行情走低，但记忆体模组大厂金士顿表示，英特尔推出856晶片组与调降处理器价格等动作，应可刺激市场需求，加上Hynix六月起出货至美国的DRAM将被课征57％的惩罚性关税，所以六月起DRAM合约价可望止跌反弹，并带动现货价格上涨 |
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中芯0.18微米1T-SRAM技术已获认证 (2003.05.21)
大陆晶圆代工业者上海中芯国际日前宣布，该公司以0.18微米制程试产的静态随机存取记忆体（1T-SRAM）已获供应商MoSys的认证；中芯下半年就可在大陆直接提供客户1T-SRAM制程与代工产能，并可望在嵌入式记忆体代工市场，与台积电、联电以及力晶等记忆体厂商竞争 |
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DRAM价格续跌业者乐观认为六月可回稳 (2003.05.20)
据工商时报报导，五月下旬DRAM合约价日前出炉，因市场需求十分疲弱且OEM厂无太大的采购动作出现，再加上现货价下跌的压力，因此256MB DDR模组合约价只守在30至22美元之间，较上旬小跌5％ |
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英飞凌与美光合作推出RLDRAM II规格 (2003.05.13)
英飞凌科技(Infineon Technologies)与美光科技(Micron technology)合作推出高速低延迟(Reduced Latency)DRAM II架构为主的完整规格。此种RLDRAM II规格是属于第二代、超高速DDR SDRAM产品，传输速度可高达400MHz；并结合超宽频及高密度的快速随机存取 |
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Elpida最快可在今年第三季量产新一代DRAM (2003.05.12)
据日经产业新闻报导，日本DRAM业者尔必达（Elpida）日前表示，该公司将最快从今年第三季起，领先三星等竞争对手，量产用于英特尔新型中央处理器的新一代DRAM，该新产品将取名为DDR2，记忆容量为512M，读取速度可达533Mbps，较现有产品提高30％，适用于高阶电脑及伺服器 |
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三星DRAM市占率虽小幅下滑仍稳居龙头宝座 (2003.05.12)
市场调查机构iSuppli日前公布今年第一季全球DRAM市场调查报告，韩国三星电子（Samsung）仍蝉连全球DRAM龙头宝座，但市占率小幅下滑3.8％，至于美光（Micron）、英飞凌（Infineon ）则分居二、三名的因销售量有一定幅度的增加，所以市占率双双扬升 |
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SARS严重冲击DRAM产业？ 市调机构看法不一 (2003.05.08)
蔓延亚洲地区的SRAS病毒可能将对亚洲半导体市场产生何种影响，目前各家市调机构产生看法不一的情况；iSuppli日前指出，因SARS疫情在大陆肆虐，全球DRAM市场将受到严重冲击，但Semico却提出反驳，认为iSuppli将DRAM市场景气不佳归咎于SARS的说法有误 |
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为减低成本记忆体设计业者转投DRAM晶圆厂 (2003.05.06)
据Digitimes报导，包括中芯国际等大陆晶圆业者以低价打进DRAM市场的策略，已经对台湾IC设计业者的获利造成影响，包括晶豪、钰创与矽成等设计业者为减轻成本，近来逐渐将产能由台积电、联电，转向DRAM业者如力晶、南亚科的晶圆厂，两DRAM厂也已将提升记忆体代工业务比重列为重点工作 |
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三星将投资五亿美元扩建美国晶圆厂 (2003.05.05)
韩国三星电子（Samsung）日前透露，该公司将投资5亿美元扩建并升级其位于德州奥斯汀的半导体工厂，以生产用于高阶伺服器的电脑记忆体晶片。由于景气迟未复苏，相对与三星的增资动作，其他半导体业者大部分在缩减支出，包括龙头业者英特尔（Intel）都计画削减2003年的资本支出预算达25％ |
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全球反倾销 Hynix市场不保 (2003.05.05)
自欧盟、美国均对韩国DRAM厂Hynix因接受政府的非法补助，而进行控告与制裁，此一案例一出后，果然效应威震DRAM产业，连台湾DRAM厂南亚科、华邦、力晶、茂硅等企业都自组联盟，并提出反倾销的控诉 |
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英飞凌量产0.11微米制程 (2003.04.30)
英飞凌科技(Infineon)宣布该公司的0.11微米DRAM产品已进入量产阶段。以全新的0.11微米制程所制造的高密度256Mb DRAM样品，不仅获得英特尔的验证，并已出货予各地之策略伙伴 |
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英飞凌将量产0.11微米256Mb DRAM (2003.04.30)
继韩国三星日前宣布以0.11微米量产DRAM后，德商DRAM厂英飞凌也宣布以0.11微米沟槽式（Trench）制程试产256Mb DRAM，并且获得英特尔验证，目前已进入量产阶段，未来该制程将授权华邦、华亚、中芯等策略伙伴 |
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NEC与三星分别表示将增加半导体投资 (2003.04.28)
尽管整体半导体景气复苏情况仍旧不明，SARS疫情等因素又对市场投下许多变数，仍有业者对投资十分积极，包括日本NEC与韩国三星电子，皆有增加投资或扩厂的计划。
据路透社报导 |
