英飞凌科技(Infineon)宣布该公司的0.11微米DRAM产品已进入量产阶段。以全新的0.11微米制程所制造的高密度256Mb DRAM样品，不仅获得英特尔的验证，并已出货予各地之策略伙伴。此全新制程技术可大幅缩小结构，减少晶片尺寸，并降低30%之单一晶片制造成本。此外，与英飞凌先前的0.14微米DRAM制程技术相比，0.11微米制程技术可将每片晶圆的晶片产出提升50%以上。

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英飞凌营运长暨管理会委员Andreas von Zitzewitz博士表示，「英飞凌最新的256Mb DRAM是业界最小的256Mb产品。此产品结合了精密的0.11微米制程与英飞凌的专利沟槽式(trench )技术，因此，英飞凌的晶片尺寸较其他竞争者产品减少10%，却仍能达到同样的效能。」0.11微米新制程技术是由英飞凌位于德勒斯登的8吋晶圆厂所开发，并将在8吋及12吋的生产线中，扩大量产高密度与高速记忆体晶片。在德雷斯登扩大量产新制程的期间，英飞凌也会将这项新技术转移予英飞凌晶圆厂丛聚(fab cluster)，包括位于美国维吉尼亚州里奇蒙的晶圆厂、与南亚合资的华亚半导体(Inotera Memories)，以及英飞凌的DRAM代工伙伴。

英飞凌是首先将193nm光学微影(lithography)技术，应用在0.11微米制程技术量产的DRAM制造商。未来更小尺寸的新世代制程技术均计划使用同样的光学微影技术，并将会受益于目前所得之经验。 256Mb DDR元件是首批使用0.11微米制程技术制造之产品，应用于个人电脑及伺服器。转换至较小的制程几何面积将有助于生产DDR2和Graphics RAM等高速记忆体晶片。此外，由于晶片尺寸缩小，因此记忆体的密度可以提升到每个晶片1Gbit。所有使用此制程生产的DRAM元件都是属于无铅与无卤素材料之环保技术。