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台湾DRAM业者将针对Hynix向政府提出反倾销控诉 (2003.08.13)
据工商时报报导，继美国国际贸易委员会（ITC）于七月底决定对南韩DRAM业者课征47％的惩罚性关税后，欧盟也确定对Hynix征收34.8％的反倾销税；而国内DRAM业者也将跟进，将向我国政府提出对Hynix之反倾销案与控告其非法接受南韩政府补助案 |
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全球DRAM业四强体制已然确立 (2003.08.08)
据中央社报导，据南韩朝鲜日报报导，1998年时，全球有22家DRAM 制造商并存，但在东芝（Toshiba）、富士通（Fujitsu）与摩托罗拉（Motorola）等相继撤退后，现在只剩下12 家公司幸存 |
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DRAM业者将迈入12吋晶圆时代 (2003.08.07)
市场研究机构Strategic Marketing Associates（SMA）公布最新分析报告指出，全球DRAM市场已全面进入12吋晶圆时代，各大DRAM业者皆兴建12吋新厂，而目前全球10大DRAM厂商中，仅美光（Micron）与华邦电尚未宣布12吋厂兴建计划 |
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景气回暖 台湾DRAM厂下半年可转亏为盈 (2003.08.05)
Digitimes报导，全球DRAM景气近来虽已逐渐回升，但DRAM厂2003上半年亏损情况却仍然严重，国内华邦、南科、茂德、力晶等四家DRAM业者上半年亏损金额总计达新台币79.56亿元，其中又以力晶亏损最剧 |
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茂硅将转型为闪存供货商 (2003.07.21)
据工商时报报导， 茂硅于日前公布今年第一季季报，并同时宣布转型计划。茂硅副总经理张东隆表示，茂硅今年下半年将会积极布局闪存市场，并自明年起以成为闪存主要供货商为营运重心 |
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DRAM市场竞争激烈 业界看好三星表现 (2003.07.19)
根据Semico Research 2003上半年全球DRAM市场最新报告，三星（Samsung）、美光（Micron）、英飞凌（Infineon）仍为全球前3大DRAM业者，值得注意的是，正当三星市占率向下滑落，美光、英飞凌却呈现攀升，且英飞凌正逐渐拉近和美光之间的差距 |
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终端需求显现 DRAM价格将维持缓步上扬 (2003.07.17)
据工商时报报导，中国大陆将调降芯片内销加值税的政策，不但有利台湾芯片进军大陆市场，包括南亚科、力晶等对大陆销售DRAM较多的晶圆厂亦可望受惠，而日本瑞萨（Renesas）也表示将持续扩大对力晶、旺宏之委外代工业务；在以上利多消息带动下，近来DRAM业者股价表现亮眼 |
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茂德六月营收表现亮眼 (2003.07.11)
茂德科技六月营收为十七亿二千九百万元，较去年同期成长35.7%，亦较上月成长13％。主要因为六月份出货大部分为DDR 400，而此部分产品的销货中有一小部份可以用DDR 400规格来销售，并享有较DDR 333高的溢价，因此对该公司六月份营收成长有相当程度的贡献 |
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韩国已将Hynix遭课征高额关税一案提交WTO仲裁 (2003.07.04)
据路透社报导，韩国外交通商部日前已针对美国将向Hynix课征高额惩罚性关税一事，向世界贸易组织（WTO）诉请仲裁；外交通商部在声明中表示，该国已根据向WTO诉请贸易仲裁的规定，向美国递交进行双边磋商会议的信函 |
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联电与迅慧共同完成90奈米SRAM原型开发 (2003.07.03)
晶圆大厂联电转投资的IC设计业者迅慧科技（HBA），日前宣布已与联电共同完成90奈米高速静态随机存取内存（SRAM）之原型芯片，预计今年下半年可进行量产，联电企图以此产品提升在电信通讯市场的接单能力与市占率 |
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茂德拟寻求合作伙伴共建第二座12吋厂 (2003.07.01)
据路透社报导，国内DRAM业者茂德科技日前表示，该公司正计划拟寻求合作伙伴共同出资兴建第二座12吋晶圆厂，希望新厂最快将可在2005下半年量产。
该报导指出，茂德营业处处长林育中表示 |
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三星加码投资12吋晶圆生产线 (2003.06.27)
外电报导，三星电子计划在2003年底～2004年投资3兆～4兆韩元（约24～32亿美元），以增设Fab12与Fab13的12吋晶圆生产线。三星预计到2004年中旬，该公司12吋晶圆月产能可达4万片以上，分别为英飞凌（Infineon）、台积电、联电与尔必达（Elpida）等半导体大厂的2～5倍 |
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力晶第二座12吋晶圆厂将在今年动工 (2003.06.26)
据路透社报导，国内DRAM大厂力晶日前表示，该公司第二座12吋晶圆厂将在今年动工，预计最快可在2005年上半完工并开始量产。但力晶副总经理谭仲民亦表示，力晶第二座12吋晶圆厂计画仍有适度弹性，若半导体景气恢复不如预期，该厂设备装机的时成亦有可能延后 |
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三星将追加旗下半导体厂设备投资 (2003.06.26)
据韩国经济新闻报导，三星电子计画追加投资旗下半导体与光电厂之设备投资金额，其中包括生产记忆体之华城厂Fab12与天安厂第五代TFT LCD生产线Line6。
三星电子2003年设备投资总预算为6.78兆韩元，其中包括半导体事业5.77兆韩元、通讯事业3200亿韩元、数位媒体800亿韩元；而此次追加投资金额亦包含在总投资预算之中 |
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科统科技量产FIFO暂存记忆体 (2003.06.24)
科统科技成功量产一系列影像FIFO (First In First Out) 暂存记忆体，记忆容量支援4 Mbits 及2 Mbits, 速度为25ns。本系列产品采用先进的制程，缔造目前业界最具成本优势的FIFO memory，领先竞争者同类型的产品两个世代 |
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美方高额关税判决确定Hynix将面临沉重压力 (2003.06.19)
美国已经决定对Hynix半导体征收44.71％的进口关税，以对韩国政府不当金援造成的市场不公平现象做出惩罚；DRAM业者指出，目前虽仅有美国做出宣判，但其余像欧盟、亚太地区DRAM业者也将陆续做出判决，Hynix未来要在市场中生存倍加困难 |
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因应市场变化三星积极拓展非记忆体产品线 (2003.06.19)
据韩国经济新闻引述业界人士消息表示，一向以DRAM为事业主力的三星电子，最近正重新整置记忆体的产品线，并积极拓展MPU、LDI等显示器驱动IC（DDI）、智慧卡IC等非记忆体产品事业 |
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虹光精密使用Tensilica Xtensa处理器 (2003.06.18)
Tensilica公司，18日宣布虹光精密已经成功地将XtensaR可配置式处理器设计到一台办公室影像产品中，该产品预计在今年下半年进入量产。
「我们之所以选择Tensilica的Xtensa处理器，是因为我们喜欢它的速度，低功率，以及现成的发展工具 |
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国内DRAM测试产能恐将持续供不应求 (2003.06.17)
据工商时报报导，国内DRAM测试市场恐将出现供不应求的现象，其主因是DRAM业者力晶、茂德与南亚科技等，将陆续在第三季开出12吋与8吋厂新产能，但DRAM价格一直陷于低档，业者仍未摆脱亏损状况，下游测试厂也将因代工价无法顺利调涨，而无力扩充DRAM测试产能 |
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三星电子表现突出半导体新成长论为主要推动力 (2003.06.17)
全球半导体业者中少数能在2002年的景气衰退期中仍能屹立不摇、甚至逆势成长者，三星电子可说是其中表现突出的成功案例；据日经产业新闻分析，三星电子半导体事业能够获致成功，除了巨额的投资金额之外，该公司的商品战略及独创的半导体新成长论更是其成长的主要动力 |
