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茂德发行九千万美元ECB (2003.10.06)
茂德科技（Promos）日前表示，该公司已顺利完成发行九千万美元的可转换公司债（ECB），溢价17%。茂德发言人兼营业本部资深处长林育中表示，『茂德此次ECB顺利完成发行，由于茂德科技营运前景乐观，配合DRAM景气复苏，加上荷兰银行保证性质，这次ECB发行得到国际投资人热烈反应，在一小时内即达到数倍的超额认购 |
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台湾DRAM业者联合控告Hynix行动将暂缓 (2003.10.04)
原本有意联合向政府提出控告南韩Hynix之反倾销案的台湾DRAM业者茂硅、茂德、南亚科、力晶、华邦等，因茂硅、华邦等业者陆续退出标准型DRAM市场，加上国内厂商担心联合控告行为，可能引来Hynix或其他DRAM厂反扑，将暂缓提出控告的行动 |
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内存大厂产能转向Flash DRAM现货价上扬 (2003.09.30)
据经济日报报导，因数据存取型闪存严重缺货，DRAM大厂三星、东芝新增12吋厂增加生产闪存，Hynix也有意跟进，使DRAM市场本周将出现小幅缺货，而南科、茂德及力晶三大业者都认为DRAM现货价本周将反弹 |
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传Hynix可能以委外代工方式规避美欧高额关税 (2003.09.25)
据Digitimes报导，南韩DRAM大厂Hynix在遭美国与欧盟课征高额度惩罚性关税后，已拟妥相对应策略，一方面除扩大其位于美国的晶圆厂生产规模外，也计划将制造技术转移至大陆晶圆代工厂委外代工，如此一来可因DRAM颗粒生产据点并非位于南韩，而逃过遭受课征惩罚性关税 |
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茂德推出自有品牌内存产品 (2003.09.19)
茂德科技(ProMOS)将于本周所举行的台北国际计算机展(COMPUTEX TAIPEI 2003)中发表第一款自行设计成功，以ProMOS自有品牌销售的内存产品CDRAM。
茂德科技营业本部资深处长林育中表示，『该公司将于Computex中推出自行设计成功的新产品CDRAM，目前采用0 |
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英飞凌将逐渐提高DRAM委外代工比例 (2003.09.17)
据经济日报报导，英飞凌将增加大中华地区的投资及结盟伙伴，预计2006年DRAM代工比率达五成，以降低价格风险，夺取全球25％市场。英飞凌内存执行长艾格司表示，今年英飞凌DRAM自制率为80％ |
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Climate warming prophet DRAM industry to improve major capital expenditures Fun Factory (2003.09.13)
IC Insights market research agency announced that the latest report indicates that the DRAM market fueling economic recovery over this wave of semiconductors, DRAM makers will once again stand on capital expenditures peak, leading other types of semiconductor products capital expenditures in 2003 |
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DRAM业者全球排名 各区域市场竞争状况不一 (2003.09.08)
市调机构iSuppli发表全球2003年上半年DRAM业者全球市占率排名报告，韩国三星电子稳居龙头宝座，但不同区域市场之厂商排名却出现美光、英飞凌、Hynix、Elpida等业者群雄相争的状况 |
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专业LTCC通讯射频模组技术先驱 (2003.09.05)
国内厂商近年来积极耕耘无线通讯领域，不管是在行动通讯或无线区域网路领域都有不错的成绩，但是在关键技术如标准的制定，晶片（Chipset）及射频（RF）模组的设计上国际大厂仍有落差 |
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Marvell致力在亚太区市场推广WLAN解决方案 (2003.09.05)
目前Marvell在大中华地区的全产品线独家代理权由国内电子零组件通路业者文晔科技取得；文晔副总经理许文红表示，Marvell为文晔在网路通讯产品线中十分重视的原厂之一，该公司向来在Gaigabit、10 Gigabit Ethernet等有线宽频技术上为市场领导厂商，亦在近年来亦投入WLAN相关技术之研发，并陆续发表802.11b/g晶片组产品 |
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锁定行动装置需求 提供高效能Flash解决方案 (2003.09.05)
随着2003年景气缓步回升与行动电话、数位相机等设备的出货增加，快闪记忆体又成为瞩目焦点。根据市调机构Dataquest的预测数据，2003年快闪记忆体市场可望有14％的成长，2004年成长率更可攀升至32％，达到120亿美元以上的规模；为抢攻此一潜力无穷的市场商机，国内记忆体大厂华邦电子亦致力于相关技术与产品的研发 |
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茂德获颁「产业科技发展奖」 (2003.09.04)
茂德科技(Promos)日前获颁「第十一届经济部产业科技发展奖」，并且是半导体制造业唯一获奖的厂商。茂德此次获奖是继八十九年后第二度获得经济部颁发奖项。
茂德发言人林育中表示，『茂德科技在过去数年与国际策略联盟伙伴合作中，除导入先进制程技术外，同时也建立自主研发技术与新产品的能力 |
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各大厂转向生产Flash DRAM供给成长趋缓 (2003.08.29)
据工商时报报导，由于闪存（Flash）毛利率较DRAM高出许多，二者在制程转换上又无须太多的投资，因此继三星调拨现有DRAM产能生产NAND闪存后，美光、英飞凌、Hynix等国际大厂都已开始转移DRAM产能去生产闪存，因此模块厂创见信息董事长束崇万表示，未来DRAM供给成长将更趋缓 |
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Elpida将接收NEC广岛晶圆厂 (2003.08.28)
全球第六大DRAM制造商Elpida周二宣布，为提升竞争力，该公司订于九月一日正式接手母公司NEC位于广岛县的半导体制造厂，该厂将向NEC租用设备并接收NEC厂1360名员工。
Elpida表示，接收NEC广岛芯片厂将使该公司一举拥有具备200mm和300mm晶圆生产线的厂房，有助压低成本和提升生产效率 |
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力晶获Elpida技转0.11微米以下DRAM制程 (2003.08.26)
据工商时报报导，国内DRAM厂力晶大厂半导体日前宣布，该公司已与日本DRAM厂Elpida签订先进堆栈式（Stacked）DRAM制程技术转移合约，预计2004年第二季开始陆续导入新制程，并抢进合约市场 |
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我国自有DRAM产值2003年第二季成长10.9％ (2003.08.21)
据工研院经资中心（IEK）所公布之统计，我国2003年第二季DRAM自有产品产值为新台币234亿8200万元，较第一季成长10.9％，而预估第三季价格可因市场旺季带动而明显回升，256Mb DDR平均价格可上涨至5.5美元，让国内DRAM厂转亏为盈 |
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尔必达亦将日政府提出反Hynix倾销DRAM案 (2003.08.21)
据工商时报报导，继欧美等国控诉南韩DRAM业者Hynix接受南韩政府不当补助、违反市场公平交易原则的控告之后，为防止Hynix在日本市场进行倾销，日本DRAM业者尔必达（Elpida）也已经向日本政府提出对Hynix之控告 |
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南茂、力成宣布进军DDR-II封测市场策略 (2003.08.20)
据工商时报报导，专注在DRAM后段封测市场的南茂集团与力成科技，因看好明年DDR-II将成为市场主流，且其后段封装测试制程亦将出现技术世代交替现象，日前分别宣布DDR-II封测市场策略 |
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中芯已获美方准许 进口193奈米微影设备 (2003.08.19)
据经济日报报导，英飞凌执行长舒马克预定9月中旬前往中国上海，与当地晶圆业者中芯敲定以0.11微米制程之DRAM代工订单。此外中芯近期已获美国商务部特准进口193奈米微影关键设备，在技术层次向前推进之后，该公司技术将逐渐追上台湾及美、日等先进国家 |
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市调机构指DRAM价格上扬仅为短期现象 (2003.08.19)
市调机构iSuppli针对DRAM市场发布最新报告指出，DRAM销售额下半年好转仅为短期现象，进入2004年后，DRAM合约价将再次下探；此外闪存（Flash）产品售价亦会全面呈现衰退，只是因产品种类不同，跌价程度不一 |
OASIS是一个非营利的机构，其作用在于发展、整合，以及统一世界各地电子商业所需要的专用标准。OASIS并制定出全球电子商业的安全标准、网络服务、XML的标准、全球商业的流通，以及电子业的出版。
