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市场指三星转拨12吋产能主因 为看坏DRAM市况 (2003.11.25)
根据市调机构iSuppli指出，南韩三星电子年底前将把12吋厂的1万片左右月产能，改投高密度NAND闪存（Flash），并将制程由0.12微米微缩至0.11微米。而市场消息认为，三星此举表示该公司对2004年上半年DRAM市况不抱乐观 |
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二线厂抛售未测试晶圆 DRAM价格跌不停 (2003.11.24)
据工商时报报导，DRAM市场今年未出现年底旺季行情，近期更因终端市场需求疲弱使DRAM现货价格连日下挫，不过DRAM后段封装测试因产能不足，代工价格持续上涨，已严重压缩DRAM厂获利能力 |
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Hynix针对惩罚性关税向欧盟提出上诉 (2003.11.19)
南韩DRAM业者Hynix日前提出声明表示，该公司已向欧盟法庭提出上诉，要求欧盟撤销对该公司芯片的进口课征惩罚性关税的决定。
欧盟在8月时受理德国英飞凌对Hynix接受韩国政府不公平补助审理，最后决定对Hynix产品课征34 |
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DDR已成DRAM市场主流 价格却不升反降 (2003.11.13)
据工商时报报导，虽然DDR已逐渐取代SDRAM成为DRAM市场主流规格，但是二者价格却出现令市场意外之走势，256Mb SDRAM价格自7月以来缓慢上扬，但256Mb DDR价格却仍因市场需求不振而持续下跌，两者价差达1.4美元 |
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三星DRAM市占率下滑 但内存获利反增 (2003.11.12)
市调机构Gartner Dataquest公布第三季DRAM厂排名，前5大厂名次维持不变，但龙头业者三星市占率明显下滑，各较前一季、2002年同期减少3.6％和8.6％。三星在DRAM领域之势力固然呈现衰退，但实际上该公司将DRAM产能转为生产闪存（Flash），公司获利表现并未因此退步 |
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OEM厂采降低成本策略 DRAM价格涨不动 (2003.11.08)
市场调查机构iSuppli在最新研究报告中指出，面板、被动组件等缺货价格大涨，OEM厂为了控制成本降低内建DRAM容量，造成全球DRAM消耗量过低，是让DRAM价格涨不动的主要原因 |
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茂德宣布投入16亿美元兴建第二座12吋厂 (2003.11.06)
继力晶第二座12吋晶圆厂正式动工后，台湾另一DRAM业者茂德亦宣布投入16亿美元兴建月产能达4万片、制程自90奈米开始的12吋晶圆厂；但茂德仍不愿公开合资对象的名单，该公司营运资深处长林育中在法人说明会中并指出，依茂德至2005年的现金流量估算，该公司也有能力自行兴建第二座12吋厂 |
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摩托罗拉推出MRAM芯片 (2003.10.29)
摩托罗拉公司于27日表示，该公司已经制造出 4 兆位的磁电阻式随机存取内存芯片。特定的客户目前正在评估这项先进芯片技术的样品。这项技术里程碑，进一步证实了 MRAM 有可能取代多种现有的内存技术的可行性 |
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摩托罗拉推出MRAM芯片 (2003.10.29)
摩托罗拉公司于27日表示，该公司已经制造出 4 兆位的磁电阻式随机存取内存芯片。特定的客户目前正在评估这项先进芯片技术的样品。这项技术里程碑，进一步证实了 MRAM 有可能取代多种现有的内存技术的可行性 |
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业者制程转换不顺 DRAM价格下探风险高 (2003.10.27)
经济日报报导，全球DRAM厂第四季在制程转换上之情况皆不尽理想，除英飞凌、Hynix等都传出运转不顺情形，台湾DRAM厂华邦电、力晶及南科等业者，也因部分新制程良率偏低，次级产品流入现货市场导致价格有下探风险，惟第四季OEM高阶DRAM出货增加有限，合约价可望持平 |
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英飞凌采策略联盟方式前进中国市场 (2003.10.27)
据路透社引述业界消息指出，德国半导体大厂英飞凌（Infineon）将与中国大陆内存芯片模块生产商记忆科技进行合作，希望能在蓬勃发展的中国大陆内存市场争取40％的市场占有率；据了解，双方最快可能在11月中旬签署结盟之合约，但英飞凌并不愿对此消息证实 |
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DRAM供需趋于平稳 价格大幅上扬难再现 (2003.10.25)
据经济日报报导，动态随机存取内存（DRAM）供需趋于平稳，第四季256M颗粒报价将在4至5美元间，不易有大幅上涨的机会，但多数DRAM厂都因为已升级到0.15微米、0.13微米以下制程，将成本降低到4美元以下，而有获利机会 |
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确保产能 力晶考虑在中国大陆兴建8吋厂 (2003.10.22)
工商时报报导，力晶集团董事长黄崇仁在苏州电博会（eMEX2003）IT论坛中表示，由于力晶内存代工产能严重不足，公司已认真考虑在中国大陆寻求策略联盟伙伴或独资兴建8吋晶圆厂的可行性 |
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大陆晶圆厂强力竞争 台湾DRAM业面临考验 (2003.10.22)
据Digitimes报导，由于日、韩DRAM厂在12吋厂布局策略落差大，以及台湾业者投资12吋厂领先全球，加上大陆晶圆厂中芯及宏力极可能串联DRAM产能，全球DRAM产业不仅既有的竞争局面将发生变化，未来大陆更可能加入竞争 |
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英特尔将推出1GB手持式内存 (2003.10.16)
英特尔在今年台北举办的英特尔科技论坛（IDF）中宣布，将生产最高可达到1GB容量的手持式装置专用记忆系统。英特尔资深副总裁Ron Smith表示，此产品的技术架构采最新的高阶堆栈式封装，可将英特尔的StataFlash内存和易失存储器（RAM）堆栈在一起，做成大小只有8x11公厘的内存模块 |
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茂德：尔必达为技术合作伙伴 (2003.10.15)
茂德科技(ProMOS)15日指出，该公司与日本尔必达内存(Elpida)的技术合作协商将持续进行，双方于今年五月签定有关内存芯片技术授权合作备忘录、协议共同发展下一世代的内存制程之后，协商动作会一直持续 |
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ST推出NOR闪存 (2003.10.14)
半导体制造商ST发布NOR闪存，该产品适用于低电压及高效能应用。采用90奈米制程技术，NOR闪存仅占据0.08µm2的硅芯片面积，尺寸比采用130奈米的同级产品减小了50%。此外，ST也已经利用相同的晶圆发展128Mbit的闪存原型芯片，目前该产品已进入评估阶段 |
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9月份全球DRAM产出量 尔必达成长率夺魁 (2003.10.13)
根据集邦科技（DRAMeXchange）所公布最新全球DRAM厂9月份产出量，总产出已达2.703亿颗（256Mb计算），与8月份全球产出量相较，成长幅度仅达1.27％，显示出全球各大DRAM颗粒厂在投片量及产出良率，并未出现重大突破，估计要到11月全球DRAM产出量才有机会出现明显增长 |
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抢攻市占率 台湾DRAM业者争盖12吋厂 (2003.10.09)
据经济日报报导，国内DRAM业者南亚科技、力晶与茂德今年以来透过海外可转债（ECB）、全球存托凭证（GDR）等方式合计募资近200亿元，用以兴建12吋晶圆厂，募资计划将延续到2004年 |
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力晶第二座12吋晶圆厂动工 (2003.10.07)
据工商时报消息，力晶半导体为扩大产出抢占市场占有率，已举行第2座12吋厂动工典礼，同时力晶亦公布该公司第一座12厂采用0.13微米制程比重已达90％，九月营收创下27亿1000万元历史新高纪录 |
为了整合电子位信息交换的共同标准，统一全球各国分歧殊异的文字符号，独霸全球字符编码标准，ASCII与Unicode的分分合合就此展开........
