据工商时报报导,DRAM市场今年未出现年底旺季行情,近期更因终端市场需求疲弱使DRAM现货价格连日下挫,不过DRAM后段封装测试因产能不足,代工价格持续上涨,已严重压缩DRAM厂获利能力。部份二线DRAM厂为了节省测试成本,开始大量出货未测试(UTT)晶圆,只是未测试晶圆价格低迷,DRAM厂此举反而加重现货价格跌势。
该报导指出,PC虽然因为英特尔下半年调降P4处理器与芯片组价格,出货量明显增加,但因LCD面板与被动组件价格上涨,OEM厂为维持获利而将DRAM搭载标准容量由256MB降低至128MB,压抑DRAM市场整体需求,使得10月以来DRAM市场旺季不旺。而依传统经验来看,11月份是DRAM景气循环高峰,所以现在价格若走软,代表原本疲弱的市场需求将进一步降低,12月与明年首季DRAM价格恐有持续下跌危机。
虽然DRAM价格不停下跌,但后段封装测试却因产能吃紧,代工价格不断上调,目前一颗DDR芯片封测成本平均已近0.8美元。对DRAM厂来说,现货价续跌,但封测成本续涨,已压缩到获利能力,因此部份二线DRAM厂为了降低封测成本,开始大量出货未经测试的晶圆至现货市场,加重DRAM现货价格跌势。
模块业者表示,DRAM传输速度虽然愈来愈快,但已无法推动消费者的购买力,加上DRAM市场仍未见到可大量消耗产能的杀手级应用,所以未来DRAM市场需求将不会有太大成长,DRAM价格涨跌将会决定在供给量的多寡,唯有供给端控制产能,价格才有上涨动力,不过以目前DRAM供给端现况来看,价格下跌压力将会持续至明年上半年。