继韩国三星日前宣布以0.11微米量产DRAM后，德商DRAM厂英飞凌也宣布以0.11微米沟槽式（Trench）制程试产256Mb DRAM，并且获得英特尔验证，目前已进入量产阶段，未来该制程将授权华邦、华亚、中芯等策略伙伴。

英飞凌表示，以0.11微米量产256Mb DRAM，与0.14微米制程相较，新制程可减少30％的制造成本，可提升50％以上的产出；与其它竞争者相较也减少10％。 0.11微米制程由德国Dresden8吋晶圆厂开发，试产成功后将移至8吋与12吋厂量产。

据了解，英飞凌将193奈米微影技术，应用于0.11微米制程量产DRAM，此举能在最短的时间内，将制程微缩至奈米制程；0.11微米可生产DRAM、DDR-II以及高速绘图卡用DRAM。