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飛思卡爾擴充WiMAX基地台射頻功率電晶體功能 (2006.01.23)
飛思卡爾半導體發表第七代高電壓(HV7)射頻LDMOS技術，此項技術可以滿足WiMAX基地台在3.5 GHz頻帶中運作時所需的射頻功率放大器效能。 飛思卡爾表示，即使飛思卡爾已經具備12V砷化鎵擬態高速移動電子電晶體(PHEMT)的產品線
飛思卡爾擴充泛用放大器的產品線 (2005.06.10)
飛思卡爾半導體擴充其砷化鎵(GaAs)製程泛用放大器(GPAs)的產品線，範圍涵蓋11種新元件。泛用放大器可直接以5伏特直流電壓運作，其運作範圍從直流電等級到6 GHz的高頻運用都有，是一種廣受愛用的應用元件


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