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Ampleon推挽整合型Doherty電晶體 Sub-6GHz頻段降低佈局 (2022.02.25)
埃賦隆半導體（Ampleon）利用先進的LDMOS電晶體技術，推出B11G3338N80D推挽式3級全整合型Doherty射頻電晶體，該電晶體是GEN11 Macro驅動器系列的載體產品，涵蓋所有Sub-6GHz頻段。
這種高效的多頻段器件覆蓋3.3至3.8GHz的頻率範圍，可實現下一代大功率和具有市場領先效率的大型基地台 |
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Ampleon發佈增強效能的第3代GaN-on-SiC電晶體 (2022.02.23)
埃賦隆半導體（Ampleon）推出兩款新型寬頻碳化矽基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率電晶體（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度元件是最近通過認證並投入生產的第3代GaN-SiC HEMT制程的首發產品 |
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大功率射頻晶體管面向工業和專業射頻能量應用 (2019.01.18)
Ampleon今天宣布，面向工作在2400MHz至2500MHz頻率範圍內的脈衝和連續波(CW)應用，推出500W的BLC2425M10LS500P LDMOS射頻功率晶體管。BLC2425M10LS500P適用於各種工業、消費和專業烹飪射頻能量應用；由於它可以通過單個SOT1250空腔塑料封裝提供500W的CW，因此具有非常高的功率與封裝比 |
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Ampleon推出小尺寸50Ω輸入/輸出250W雙級2.4GHz模組 簡化集成的複雜度 (2018.11.08)
埃賦隆半導體（Ampleon）近日宣佈推出小尺寸雙級250W LDMOS射頻功率模組BPC2425M9X2S250-1。 該高效率模組專為工作在2,400MHz至2,500MHz頻段的大功率連續波（CW）工業、科學和醫療（ISM）應用而設計，尺寸為72mm×34mm，並整合了溫度感測器（可簡化其溫度的監控）、內建散熱器的最先進的多層板，以及一流的LDMOS技術 |
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埃賦隆半導體獲得再融資 將推動業務成長 (2018.11.02)
埃賦隆半導體（Ampleon）近日宣佈其最近獲得了再融資方案。在豐銀行（HSBC）的帶領下，2018年10月5日，五家西歐銀行聯合商定了4億美元的優先信貸額度，其中一部分包括迴圈信貸額度 |
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200W LDMOS輸入/輸出匹配放大器模組加速433MHz系統開發 (2018.04.11)
埃賦隆半導體（Ampleon）推出基於200W BPC10M6X2S200 LDMOS的功率放大器模組——該模組適用於各種電漿照明、工業加熱、醫療、射頻烹飪和除霜應用。這款小巧輕便的pallet，其工作頻率範圍為423MHz至443MHz，尺寸僅為125mm×33mm，重量為85g，並可在脈衝波和連續波模式下工作 |
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埃賦隆半導體推出面向射頻能量應用的ISM訊號產生器IC (2018.04.09)
埃賦隆半導體（Ampleon）宣佈推出BLP25RFE001小訊號產生器IC，它提供一個可程式頻率合成器，可產生位於433、915和2,400MHz ISM頻段內的訊號。該器件特別設計用於各種射頻能量應用，例如工業加熱、解凍和烹飪以及電漿照明 |
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埃賦隆半導體參加EDI CON 2018大會 (2018.03.07)
埃賦隆半導體（Ampleon）宣佈其參加3月20日至3月22日在中國北京舉行的電子設計創新大會（EDI CON）的詳細資訊。
埃賦隆半導體所在的630號展位，位於中國國家會議中心的4樓，將會佈置一系列的熱門產品和演示 |
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安譜隆SOT502 ISM頻段小型射頻功率放大器 可提供600W功率 (2018.02.09)
安譜隆半導體（Ampleon）推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器電晶體。
這是第一款採用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS製程的射頻能量電晶體——該節點已為大幅提高效率、功率和增益做了優化 |
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安譜隆半導體 投資者結構更新 (2017.12.06)
安譜隆半導體（Ampleon）最近對新股東奧瑞德光電股份有限公司的股權轉讓，所帶來的現狀進行澄清，目前正在履行正常的財務手續，待批准後，預計將於2018年中期完成。北京建廣資產管理有限公司（JAC）目前正在管理所有股東，並將繼續進行管理 |
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Ampleon建立全球射頻電源合作夥伴 (2015.12.08)
Ampleon公司宣佈，北京建廣資產有限公司成功收購恩智浦半導體的RF電源業務之後，建立了Ampleon公司全球業務運作。Ampleon公司即日起負責全部的射頻（RF）電源業務活動，包括LDMOS和GaN RF電源產品的銷售和支援 |
