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Littelfuse超級結X4-Class 200V功率MOSFET具有低通態電阻 (2024.11.26)
工業技術製造公司Littelfuse推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET。這些新元件在目前200V X4-Class超級接面MOSFET的基礎上進行擴展，有些具有最低導通電阻。由於這些MOSFET具有高電流額定值，設計人員能夠採用它們來取代多個並聯的低額定電流元件，進而簡化設計流程，提高應用的可靠性和功率密度 |
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意法半導體三相馬達驅動器整合評估板加速強化性能 (2024.11.11)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出三相馬達驅動器PWD5T60，搭配支援靈活控制策略的即用型評估板，可加速採用節能馬達之小尺寸以及可靠的風扇和幫浦開發速度。PWD5T60的運作電壓達500V，整合一個閘極驅動器和六個RDS(ON) 1.38?的功率MOSFET，使該元件能夠達到出色的額定能量面積比例 |
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貿澤電子推新品：2024年Q3新增近7,000項元件 (2024.10.29)
貿澤電子（Mouser Electronics）協助客戶加快產品上市速度。貿澤受到超過1,200個半導體及電子元件製造商品牌的信賴，幫助他們將新產品賣到全世界。貿澤為客戶提供100%通過認證的原廠產品，而且還能追蹤這些產品自離開製造商工廠以後的完整路線 |
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瑞薩與英特爾合作為新款Intel Core Ultra 200V系列處理器提供最佳化電源管理 (2024.10.24)
瑞薩電子（Renesas Electronics）宣布與英特爾合作推出新的電源管理解決方案，為採用Intel Core Ultra 200V系列處理器的筆記型電腦提供最佳化電池效率。
新款客製化電源管理IC（PMIC）可滿足最新一代英特爾處理器的所有電源管理需求 |
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意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求，還針對電動車（EV）動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化，在功率效率、功率密度及穩定性上樹立全新的標竿 |
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Diodes新款高額定電流負載開關為數位 IC智慧供電 (2024.06.06)
Diodes 公司擴展DML30xx 智慧負載開關系列推出四款新產品：DML3008LFDS、DML3010ALFDS、DML3011ALFDS 與 DML3012LDC，可針對 0.5V 至 20V 的電源軌達成高電流 (10.5A 至 15A)電源域開關控制。透過這些元件的嵌入式功能，可以高效處理有關微控制器、顯示卡、ASIC、FPGA 與記憶體晶片供電的多樣需求 |
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2024.5(第390期)PCIe 6.0—高速數位傳輸 (2024.05.07)
AI對運算速度和數據處理有極高要求，
PCIe在AI伺服器或AI PC將扮演關鍵。
PCIe 7.0優勢是更高的傳輸性能，
以及更佳的能源效率。
透過高速訊號測試設備，
能提供PCIe完整測試驗證 |
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P通道功率MOSFET及其應用 (2024.04.17)
本文透過對N通道和P通道MOSFET進行比較，並介紹說明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目標應用。 |
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英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飛凌科技（Infineon）推出最新先進功率 MOSFET 技術— OptiMOS 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高，和採用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2SMD封裝 |
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Littelfuse超低功耗負載開關IC系列可支援延長電池壽命 (2023.12.28)
Littelfuse公司最新發佈保護積體電路（IC）產品系列中的五款多功能負載開關元件。這些新型負載開關IC是額定電流為2和4A的超高效負載開關，整合真正反向電流阻斷(TRCB)和壓擺率控制功能 |
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Littelfuse新款光隔離光伏驅動器為隔離開關應用提供浮動電源 (2023.12.04)
Littelfuse公司推出新款光隔離光伏驅動器FDA117可產生浮動電源，適用於各行各業隔離開關應用。FDA117專為使用浮動電壓源控制分立式標準功率MOSFET和IGBT裝置設計，可確保低壓驅動輸入側和高壓負載輸出側之間的隔離 |
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博格華納採用ST碳化矽 為Volvo新電動車設計Viper功率模組 (2023.09.08)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）將與博格華納（BWA）合作，為其專有的Viper功率模組提供最新的第三代750V碳化矽（SiC）功率MOSFET晶片。該功率模組用於博格華納為Volvo現有和未來多款電動車型設計的電驅逆變器平台 |
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氮化鎵在採用圖騰柱 PFC 的電源設計中達到高效率 (2023.08.04)
世界各地的政府法規要求在交流/直流電源中使用 PFC 級，藉以促進從電網獲得潔淨電力。PFC 對交流輸入電流進行調整以遵循與交流輸入電壓相同的形狀... |
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STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET 質量因數提升40% (2023.06.15)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）之新款STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET擁有極低的閘極－漏極電荷（QGD）和導通電阻RDS（on），質量因數（Figure of Merit，FoM）相較上一代同類產品提升40% |
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英飛凌推出新雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的開關式電源（SMPS）透過採用圖騰柱PFC級中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉換要求的氮化鎵（GaN）功率開關等最新技術，使得功率密度可以達到100 W/inch3 |
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英飛凌針對汽車應用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19)
英飛凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列，作為最新一代適合汽車應用的功率MOSFET，提供多種無引腳、強固的功率封裝。該系列產品採用了300毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比於其它採用微型封裝的元件，具有顯著的性能優勢 |
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ST：內部擴產與製造外包並進 全盤掌控半導體供應鏈 (2023.05.18)
技術研發和製造策略是ST達成營收目標的關鍵要素之一。透過不斷投資具有競爭力的專利技術，擴大內部產能，輔之以外包加工。這是ST在半導體策略上的致勝關鍵。 |
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Diodes推出同步降壓轉換器 提高汽車負載點產品應用效率 (2023.03.16)
Diodes公司推出兩款全新同步降壓轉換器。面向汽車負載點（PoL）產品應用的DIODES AP66200Q及DIODES AP66300Q，涵蓋從3.8V到60V寬大的輸入電壓範圍。這使得12V、24V和48V的汽車系統都可以應用 |
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隔離式封裝的優勢 (2023.02.09)
本文說明高功率半導體的先進封裝有效提升效率及效益的技術與列舉應用範例。 |
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東芝推出汽車 40V N 溝道功率 MOSFET採用新型高散熱封裝 (2023.01.31)
近年來，電動汽車的進展推動對於適應汽車設備功耗增加的組件的需求。東芝電子推出汽車40V N溝道功率 MOSFET—XPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它們使用新的 L-TOGL（大型晶體管外形鷗翼引線）封裝，並且具有高漏極電流額定值和低導通電阻，今日開始供貨 |
