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英飛凌推出超低雜訊XENSIV TLE4978混合式霍爾與線圈電流感測器，為新一代電力系統提供助力 (2026.04.02)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出TLE4978系列無芯隔離式磁電流感測器，進一步擴展其XENSIV感測器產品組合

意法半導體全新 STM32 系列重新定義入門級微控制器效能與價值，推動各類智慧裝置升級 (2026.03.09)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱 ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新一代入門級微控制器（MCU），進一步提升遍布工廠、家庭、城市與各類基礎建設中的數十億智慧裝置效能，同時兼顧嚴格的成本、尺寸與功耗限制

英飛凌碳化矽功率半導體成功應用於豐田 bZ4X 新車款 (2026.03.03)
英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣佈，全球最大汽車製造商豐田 (TOYOTA) 已在其新款車型bZ4X中採用了英飛凌CoolSiC MOSFET（碳化矽功率MOSFET）產品

ROHM融合台積電先進製程加強GaN功率元件供應能力 (2026.03.02)
半導體製造商ROHM融合自家GaN功率元件開發和製造技術，以及合作夥伴台積公司（TSMC）的製程技術，在集團內部建立一體化生產體系。透過取得台積公司的GaN技術授權，ROHM將進一步增強相應產品的供應能力，進而滿足AI伺服器和電動車等領域對GaN產品的需求

英飛凌：氮化鎵將重塑電力電子 2030年市場上看30億美元 (2026.02.10)
根據英飛凌科技近期發布的《2026年GaN技術展望》，氮化鎵（GaN）正快速從新興材料轉變為主流功率半導體技術，推動電力電子產業進入高效率、高功率密度與小型化的新階段

英飛凌CoolSiC MOSFET 750 V G2系列提供超低導通電阻和新型封裝 (2026.01.27)
為了提供汽車和工業電源應用超高系統效率和功率密度，英飛凌科技（Infineon）推出全新封裝CoolSiC MOSFET 750V G2系列。該系列現提供 Q-DPAK、D2PAK等多種封裝，產品組合覆蓋在25°C情況下的典型導通電阻(RDS(on))值60 mΩ

Littelfuse推出快速切換、低輸入電流緊湊型繼電器CPC1056N (2025.12.30)
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工業技術製造公司，致力於為永續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出固態繼電器CPC1056N，這是一款緊湊、高效能的60V、75mA 1-A型固態繼電器（SSR），旨在滿足下一代電子系統對快速、高效和節省空間的開關解決方案日益增長的需求

Molex MX150中壓連接器同一外形尺寸支援48V車用佈線 (2025.12.28)
在臺灣與亞洲主要汽車與商用車市場，車用電子系統持續朝向高密度整合與模組化發展。工程師除了必須在有限空間內導入更多 ECU、感測器與電力模組，此外，也承受來自整車廠與 Tier 1 對於組裝效率與成本控管的雙重壓力

Molex新款MX150中壓連接器以同尺寸支援48V車載架構、提升佈線效率與可靠性 (2025.12.08)
在車輛電子快速演進的時代，通用性與耐用性是必要的設計基礎，工程師在有限空間內整合更多電控模組的壓力與日俱增，同時必須兼顧更快量產速度與更低製造成本。面對電動車、先進駕駛輔助系統（ADAS）、智慧照明與zonal architecture等架構崛起，車用連接器的重要性正被重新定義

Power Integrations 詳細介紹用於新一代 800 VDC AI 資料中心的 1250 V 與 1700 V PowiGaN 技術 (2025.10.31)
Power Integrations (NASDAQ：POWI)，這家節能型功率轉換領域的高壓積體電路領導廠商，今日展示了其 PowiGaN 氮化鎵技術對於新一代 AI 資料中心的優點。Power Integrations 在聖荷西舉辦的 2025 OCP Global Summit 上發佈的新白皮書說明了 1250 V 和 1700 V PowiGaN 技術對於 800 VDC 電源架構的優勢，NVIDIA 在本次大會上提供了 800 VDC 架構的更新