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英特爾發表3伏特Intel StrataFlash 快閃記憶體 (1999.08.09)
英特爾公司發表3伏特Intel StrataFlash快閃記憶體，該產品採用先進的0.25微米製程與多階微細胞技術，故能在單一高密度的128Mb晶片上兼具程式碼執行與資料儲存能力。此支援Page Mode功能之NOR Flash快閃記憶元件不僅提供最大的儲存容量


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