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保護智財權 英飛凌向爾必達提出專利侵權訴訟 (2010.02.24)
英飛凌23日宣佈,該公司及其子公司英飛凌科技北美分公司已於2010年2月19日向美國國際貿易委員會(ITC)遞交起訴書,稱爾必達(Elpida Memory Inc.)製造並向美國進口銷售的某些DRAM半導體產品侵犯了英飛凌在半導體製程和元件製造方面四項重要發明專利,涉嫌不公平貿易
Apacer發表新款雙通道DDR3超頻記憶體模組 (2010.02.01)
宇瞻科技(Apacer)推出全新「第二代Giant系列雙通道DDR3超頻記憶體模組」,幫助遊戲玩家打造極速超快感的桌上型電腦遊戲平台。宇瞻此款「第二代Giant系列雙通道DDR3超頻記憶體模組」除延續Giant系列巨型散熱片的設計
iSuppli公佈2008年全球前20大半導體商排名 (2008.12.02)
外電消息報導,市場研究公司iSuppli公佈了2008年全球前20大半導體商排名。其中英特爾以12.8%的市佔率穩坐第一,其次為三星電子的6.7%,第三為德州儀器的4.3%。而在前20大半導體供應商中,記憶體IC供應商的營收下滑幅度最大,海力士半導體則是表現最差的廠商,其排名下降了三個位置,來到第九名
爾必達DRAM全球佔有率可望達到20% (2008.11.03)
爾必達的DRAM全球佔有率在2008年第二季(4~6月)約15%,第三季(2008年10~12月)將達20%。根據iSuppli調查顯示,2008年第二季DRAM全球佔有率,以營收估算,第一名的三星電子佔30.3%,第二名的海力士半導體佔19.5%,第三位是爾必達記憶體佔15.4%
爾必達與奇夢達將合作開發新一代DRAM (2008.04.29)
DRAM產業將有一番重組了。據了解,全球第三大廠德國奇夢達與第四大廠商爾必達記憶體將就合作開發DRAM技術簽署備忘錄,並將在近期正式簽訂協議。備忘錄內容將包括:合作開發40nm製程以下的DRAM產品、並包括設計和製程技術在內的IP交叉授權,未來並將成立合資工廠,共同生產產品並統合經營策略等
聯電技術授權爾必達 廣島廠產能將用於代工 (2008.03.20)
爾必達與聯電(UMC)就合作發展日本的晶片代工業務達成協議。據了解,爾必達將獲得聯電的IP內核與先進邏輯技術,在廣島爾必達記憶體的12吋晶圓廠(E300 Fab)進行晶圓生產
RAMBUS XDR記憶體架構獲德州儀器DLP投影機系統採用 (2007.06.20)
全球高速晶片設計技術授權公司Rambus宣佈XDR記憶體架構已經獲得德州儀器技術採用。由應用XDR記憶體架構的DLP晶片所驅動的投影機,能帶來高度的鮮豔色彩和影像品質,非常適合播放電影、運動節目、遊戲以及數位相片
日本爾必達將在明年初決定新廠落腳何處 (2006.08.01)
根據路透社消息指出,全球第五大動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片製造商-日本爾必達記憶體(Elpida Memory)於2006年8月1號表示,將在明年初以前決定新晶片廠,在海外選擇方面,考量過稅率和補貼事宜後,目標縮小到三個地方,考量的建廠地點包括台灣、中國和新加坡
Rambus看上歐洲消費電子市場 (2006.05.19)
Rambus是技術授權公司,專門從事高速IC介面的發明及設計。Rambus的總部設於美國加州的洛斯拉圖斯(Los Altos)。在全球許多地區均設立據點。近日因看中歐洲消費性電子市場,於1月設立第一間辦事處,將持續擴大服務範圍,希望可以更著重在歐洲的消費性產品市場方面
茂矽於美國提出IP侵權案 (2002.05.16)
美國國際貿易委員會目前正在著手調查一樁由台灣茂矽電子公司所提出的侵害半導體專利權案,國際貿易委員會官員指出,委員會議已經投票通過對這個涉及半導體記憶裝置,以及含有記憶體裝置的案子展開調查,調查案中所謂的半導體記憶裝置是指DRAM、SDRAM、快閃記憶體以及含有它們的產品
NEC與Hitachi合作生產DRAM (2000.11.29)
恩益禧(NEC)與日立(Hitachi)於28日表示,兩家公司將花費14億5千萬美元於Hiroshiam合資設立一工廠,並從2002年開始,生產下一代的DRAM記憶體晶片。 上述工廠由介於NEC與Hitachi兩家公司的合資企業Elpida Memory來主導,而Elpida Memory將於十二月設置完成


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