半導體C-V測試之提示, 竅門及量測陷阱

半導體C-V測試之提示, 竅門及量測陷阱
閱覽人次:8565

【課程簡介】：
     這個研討會是設計為介紹電容電壓測試這個主題，主要為其與半導體元件及材料特性的關聯。電容電壓測試普遍被使用來決定半導體參數，如摻雜濃度分布、介面能階密度、起始電壓、氧化物電荷、和載子生命期。
      這次研討會將幫助你改善 ,診斷和確認C-V量測系統. 並討論如何得到良好C-V量測資料.
      探討的主題包括系統建立和另外談到其他C-V應用,如高壓CV及準靜態CV.
     此次研討會參與者 , 將會學習及瞭解如下 :
     Connecting a C-V instrument to a probe station properly 如何適當地連接 C-V儀器至探針系統
     Common cable correction techniques 訊號線連接修正技術
     Performance verification at the probe tips 如何確認修正訊號至探針
     Identifying and troubleshooting typical C-V errors 辨認及診斷典型CV錯誤
     Implementing extended C-V applications, such as high voltage and quasistatic C-V 另外談到其他C-V應用,如高壓CV和準靜態CV

【課程費用】： 此為免費課程

【講義下載】：

相關課程

04/02 TDR? VNA? 一個按鈕解決高速數位連接符合性驗證!

動輒5Gb/s（甚至10Gb/s）以上的高速數位時代已經來臨。這些高速資料傳輸技術雖大大提高了效能及帶來生活的便利，但也於信號完整性及相容性的設計與測試上帶來空前嚴峻的挑戰

活動時間: 2012年4月2日 (詳細內容)

11/14 理解電氣量測的基礎原理

有許多人需要進行電氣量測，但是他們不一定是該領域的專家。數不清的應用常常要求電流、電壓、電阻率、溫度等性能量測到不易實現的質量等級。無論選擇測試設備，設計測試系統還是使用現有設備進行量測，您都需要瞭解基本的檢查以確保最終量測符合測試要求

活動時間: 25分 (詳細內容)

04/29 霍爾效應測量基礎

這個研討會是設計為介紹電容電壓測試這個主題，主要為其與半導體元件及材料特性的關聯。電容電壓測試普遍被使用來決定半導體參數，如摻雜濃度分布、介面能階密度、起始電壓、氧化物電荷、和載子生命期

活動時間: 52分鐘56秒 (詳細內容)

04/29 半導體電容-電壓測試基礎

這個研討會是設計為介紹電容電壓測試這個主題，主要為其與半導體元件及材料特性的關聯。電容電壓測試普遍被使用來決定半導體參數，如摻雜濃度分布、介面能階密度、起始電壓、氧化物電荷、和載子生命期

活動時間: 40分鐘51秒 (詳細內容)

04/02 標準畫質與高畫質 SDI 環境中的關鍵量測

The transition to digital video and from standard to high definition formats poses new technical challenges for television professionals. This presentation compares standard and high definition, gives examples of relevant measurements for each, and describes tools available in Tektronix products

活動時間: 線上觀看 (詳細內容)