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三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品 (2024.11.12)
三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric)宣布,將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 (SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)裸晶片樣品11月14日,三菱電機推出電動車(EV)、插電式混合動力車(PHEV)和其他電動車(xEV)的逆變器
SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽(SiC)市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。
ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長,尤其是在永續經營和急需創新的市場方面,先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展(electronica 2024),展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術,並進行技術交流合作
ROHM的EcoSiC導入COSEL的3.5Kw輸出AC-DC電源產品 (2024.10.30)
半導體製造商ROHM生產的EcoSiC產品—SiC MOSFETSiC蕭特基二極體(SBD),被日本先進電源製造商COSEL生產的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元「HFA/HCA系列」採用。強制風冷型HFA系列和傳導散熱型HCA系列均搭載ROHM的SiC MOSFETSiC SBD,實現最大的工作效率(94%)
貿澤電子推新品:2024年Q3新增近7,000項元件 (2024.10.29)
貿澤電子(Mouser Electronics)協助客戶加快產品上市速度。貿澤受到超過1,200個半導體及電子元件製造商品牌的信賴,幫助他們將新產品賣到全世界。貿澤為客戶提供100%通過認證的原廠產品,而且還能追蹤這些產品自離開製造商工廠以後的完整路線
英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC (2024.10.28)
許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時,也朝向更高的功率水準。因應此需求,英飛凌科技(Infineon)推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5,這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體,適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用,額定電流為10 A 至80 A,符合光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用
Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列 (2024.10.22)
工業技術製造公司Littelfuse推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極體,為市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案,專為保護碳化矽(SiCMOSFET柵極免受過壓事件影響而設計
英飛凌HybridPACK Drive G2 Fusion結合矽和碳化矽至電動汽車先進電源模組 (2024.10.16)
英飛凌科技推出HybridPACK Drive G2 Fusion,為電動汽車領域的牽引逆變器確立新的電源模組標準。HybridPACK Drive G2 Fusion是首款結合英飛凌矽(Si)和碳化矽(SiC)技術,可隨插即用的電源模組
意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體(STMicroelectronics;ST)正式推出第四代STPOWER碳化矽(SiCMOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求,還針對電動車(EV)動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化,在功率效率、功率密度及穩定性上樹立全新的標竿
數位電源驅動雙軸轉型 綠色革命蓄勢待發 (2024.10.01)
CTIMES日前舉辦了「數位電源驅動雙軸轉型:電子系統開發的綠色革命」為主題的東西講座研討會,此次會議深入探討了數位電源技術在推動電子系統開發的雙軸轉型中的關鍵作用,即實現更高的能源效率和更快的產品創新
電動壓縮機設計核心-SiC模組 (2024.09.29)
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心零組件,對於電驅動系統的溫度控制具有重要作用,對電池的使用壽命、充電速度和續航里程均至關重要,本文主要討論SiC MOSFET 離散元件方案
用於快速評估三相馬達驅動設計的靈活平台 (2024.09.29)
為了實現環境目標並減少排放,世界各國政府紛紛推出立法,要求提高電動馬達的效率。
ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC,非常適用於工業設備的AC-DC電源。目前已有支援多種功率電晶體共4款新產品投入量產,包括低耐壓MOSFET驅動用「BD28C55FJ-LB」、中高耐壓MOSFET驅動用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驅動用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驅動用「BD28C57HFJ-LB」
意法半導體新車規單晶片同步降壓轉換器讓應用設計更彈性化 (2024.08.29)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)推出新系列汽車級降壓同步DC/DC轉換器,新產品有助於節省電路板空間,簡化車身電子、音訊系統和逆變器閘極驅動器等應用設計。A6983轉換器系列包括六款低功耗、低雜訊非隔離型降壓轉換器和一款隔離型降壓轉換器A6983I
ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片導入吉利電動車三款主力車型 (2024.08.29)
半導體製造商ROHM內建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組,成功導入至浙江吉利控股集團(以下稱吉利)的電動車(以下稱EV)品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款車型的主機逆變器
ROHM推出車電Nch MOSFET 適用於車門座椅等多種馬達及LED頭燈應用 (2024.08.28)
在汽車領域,隨著安全性和便利性的提高,電子產品逐漸增加,電子元件數量也與日俱增,而為了提高燃油效率和降低電耗,更是要求需降低上述產品的功耗。其中針對車電開關應用不可或缺的MOSFET市場,對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求逐漸高漲
為綠氫製造確保高效率且穩定的直流電流 (2024.08.27)
本文探討綠氫的原理,並且展示如何運用功率組件,將環保能源的輸入轉換為具有產生綠氫所需特性的穩定電力輸出。
英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧(AI)處理器對功率的要求日益提高,伺服器電源(PSU)必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率,因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年,每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上
意法半導體於義大利打造世界首座一站式碳化矽產業園區 (2024.06.24)
意法半導體(STMicroelectronics,ST),將於義大利卡塔尼亞打造一座結合8吋碳化矽(SiC)功率元件和模組製造、封裝、測試於一體的綜合性大型製造基地。透過整合同一地點現有之碳化矽基板製造廠,意法半導體將打造一個碳化矽產業園區,達成在同一個園區內全面垂直整合製造及量產碳化矽之願景
Littelfuse新款低側柵極驅動器適用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低側SiC MOSFET和IGBT閘極驅動器IX4352NE,這款創新的驅動器專門設計用於驅動工業應用中的碳化矽(SiCMOSFET和高功率絕緣柵雙極電晶體(IGBT)。IX4352NE的主要優勢在於其獨立的9A拉/灌電流輸出,支援量身定制的導通和關斷時序,同時將開關損耗降至最低


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