CTIMES - 搜尋：SMD

DELO證明粘合劑為miniLED焊接替代方案的可行性 (2024.10.28)
由於顯示產業在連接SMD元件時仍然依賴焊料。但是，隨著晶片越來越小，miniLED 應用進入大規模量產，microLED即將問世，焊料等各向同性導電材料在這種應用規模下，很快就無法避免出現短路

Littelfuse首創業界超大電流小尺寸SMD保險絲871系列 (2024.10.16)
Littelfuse公司推出871系列超大電流SMD保險絲，這項創新系列是對881系列的補充，提供150A和200A保險絲額定電流，是對881系列125A最大額定電流的重大升級。871保險絲系列為電子設計人員提供單一保險絲、表面安裝解決方案，無需並聯保險絲配置

英飛凌XENSIV PAS CO₂ 5V感測器提高建築效能及改善空氣品質 (2024.10.11)
在全球的能源消耗和碳排放量當中，建築占據大部分的比例，為了推動低碳化進程，必須提高建築的能源效率，而創新的解決方案能夠優化能源消耗和維持室內環境的空氣品質

DELO證明黏合劑為miniLED焊接替代品的可行性 (2024.09.10)
DELO內部進行可行性研究，使用定向導電黏合劑對miniLED晶片進行電氣和機械連接。結果顯示，在亮燈測試期間具有可靠的黏合強度和高良率。這些發現顯示黏合劑顯然可以改善miniLED顯示器的製造，使其更好地適應大眾市場，並為大規模microLED顯示器生產開闢道路

Bourns新款車規級薄膜晶片電阻符合AEC-Q200標準 (2024.08.26)
為了滿足汽車、手機、SD卡、DDR記憶體和相機模組等應用需求對小型、高精度電阻的日益增長。美商柏恩Bourns全新推出符合AEC-Q200標準的車規級薄膜晶片電阻系列。Bourns CRT-A系列相較於傳統的通孔型電阻，提供更高的電阻公差精度和溫度係數（TCR）

英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飛凌科技（Infineon）推出最新先進功率 MOSFET 技術— OptiMOS 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高，和採用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2SMD封裝

Littelfuse超小型包覆成型磁簧開關適用於空間受限設計 (2024.02.27)
Littelfuse公司推出59177系列超小型包覆成型磁簧開關，為設計人員提供高度靈活性，滿足空間受限的應用需求。憑藉緊湊型設計和低功耗，59177系列磁簧開關為各類高速開關應用提供可靠的解決方案

通過車用被動元件AEC-Q200規範的測試要點 (2023.12.25)
想知道最新AEC-Q200改版，到底改了什麼嗎? 又該如何測試才能通過AEC-Q200驗證，打入大廠車用供應鏈呢？

高功率鋰離子電池適用的碩特UHP-SMD保險絲 (2023.12.07)
在電子領域，尤其是汽車產業，正不斷提升對高達48伏直流高性能解決方案的需求。為了可靠地保護更高的工作電流，碩特（SCHURTER）精心設計的UHP保險絲，可在兩倍額定電流的情況下斷開電路，一切最多只要15秒就可以完成

Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐，為採用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件

頂部散熱MOSFET助提高汽車系統設計的功率密度 (2023.11.20)
本文討論頂部散熱（TSC）作為一種創新的元件封裝技術能夠如何幫助解決多餘熱量的散熱問題，從而在更小、更輕的汽車中實現更高的功率密度。

淨零轉型再添實績工研院助仁儀建置CO2捕獲與再利用驗證場域 (2023.11.09)
在經濟部產業技術司科技專案計畫補助下，工研院與仁儀公司建置二氧化碳（CO2）捕獲及再利用示範驗證場域，進行碳循環再利用技術驗證，將產業界排放的CO2做為原料並轉化應用發電

Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件

Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI應用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款採用TOLL封裝的SuperGaN氮化鎵場效應管（FET），導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合業界標準，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解決方案

Littelfuse新型汽車級400 W瞬態抑制二極體採用表面貼裝式封裝 (2023.08.15)
汽車電子產品的數量和複雜程度不斷增加，而所有相關元件都需要針對高電壓、高能瞬態的保護力。工業技術製造公司Littelfuse推出新型SZSMF4L 400 W瞬態抑制二極體系列。 SZSMF4L瞬態抑制二極體具有快速回應時間、低齊納阻抗、高浪湧處理能力和出色的鉗位能力，可為這些敏感系統提供保護；其低洩漏電流同時也能夠保護感測器

高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET應用效能 (2023.08.01)
本文重點介紹Littelfuse提供2 kV以上的高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET。

英飛凌推出靜態開關用的全新工業級和車規級高壓超接面MOSFET (2023.07.31)
在靜態開關應用中，電源設計著重於得以降低導通損耗、優化熱性能、實現精簡輕便的系統設計；英飛凌科技（Infineon）正擴大其CoolMOS S7 系列高壓超接面（SJ）MOSFET 的產品陣容因應所需

Littelfuse推出LTKAK2-L系列大功率瞬態電壓抑制二極體 (2023.06.13)
Littelfuse公司宣佈推出最新產品LTKAK2-L系列大功率瞬態電壓抑制二極體（TVS Diodes），其採用表面貼裝（surface mount）的解決方案滿足了市場對相容自動化PCB組裝製程的高浪湧額定值TVS二極體的需求

Littelfuse推出3425L系列SMD自恢復PPTC過電流保護元件 (2023.05.17)
Littelfuse宣佈推出3425L系列表面貼裝（SMD）自恢復PPTC（聚合物正溫度係數）過電流電路保護元件。最新的3425L系列SMD PPTC是Littelfuse PolySwitch系列自恢復過電流保護元件的擴展項目，它以小型的表面貼裝8763mm（3425 密耳）尺寸提供可自恢復的高電壓過電流保護性能

英飛凌QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝註冊為JEDEC標準 (2023.04.14)
追求高效率的高功率應用持續往更高功率密度及成本最佳化發展，也為電動車等產業創造了永續價值。為了應對相應的挑戰，英飛凌今日宣布其高壓MOSFET適用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻（TSC）封裝已成功註冊為JEDEC標準