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為綠氫製造確保高效率且穩定的直流電流 (2024.08.27)
本文探討綠氫的原理，並且展示如何運用功率組件，將環保能源的輸入轉換為具有產生綠氫所需特性的穩定電力輸出。 |
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Littelfuse新款低側柵極驅動器適用於SiC MOSFET和高功率IGBT (2024.06.13)
Littelfuse公司推出低側SiC MOSFET和IGBT閘極驅動器IX4352NE，這款創新的驅動器專門設計用於驅動工業應用中的碳化矽（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極電晶體（IGBT）。IX4352NE的主要優勢在於其獨立的9A拉/灌電流輸出，支援量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低 |
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電動壓縮機設計—ASPM模組 (2024.04.25)
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用，本文重點探討逆變電路ASPM模組方案。 |
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自走式電器上的電池放電保護 (2023.11.26)
使用MOSFET作為理想二極體，能夠為新一代自動化電器提供穩健可靠的安全防護。 |
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增SiC和IGBT！ROHM官網可提供超過3,500種LTspice模型 (2023.10.27)
近年來，在電路設計中使用電路模擬的機會越來越多，可運用的工具種類也琳瑯滿目。其中LTspice為具有代表性的電路模擬工具之一，電路模擬工具已成功嵌入功率元件，大幅提高設計便利性，其用戶包括學生到專業工程師等廣大族群 |
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三菱電機獲變頻站訂單 強化互聯互通穩定不同頻率的電網 (2023.10.02)
三菱電機（Mitsubishi Electric）已獲得J-Power Transmission Network公司的合同，為該項目提供300MW電壓源換流器（VSC）高壓直流（HVDC）輸電設備靜岡縣濱松市的新佐久間變頻站。該系統預計將於2028年3月底投入使用 |
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投身車電領域的入門課：IGBT和SiC功率模組 (2023.05.19)
隨著2021年全球政府激勵政策和需求上升，正推動亞太、北美和歐洲地區的電動車市場穩步擴大。作為電能轉換的關鍵核心，IGBT和SiC模組極具市場潛力。 |
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TI透過SiC閘極驅動器讓電動車行駛里程最大化 (2023.05.16)
德州儀器（TI）推出一款高效、符合功能安全要求的絕緣式閘極驅動器，使工程師能夠設計出更有效率的牽引逆變器，將電動車（EV） 的行駛里程最大化。新式強化型絕緣式閘極驅動器 UCC5880-Q1 提供的整合功能使電動車動力系統工程師能夠提高功率密度，降低系統設計複雜性和成本，同時實現其安全和性能目標 |
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安森美與大眾汽車集團就電動車SiC技術達成策略協議 (2023.01.31)
安森美（onsemi）宣佈與德國大眾汽車集團 (VW)簽署策略協定，為大眾汽車集團的下一代平台系列提供模組和半導體元件，以實現完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統最佳化的一部分，形成能夠支援大眾車型前軸和後軸主驅逆變器的解決方案 |
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Microchip新型一體化混合動力驅動模組滿足電動航空應用 (2023.01.30)
電動飛機（MEA）設計製造商希望將飛行控制系統從液壓轉換為電動，以減輕重量和設計複雜性。為了滿足航空應用對整合和可配置電源解決方案的需求，Microchip今（30）日推出一款全新的綜合性混合動力驅動模組，可減少開發時間和重量，這是全新電源元件產品系列的首款型號 |
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恩智浦推出高效S32K39系列車用MCU 滿足未來電氣化需求 (2022.11.30)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）宣佈推出全新S32K39系列車用微控制器（MCU），該系列MCU針對電動車（EV）控制應用進行最佳化。新一代S32K39 MCU的高速、高解析度控制可提升能效，在延長行駛里程的同時，提供更順暢的電動車駕駛體驗，滿足未來電氣化需求 |
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ST推出64通道超音波發射器 縮小掃描器尺寸並提升影像畫質 (2022.11.03)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出具有新功能之64通道超音波發射器，使攜帶式高性能工業與醫療用儀器更加便利，影像畫質更加清晰。
現在的攜帶型掃描器的尺寸到幾乎等同於一台智慧型手機，且其影像畫質可媲美過去昂貴的大型影像掃描系統 |
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Transphorm獲得美國能源部合約 提供新型四象限氮化鎵開關管 (2022.09.05)
Transphorm宣布贏得一份美國能源部先進能源研究計畫署(ARPA-E)的合約。該專案是ARPA-E CIRCUITS計畫的一部分，透過與伊利諾理工學院的轉包合約展開，包括提供採用氮化鎵的四象限雙向開關管(FQS) |
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瑞薩推出新一代用於電動汽車逆變器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞薩電子（Renesas Electronics）宣布開發新一代矽絕緣柵雙極電晶體（Si-IGBT），以提供低功率損耗且小型的封裝。針對新一代電動汽車（EV）逆變器的AE5 IGBT將於2023年上半年開始在瑞薩位於日本那珂市工廠的200和300毫米產線上生產 |
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SiC牽引逆變器降低功率損耗和熱散逸 (2022.08.25)
本文說明如何在EV牽引逆變器中驅動碳化矽（SiC）MOSFET，透過降低電阻和開關損耗來提高效率，同時增加功率和電流密度。 |
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以碳化矽MOSFET實現閘極驅動器及運作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驅動方式與傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體（IGBT）不同，本文敘述在碳化矽應用進行閘極驅動時，設計人員如何確保驅動器具備足夠的驅動能力。 |
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TI：SiC MOSFET可減少功率損耗和熱散逸 (2022.08.11)
隨著電動車（EV）製造商之間為了開發成本更低、續航里程更長的車型所進行的競爭日益激烈，電力系統工程師必須設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率，來提升續航里程並增加競爭優勢 |
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功率半導體元件的主流爭霸戰 (2022.07.26)
多年來，功率半導體以矽為基礎，但碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體元件的應用更為多元。 |
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以模型為基礎的設計方式改善IC開發效率 (2022.04.25)
以模型為基礎的設計開發，在Simulink建立模型並模擬混和訊號IC設計、受控體和微機電系統（MEMS），本文展示馬達和感測器的範例。 |
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推動智慧製造達到更高彈性、生產力及永續性 (2021.11.30)
在工具機與工業機器人領域的應用，運動控制的演進隨著自動化複雜度升高而加速，得以為智慧製造提供更高的生產力、彈性及自主性。 |
