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三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品 (2024.11.12)
三菱電機株式會社（Mitsubishi Electric）宣布，將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 （SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）裸晶片樣品11月14日，三菱電機推出電動車（EV）、插電式混合動力車（PHEV）和其他電動車（xEV）的逆變器 |
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東芝推出高額定無電阻步進馬達驅動器TB67S559FTG (2024.11.08)
東芝在步進馬達驅動器系列加入新產品TB67S559FTG，該產品支援辦公室自動化設備和工業設備（例如機器人、金融設備等）中使用的恆流控制，無需電流檢測電阻即可控制恆定電流電機已新增 |
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意法半導體新款750W馬達驅動參考板適用於家用和工業設備 (2024.10.27)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新款EVLDRIVE101-HPD（高功率密度）馬達驅動參考設計在直徑僅5公分的圓形PCB電路板上整合三相閘極驅動器、STM32G0微控制器和750W功率級。該電路板的休眠模式下功耗極低 |
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意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求，還針對電動車（EV）動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化，在功率效率、功率密度及穩定性上樹立全新的標竿 |
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貿澤電子供應Toshiba各種電子元件與半導體 (2024.09.18)
貿澤電子（Mouser Electronics）為Toshiba原廠授權代理商，貿澤備有超過7,000種Toshiba產品可供訂購，包括超過3,000種的庫存，提供最多樣化、最新的Toshiba元件產品組合，幫助買家和工程師開發滿足市場需求的產品 |
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緯湃採用英飛凌CoolGaN電晶體打造高功率密度DC-DC轉換器 (2024.09.03)
在電動汽車和混合動力汽車中，少不了用於連接高電壓電池和低電壓輔助電路的DC-DC轉換器，而它對於開發更多具有低壓功能的經濟節能車型也很重要。由TechInsights的資料顯示，2023年全球汽車DC-DC轉換器的市場規模為40億美元，預計到2030年將增長至110億美元，預測期內的複合年增長率為15% |
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ROHM推出車電Nch MOSFET 適用於車門座椅等多種馬達及LED頭燈應用 (2024.08.28)
在汽車領域，隨著安全性和便利性的提高，電子產品逐漸增加，電子元件數量也與日俱增，而為了提高燃油效率和降低電耗，更是要求需降低上述產品的功耗。其中針對車電開關應用不可或缺的MOSFET市場，對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求逐漸高漲 |
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ROHM高可靠性車載Nch MOSFET適用於多種馬達及LED頭燈應用 (2024.08.22)
隨著車用電子元件提高安全性和便利性的需求，為了提高燃油效率和降低電耗，更是要求需降低車用產品的功耗。其中針對車電開關應用不可或缺的MOSFET市場，對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求逐漸高漲 |
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開啟HVAC高效、靜音、節能的新時代 (2024.08.01)
文:本次要介紹的產品，是來自德州儀器（TI）一款業界首創的650V三相智慧功率模組（Intelligent Power Module；IPM）－「DRV7308」，適用於250W馬達驅動器應用。 |
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意法半導體新款高壓側開關整合智慧多功能 提供系統設計高彈性 (2024.05.09)
全球半導體廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出八路高邊開關兼具智慧功能和設計靈活性，每條通道導通電阻RDS(on)（典型值）僅110mΩ，擁有小尺寸，並確保系統效能，還能夠節省PCB 空間 |
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英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飛凌科技（Infineon）推出最新先進功率 MOSFET 技術— OptiMOS 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高，和採用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2SMD封裝 |
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Transphorm新型SuperGaN器件採用4引腳TO-247封裝 (2024.01.18)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm推出兩款採用4引腳TO-247封裝的新型SuperGaN器件—TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET，各別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻，並配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能，因應高功率伺服器、可再生能源、工業電力轉換領域的需求 |
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英飛凌全新 CoolMOS S7T系列整合溫度感測器性能 (2024.01.11)
英飛凌科技（Infineon）推出整合溫度感測器的全新 CoolMOS S7T 產品系列，具有出色的導通電阻和高精度嵌入式感測器，能夠提高功率電晶體接面溫度感測的精度，適用於提高固態繼電器（SSR）應用的性能和可靠性 |
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碳化矽電子保險絲展示板提升電動汽車電路保護效能 (2023.12.25)
電動汽車開發設計人員現在正專注於增強高壓保護電路的效能，並且提高可靠性，而電子保險絲作為電路保護解決方案不斷發展，成為優先採用的方法。 |
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ROHM推出SOT-223-3小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET (2023.12.12)
近年來隨著照明用小型電源和泵浦用馬達的性能提升，對於在應用中發揮開關作用的MOSFET小型化產品需求漸增。半導體製造商ROHM推出採用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」，適用於照明用小型電源、空調、泵浦和馬達等應用 |
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意法半導體STSPIN9系列新款高擴充性大電流馬達驅動晶片量產 (2023.12.08)
全球半導體廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出STSPIN9系列大電流馬達驅動晶片，首波推出兩款產品，應用定位高階工業設備、家電和專業設備。4.5A STSPIN948和5.0A STSPIN958整合PWM控制邏輯電路和58V功率級 |
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Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐，為採用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件 |
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自走式電器上的電池放電保護 (2023.11.26)
使用MOSFET作為理想二極體，能夠為新一代自動化電器提供穩健可靠的安全防護。 |
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Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI應用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款採用TOLL封裝的SuperGaN氮化鎵場效應管（FET），導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合業界標準，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解決方案 |
