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Microchip IGBT 7功率元件組合優化永續、電動出行和資料中心應用設計 (2024.11.13)
因應電力電子系統設計,功率元件不斷發展。Microchip推出採用不同封裝、支援多種拓撲結構及電流和電壓範圍的IGBT 7元件組合,具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的元件尺寸,旨在滿足永續、電動汽車和資料中心等高增長細分市場的需求
ROHM第4代1200V IGBT實現頂級低損耗和高短路耐受能力 (2024.11.12)
近年來,汽車和工業設備朝高電壓化方向發展,市場開始要求安裝在車載電動壓縮機、HV加熱器和工業設備逆變器等應用中的功率元件支援高電壓。半導體製造商ROHM針對車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等,開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101、1200V耐壓、實現業界頂級低損耗和高短路耐受能力的第4代IGBT
ST推廣智慧感測器與碳化矽發展 強化於AI與能源應用價值 (2024.11.11)
面對近年來工業4.0概念持續發展,並加入人工智慧(AI)普及化、節能減碳等熱門議題引發關注,意法半導體(ST)也在近期提出包含MEMS感測器和碳化矽(SiC)等高效解決方案,探討可在邊緣AI領域扮演的關鍵角色,使其更易於普及,讓每個人都能受益
國科會新增10項核心關鍵技術 強化太空、量子、半導體領域保護 (2024.11.03)
為強化國家核心關鍵技術保護,避免國家安全、產業競爭力及經濟發展受損,國科會預告修正「國家核心關鍵技術項目及其技術主管機關」草案,新增10項太空、量子科技、半導體及能源領域之關鍵技術,預告期至11月15日止
ROHM的EcoSiC導入COSEL的3.5Kw輸出AC-DC電源產品 (2024.10.30)
半導體製造商ROHM生產的EcoSiC產品—SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體(SBD),被日本先進電源製造商COSEL生產的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元「HFA/HCA系列」採用。強制風冷型HFA系列和傳導散熱型HCA系列均搭載ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD,實現最大的工作效率(94%)
Nexperia的AC/DC反激式控制器可實現更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高電源效率並降低待機功耗 Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器,擴展電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基於GaN的反激式轉換器而設計,用於PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業電源和輔助電源等設備及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用
AI數據中心:節能減碳新趨勢 (2024.10.28)
面臨GPU及AI資料中心耗費龐大電量,市面上各種冷卻散熱方案終究是治標不治本,而有國內外電源大廠開始從電網的中載變壓器、終端人與物料維運模式溯源減碳的全方位解決方案
DENSO和ROHM針對半導體領域建立戰略合作達成協議 (2024.10.24)
近年來電動車的開發和普及進程加速,帶動汽車電氣化所需的電子元件和半導體的需求也迅速增加。另外,有助交通事故零死亡的自動駕駛和聯網車等領域,也離不開半導體的支援,半導體的重要性日益凸顯
芯動與ROHM簽署車載功率模組戰略合作 推動xEV技術創新 (2024.10.11)
關鍵元件中的SiC被寄予厚望,並逐漸被廣泛應用於核心驅動零件—牽引逆變器。長城汽車旗下的無錫芯動半導體科技與半導體製造商ROHM簽署以SiC為核心的車載功率模組戰略合作夥伴協定
意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體(STMicroelectronics;ST)正式推出第四代STPOWER碳化矽(SiC)MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求,還針對電動車(EV)動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化,在功率效率、功率密度及穩定性上樹立全新的標竿
ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽(SiC)磊晶 (Epi)平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求,具備低缺陷率、高製程穩定性,成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本,促進了碳化矽元件的更廣泛應用
數位電源驅動雙軸轉型 綠色革命蓄勢待發 (2024.10.01)
CTIMES日前舉辦了「數位電源驅動雙軸轉型:電子系統開發的綠色革命」為主題的東西講座研討會,此次會議深入探討了數位電源技術在推動電子系統開發的雙軸轉型中的關鍵作用,即實現更高的能源效率和更快的產品創新
Littelfuse推出高頻應用的雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器 (2024.09.23)
Littelfuse推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET閘極驅動器。這些閘極驅動器專為驅動MOSFET而設計,透過增加其餘兩個邏輯輸入版本完善現有的IX434x驅動器系列。IX434x系列現在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本
ROHM與UAES簽署SiC功率元件長期供貨協議 (2024.09.05)
半導體製造商ROHM與中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems,UAES)簽署了SiC功率元件的長期供貨協議。 UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來,雙方在SiC功率元件的車載應用產品開發方面也建立了合作夥伴關係
ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片導入吉利電動車三款主力車型 (2024.08.29)
半導體製造商ROHM內建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組,成功導入至浙江吉利控股集團(以下稱吉利)的電動車(以下稱EV)品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款車型的主機逆變器
意法半導體新款車規直流馬達預驅動器可簡化EMI優化設計 (2024.08.27)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)新款L99H92車規閘極驅動器提供電流設置和診斷功能所需的SPI埠,還有電荷泵和安全保護功能,新增兩個用於監測系統運作狀態的電流感測放大器
宜特公佈7月合併營收逾3億元 AI為下半年增長的核心驅動力 (2024.08.09)
電子驗證分析企業宜特科技今(/9)日公佈2024年7月營收報告。2024年7月合併營收約為新臺幣3.10億元,較上月減少15.16%,較去年同期增加0.14 %。累計1~7月營收24.33億元,年增率為7.44%
宜特上半年營收新台幣21.22億 積極佈局AI驗證分析領域 (2024.08.05)
宜特2024年上半年,在AI人工智慧、先進封裝、先進製程的佈局有成,且子公司宜錦營運漸入佳績,使得整體營運取得亮眼表現。上半年合併營收21.22億元,突破二十億元新台幣大關,創歷史新高;上半年歸屬於母公司淨利達3.06億元,稅後每股盈餘達4.13元,年增達24.02%
開啟HVAC高效、靜音、節能的新時代 (2024.08.01)
文:本次要介紹的產品,是來自德州儀器(TI)一款業界首創的650V三相智慧功率模組(Intelligent Power Module;IPM)-「DRV7308」,適用於250W馬達驅動器應用。
意法半導體於義大利打造世界首座一站式碳化矽產業園區 (2024.06.24)
意法半導體(STMicroelectronics,ST),將於義大利卡塔尼亞打造一座結合8吋碳化矽(SiC)功率元件和模組製造、封裝、測試於一體的綜合性大型製造基地。透過整合同一地點現有之碳化矽基板製造廠,意法半導體將打造一個碳化矽產業園區,達成在同一個園區內全面垂直整合製造及量產碳化矽之願景


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