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CGD与Qorvo合作开发马达控制应用的GaN叁考设计及评估套件 (2024.06.07)
无晶圆厂洁净技术半导体Cambridge GaN Devices（CGD）致力於开发氮化??（GaN）器件，近日与全球连接和电源解决方案供应商Qorvo合作开发 GaN 在马达控制应用中的叁考设计和评估套件（EVK） |
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CGD与Qorvo合作开发马达控制应用的GaN叁考设计及评估套件 (2024.06.07)
无晶圆厂洁净技术半导体Cambridge GaN Devices（CGD）致力於开发氮化??（GaN）器件，近日与全球连接和电源解决方案供应商Qorvo合作开发 GaN 在马达控制应用中的叁考设计和评估套件（EVK） |
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CGD与工研院合作开发氮化??电源 (2024.05.31)
无晶圆厂洁净技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）与工业技术研究院（ITRI）签署合作备忘录，以巩固双方在开发高性能氮化??USB-PD适配器的合作夥伴关系。
CGD致力於开发多种节能的氮化??（GaN）器件，以实现更环保的电子元件 |
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CGD与工研院合作 共同开发氮化??电源 (2024.05.31)
无晶圆厂洁净技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）与工业技术研究院（ITRI）签署合作备忘录，以巩固双方在开发高性能氮化??USB-PD适配器的合作夥伴关系。
(圖一)CGD和工研院将合作设计一个采用GaN器件的USB-PD适配器
CGD致力於开发多种节能的氮化??（GaN）器件，以实现更环保的电子元件 |
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CGD、群光电能与剑桥大学技术服务部共组GaN生态系统 (2023.11.06)
英商剑桥氮化??元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家专注於研发高效能氮化??（GaN）功率元件的半导体公司，致力於打造更环保的电子元件。近日与台湾的电力电子系统整合方案供应商群光电能（Chicony Power Technology）、英国剑桥大学技术服务部（CUTS）签署一项三方协议 |
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CGD、群光电能与剑桥大学共组GaN生态系统 开发先进高功率方案 (2023.11.06)
英商剑桥氮化??元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家专注於研发高效能氮化??（GaN）功率元件的半导体公司，致力於打造更环保的电子元件。近日与台湾的电力电子系统整合方案供应商群光电能（Chicony Power Technology）、英国剑桥大学技术服务部（CUTS）签署一项三方协议 |
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CGD的GaN单晶片 获台积电欧洲创新区最隹展示奖 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系统单晶片 (SoC) 在台积电( TSMC) 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获「最隹展示」奖。
(圖一)
CGD是一家无晶圆厂洁净技术半导体公司，专门开发多种节能GaN型功率装置，旨在实现更环保的电子元件 |
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CGD的GaN单晶片 获台积电欧洲创新区最隹展示奖 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系统单晶片 (SoC) 在台积电( TSMC) 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获「最隹展示」奖。
CGD是一家无晶圆厂洁净技术半导体公司，专门开发多种节能GaN型功率装置，旨在实现更环保的电子元件 |
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CGD推出ICeGaN 650 V氮化??HEMT系列产品 (2023.05.12)
Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化?? HEMT 系列产品，提供领先业界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 的智慧闸极介面，几??消除一般 E 模式 GaN 的各种弱点，大幅加强过电压耐用性、提供更高的抗杂讯??值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保护效果 |
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CGD推出ICeGaN 650 V氮化??HEMT系列产品 (2023.05.12)
Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化?? HEMT 系列产品，提供领先业界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 的智慧闸极介面，几??消除一般 E 模式 GaN 的各种弱点，大幅加强过电压耐用性、提供更高的抗杂讯??值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保护效果 |
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CGD ICeGaN产品技术经维吉尼亚理工大学研究获验证 (2023.04.10)
无晶圆厂无尘技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化?? （GaN）开发出多款高能效功率装置，协助打造出更为环保的电子产品；CGD 宣布由学术研究机构维吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表现，CGD 的 ICeGaN氮化??技术较其他氮化??平台更具可靠性及坚固性 |
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CGD开发GaN高能效功率装置 协助打造环保电子产品 (2023.04.10)
无晶圆厂无尘技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化?? （GaN）开发出多款高能效功率装置，协助打造出更为环保的电子产品；CGD 宣布由学术研究机构维吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表现，CGD 的 ICeGaN氮化??技术较其他氮化??平台更具可靠性及坚固性 |
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Cambridge GaN Devices 融资扩大功率半导体装置市场 (2022.11.22)
无晶圆厂半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD），於2016年从英国剑桥大学工程系着名的功率装置集团分割出来，已募集1900万美元的Series B资金。此投资案由Parkwalk Advisors和BGF领投，另有IQ Capital、CIC、Foresight Williams Technology 和 Martlet Capital 跟投 |
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Cambridge GaN Devices 融资扩大功率半导体装置市场 (2022.11.22)
无晶圆厂半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD），於2016年从英国剑桥大学工程系着名的功率装置集团分割出来，已募集1900万美元的Series B资金。此投资案由Parkwalk Advisors和BGF领投，另有IQ Capital、CIC、Foresight Williams Technology 和 Martlet Capital 跟投 |
