CGD与工研院合作 共同开发氮化??电源

无晶圆厂洁净技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）与工业技术研究院（ITRI）签署合作备忘录，以巩固双方在开发高性能氮化??USB-PD适配器的合作夥伴关系。

图一 : CGD和工研院将合作设计一个采用GaN器件的USB-PD适配器

CGD致力於开发多种节能的氮化??（GaN）器件，以实现更环保的电子元件。CGD首席商务总监Andrea Bricconi表示：「CGD将在6月於纽伦堡举行的PCIM展览上的展示ITRI的一些电路板设计。 这些产品利用CGD独特的IC晶片架构和ITRI的专利设计，以实现产品尺寸缩小、高效率、高功率密度及成本竞争力。」

GEL/ITRI商用电源设计团队负责人Wen-Tien Tsai表示：「CGD的IC增?型氮化??ICeGaN此系列产品是一个新颖的平台。它提高了易用性，导入智能温度控制，并增强闸极的可靠性。 我们很高兴将这些优势纳入我们新的电源设计中。」
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