CGD推出ICeGaN 650 V氮化??HEMT系列产品

Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化?? HEMT 系列产品，提供领先业界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 的智慧闸极介面，几??消除一般 E 模式 GaN 的各种弱点，大幅加强过电压耐用性、提供更高的抗杂讯??值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保护效果。

新型 650 V H2 ICeGaN 电晶体与前代装置相同，是以类似矽 MOSFET 的方式驱动，无需使用效率不彰的复杂电路，而是采用市面上供应的工业闸极驱动器。

最後 H2 ICeGaN HEMT 的 QG 比矽制零件低 10 倍，QOSS 则低 5 倍，因此 H2 ICeGaN HEMT 能够在高切换频率情况下大幅减少切换损耗，有助於缩减尺寸及重量。这实现了领先同类产品的效率及效能，在 SMPS 应用中比业界最隹的矽 MOSFET 整整高出 2%。
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