日本OIST发表全新简化高NA EUV设计 大幅降低半导体功耗与成本

冲绳科学技术大学院大学（OIST）新田特束教授17日於《微/奈米图案化、材料与计量学期刊》（JM3）发表一项创新性的光学硬体破局技术，宣布对高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）曝光机的照明与投影系统进行激进重构，解决半导体光学功耗与昂贵资本支出瓶颈。

这项全新电子科技在於将光学反射镜的数量从传统的高达十馀面极致缩减至仅剩四面。在先进晶圆代工制程中，极紫外光每经过一面反射镜就会损失大约40%的能量，这意味着传统高NA EUV系统仅有不到1%的光源能量能最终照射到矽晶圆上，造成高昂的电力浪费与光源设备折旧。

OIST团队研发的全新内线式投影（In-line projector）技术，透过简化光路设计，使能量转换效率呈现指数级?升。模拟数据证实，该系统不仅大幅降低7nm以下高阶晶片量产时的基础设施能耗，也缩减了晶圆厂的建置成本。
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