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CTIMES / 动态随机存取内存
科技
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确保网络稳定运作与发展的组织 - ICANN

ICANN是一个独特的组织目的在于提升网络的质量,并且致力于全球网络的发展。
爱迪西DRAM调查公布 (2002.01.23)
根据市场调查机构爱迪西(IDC)最新DRAM市场统计报告预测,若以产出的位(bit)数为比较基准,今年全球前十大DRAM厂将出现重新洗牌现象,台湾最大DRAM厂南亚科技今年位产出成长率可望达一二○%,全球市占率将坐六望五
硅成获得第十届台湾精品标志 (2002.01.23)
硅成集成电路23日表示,该公司获得第十届台湾精品标志殊荣,并入围第十届国家产品形象奖。总计660件产品报名,其中23件取得国家产品形象奖选拔资格,而半导体业中仅硅成获得入围
DRAM飙张,上下游厂商同乐 (2002.01.21)
自去年底动态随机存取内存(DRAM)现货价开始飙涨起,便引发通路商、中盘商、模块厂等下游买家强势在市场扫货动作,然近三个月来的回补库存行为,已造成这些下游买家库存堆高至六周以上水位
六大DRAM厂去年损益数字将出炉 (2002.01.17)
六大动态随机存取内存(DRAM)厂自结去年损益数字下周陆续出炉,茂硅粗估亏损195亿元,创下台湾高科技公司年度亏损最高纪录,六家DRAM厂合计亏损逾600亿元,不过业者预期今年将转亏为盈
美光、Hynix合并破局 (2002.01.14)
根据外电,美光坚持合并价格采东芝Dominion晶圆厂模式,即新厂成本的四分之一,总合并金额在40亿美元以下; 不过,Hynix债权银行却认为,近期DRAM价格上扬,坚持合并金额在50亿美元以上,甚至出现65亿美元之说法
DRAM涨势可期 (2002.01.09)
业界人士透露,南韩三星电子已自元月起开始提高记忆芯片合约价25%到30%,128Mb动态随机存取记忆芯片(DRAM)合约价约涨为2.3美元到2.4美元,此举促成国内DRAM市场回春。过去一个月来,三星电子与Hynix总共涨价三次,对个人计算机制造商的供应价共调高约60%
力晶:DRAM回稳,营收看好 (2002.01.08)
力晶去年十二月DRAM现货及合约价格持续攀高,使得当月营收达七亿四千万元,并创近半年来新高。力晶表示,因为整体市场供给秩序趋于稳定、下游需求显著提升,DRAM行情后市看好,再加上力晶○.一六五微米微缩制程顺利量产出货,未来营收将有机会继续成长
DDR产量与DRAM不成正比 (2002.01.08)
根据SEMI数据,2001年全球128Mb DRAM产出当量达33亿颗,年增率达51.2%,今年在12吋晶圆厂投产及制程微缩刺激下,全球DRAM产量成长率约在四到五成间。不过,今年1月全球DDR主要制造厂商仍以南亚科技、美光及三星为主,月产出不到4,000万颗,占整体DRAM市场比重不到两成,因此,英特尔845B及845G芯片组上市,将出现供不应求现象
创见推出 超速桌面计算机专用DDR333记忆卡 (2002.01.07)
创见信息,推出一系列以DDR333颗粒制成的PC2700 DDR(Double Data Rate)记忆卡,主要可广泛地应用于一般桌面计算机设备。由于DDR 内存模块将是未来三年的内存主流,创见DDR333记忆卡能更有效因应瞬息万变的市场需求
Hynix将调涨DRAM现货价30% (2002.01.03)
南韩芯片大厂Hynix日前指出,该公司已自一月一日起将大客户的128MB DRAM合约价格平均调涨30%。三星电子同时表示,将在一两个星期内跟进。在连番涨价的激励下,南韩半导体类股周三全面大涨
P4X266报价大幅滑落 (2002.01.03)
为了促使市场加速向效能更好的P4X266A与KT266A移动,威盛电子P4X266与KT266芯片组据闻报价均已低至十五美元左右,但新芯片组仍维持在廿美元或以上;主板厂商表示,目前P4芯片组分为廿、廿五与卅五美元三大区块
台积、联电研发制程追上美日 (2002.01.03)
国内晶圆厂制程竞赛分为两部份:一为由0.13微米跨入0.1微米;另为12吋晶圆厂进入商业量产阶段,除动态随机存取内存 (DRAM)技术仍仰赖技转外,台积电、联电自行研发的制程技术正式追上美、日大厂
DRAM市场稳定度待观察 (2002.01.02)
近期一二八Mb DRAM现货价在上游制造厂与下游通路商强力拉抬下,由去年十月的○.八五美元历史低点一路向上飙升,在短短二个月内,便站上了二.五美元的变动成本以上价位
SD联盟与工研院光电所合作 (2001.12.26)
由Sandisk、松下及东芝三家公司共同创造的规格,由于和Sony主导的MemoryStick记忆卡相近,因此也成为小型记忆卡世纪之争的主战场。Memory Stick与SD先后在台湾成立联谊会组织,意在藉由台湾优异的硬件设计及制造资源,扩大其在小型记忆卡市场的影响力
DRAM厂可望否极泰来 (2001.12.21)
近期在韩国三星电子以及 Hynix大厂的作价下,一二八兆位 SDRAM合约价格已顺利站上二美元。现货价格以及合约价格均出现回升契机,一二八兆位SDRAM重返二美元,国内主要 DRAM工厂已回到现金净流入的情况
东芝将退出DRAM销售 (2001.12.20)
日前东芝与亿恒合并案破局后,东芝表明将退出标准型DRAM制造与销售,华邦现有八吋晶圆厂在DRAM制程技术上将可延续到何种程度,已成为市场瞩目焦点,市场上因此传出亿恒转向寻求与华邦的合作机会
三星、Hynix调涨DRAM价格 (2001.12.18)
南韩DRAM大厂三星及Hynix 17日再度调涨动态随机存取内存 (DRAM)价格,国内DRAM业者指出,此举有将助DRAM景气提早脱离谷底,并有助DRAM现货价格站上2美元。成为三星及Hynix继12月5日调涨合约价格后,这个月第二次涨价
英特尔P4促销收效 (2001.12.18)
根据资策会市场情报中心MIC十七日发表调查报告,在英特尔大力促销Pentium4之下,市占率由第一季的二%提升到第四季的四一%,其中旧版P4 Socket423市占率约为八%、Socket478 则快速提升到三三%
256Mb DDR与512Mb DDR争霸 (2001.12.17)
动态随机存取内存(DRAM)容量世代交替加速,德国亿恒 (Infineon)指出,今年第四季将全面生产256M DRAM,预计明年初就将导入512Mb以及1Gb 以上的 DRAM 生产。 DRAM容量站上128Mb以后大约维持了近两年的时间,但是在今年第三季因为价格快速下降的因素,许多制造厂商纷纷转向更高容量的产品生产,希望能够避开标准产品的流血战争
主板业估计明年代工市场活络 (2001.12.17)
国内主板各厂在近期陆续召开内部业务会议,拟定明年方向,各厂对明年展望呈现稳健乐观态度,对首季发展更不悲观。华硕估计,明年首季表现将与本季相近,且一月业绩渴望与十一月持平

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