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CTIMES / 动态随机存取内存
科技
典故
链接计算机与接口设备的高速公路——IEEE1394

IEEE1394是一种能让计算机与接口设备之间相互链接沟通的共同接口标准。如此迅速有效率的传输速度,便时常应用在连接讯号传输密度高、传输量大的接口设备。
DRAM经营难 市场再现变动 (2001.11.08)
据金融时报报导,日本东芝公司董事长西室泰三6日暗示,东芝公司可能退出营运艰难的动态随机存取内存(DRAM)市场。另一方面,华邦电八日表示,将与日商夏普签约技术合作
DRAM厂设防减少现金流出 (2001.11.07)
DRAM厂也急着摆脱售价低迷的DRAM包袱,各厂为减少现金流出各出奇招。茂硅、华邦电将致力转型为IC设计公司,力晶、世界先进转型为专业内存代工,茂德及南亚科技,则转进高阶内存,并藉新制程拉大与竞争者差距
DRAM厂恐难逃合并命运 (2001.11.06)
因各家理财及融资投资策略互异,因而六家DRAM厂结算前三季期末约当现金余额,以力晶的139.31亿元最高、华邦电128.26亿元次之、茂德则在116.9亿元的水平,茂硅则约63.11 亿元,世界先进约50
DRAM各厂存货周转率不一 (2001.11.05)
由于DRAM厂属于大资本支出企业型态,故若此一比率愈高,代表DRAM厂在进行设备投资时的资金多来自于长期资金,财务部门无须经常性调度资金因应,并表示DRAM厂的资本结构良好
亿恒接触三家台商,寻求DRAM业合并 (2001.11.02)
欧洲第二大半导体制造商亿恒公司(Infinoen)董事长舒马克(Ulrich Schumach-er)1日表示,正与三家台湾芯片制造商洽谈合资成立内存公司的相关事宜。 不过德国金融时报表示,舒马克只是间接发表评论
三星电子明年将生产512Mb内存 (2001.10.30)
全球最大内存制造商南韩三星电子公司29日表示,2002年底起,将采用0.12微米技术,生产的512兆位(Mb)倍速同步随机存取内存(DDR SDRAM),并生产12吋晶圆。 三星电子在声明:「藉由提早量产512Mb芯片,拉大其他对手和三星电子的差距
亿恒科技寻寻求合并日本东芝 (2001.10.29)
为了壮大经济规模,挤下南韩Hynix,与三星及美光科技二大半导体厂抗衡,德国西门子集团旗下的亿恒科技(Infineon)公司,积极扩大全球内存版图,寻求合并日本东芝先进半导体外,也邀请台湾茂德科技加入合并行列
台曜沛亨调整定位迎战不景气 (2001.10.23)
动态随机存取内存(DRAM)市场低迷,台湾半导体厂商纷纷瞄准逻辑以及模拟组件经营。台曜科技与沛亨半导体完全避开内存产品,朝向混合讯号以及逻辑组件发展,沛亨半导体则是定位为纯模拟厂商,不在大量化数字产品市场缠斗
DRAM跌破头 大厂拟转型 (2001.10.22)
十月上旬一二八Mb动态随机存取内存(DRAM)现货价跌破一美元,虽然国内外各DRAM厂仍持续量产出货,但为避免亏损亦字扩大,业者也开始调整产能分配,开始加大价格较佳的二五六Mb DRAM的出货量;加上通路商甚至预期会跌破1美元,此价位将扩大DRAM厂亏损,国内业者不得不转型
东芝、忆恒商讨DRAM合并 (2001.10.18)
美国的半导体网络刊物硅策略网站(Silicon Strategies)16日引述消息人士谈话报导,德国芯片大厂亿恒公司(Infineon Technologies)及日本东芝公司接近达成合并动态随机存取内存(DRAM)部门的协议
美两大机构分析DRAM前景灰暗, DRAM前景看坏 (2001.10.17)
爱迪西 (IDC)日前发布明年半导体景气将衰退7%,创下连续二年衰退;美国一专业研究机构iSuppli再度针对全球动态随机存取内存提出预测,认为在需求缺乏强大成长动能,全球DRAM景气将于明年第四季才可见回升
RDRAM一年内难居内存主流 (2001.10.11)
英特尔提前供应支持P4的DDR 芯片组,Rambus内存(RDRAM)未来一年恐难成为个人计算机内存主流,短期目标可能转向消费性电子产品。英特尔预计在明年第三季推出新一代支持Rambus内存的芯片组Tehama-E,届时,Rambus才有出头机会
日商退出DRAM战局 (2001.10.02)
继日商富士通、NEC宣布退出DRAM产业,日立将停产DRAM,将DRAM交由日立与NEC合资成立的ELPIDA公司生产,日立集中生产逻辑应用IC。日商停产DRAM效应逐渐发酵,明年第四季内存可望供需平衡,届时国内存储器业者可望苦尽甘来
DRAM再次崩盘 市场回春遥远 (2001.09.13)
受到国际恐怖份子攻击影响,美国12日国际、国内航班全面停飞,对国内动态随机存取内存(DRAM)厂而言并无太大的影响,不过业者却普遍认为,市场上预期的第四季圣诞节、开学采购等旺季需求,可能会受到此次恐怖份子攻击事件而淡化,DRAM需求恐难于今年复苏,影响所及,昨日128Mb SDRAM报价再度挫跌至1.28美元的新低
美光可能控告台韩DRAM厂商倾销 (2001.09.13)
台湾半导体协会(TSIA)十一日表示,我国驻美商务单位日前传出美光可能会在十月对韩国、台湾输美DRAM价格低于国内的制造成本,提出倾销控诉的消息。虽未获证实,但已引起台湾DRAM厂紧张,TSIA明天将邀业者研商因应之道,但业者认为美光的行动,威胁味道浓,对巿场实质影响有限
美光可能控告台韩DRAM厂商倾销 (2001.09.12)
台湾半导体协会(TSIA)十一日表示,我国驻美商务单位日前传出美光可能会在十月对韩国、台湾输美DRAM价格低于国内的制造成本,提出倾销控诉的消息。虽未获证实,但已引起台湾DRAM厂紧张,TSIA明天将邀业者研商因应之道,但业者认为美光的行动,威胁味道浓,对巿场实质影响有限
国内存储器厂八月营收陆续出炉 (2001.09.07)
国内存储器厂8月营收陆续出炉,旺宏及南亚科技在景气不明下杀出重围,营收较上月成长,但世界先进、华邦电、力晶、茂硅及茂德等,营收将续下滑。 由于8月DRAM现货再跌,128Mb DRAM,再下挫到每颗1
Hynix:看好年底DRAM前景 (2001.08.31)
南韩内存大厂Hynix美国分公司产品协理益克(Eddie Yick)强调,今年底以前动态随机存取内存(DRAM)产业应可渐入佳境,无论如何Hynix都不会做DRAM市场的「价格杀手」。 内存价格已到谷底
东芝组织重整 华邦变动生产措施 (2001.08.29)
日本整合组件制造大厂东芝(Toshiba)昨日宣布进行组织重整,将内存部门并入德国西门子旗下的亿恒科技(Infineon)影响,DRAM制造技术来自于东芝的国内DRAM大厂华邦电子公司昨天傍晚透过华邦公司网络表示,将先召回日本的研发团队,参与该公司零点一三微米动态随机存取内存(DRAM)与闪存生产
DRAM厂联合锁货策略破功 (2001.08.27)
为了避免DRAM颗粒现货价续跌,包括华邦、茂德、南亚等国内DRAM制造大厂日前相继宣布,一二八Mb DRAM颗粒若报价低于1.6美元,将减少出货数量,同时计划以锁货方式控制销往模块厂与系统商的DRAM颗粒总量,以达提振DRAM现货价的目的

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