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创见信息公布其90年度6月营收成绩 (2001.07.04)
创见信息自行结算九十年度六月营收为新台币3.5亿元，六月单月内存模块出货数量为200K。创见表示，今年一至六月累计营收为25亿，虽较去年同期26亿微降3.8%，但主要原料DRAM单价从去年中至今下跌幅度高达80%以上，因此创见表现相对持稳 |
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大陆内存市况惨烈 (2001.07.03)
DRAM厂自律 延后盖12吋厂
南韩电子新闻消息指出，面对今年DRAM市场大幅衰退的窘境，包括三星电子、美光科技、Hynix半导体、Infineon等DRAM大厂，原先计划将于2001年下半年开始从事兴建12吋厂等新投资计划，将全部延后半年以上 |
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Hynix宣布减产，以刺激DRAM价格回升 (2001.07.03)
全球第3大计算机记忆芯片制造商南韩的Hynix Semiconductor Inc已正式宣布可能减产和限制供应量，以量制价，提振目前已跌到生产成本以下的芯片价格。
根据市场调查机构迪讯 IDC近期预估，记忆芯片销售预估今年将衰退逾40% |
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RDRAM低成本、高效能，明年超越DDR (2001.06.30)
美商芮博士(Rambus)半导体总裁Dave Mooring28日表示，新制程将使RDRAM成本降低一成，Mooring对明年Rambus DRAM市占率多寡并未表示意见，但他认为市占率将在明年大幅超越DDR DRAM。
Mooring表示，制程转入4i之后，未来以RDRAM为基础的主板不需要使用印刷电路板六层板，相对于部分DDR(指超威760芯片组)六层板将有效降低下游厂商成本 |
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大厂清库存128M DRAM跌破两美元 (2001.06.28)
日本经济新闻周三报导，在国际半导体厂商释出过剩库存，以及北美等市场个人计算机销售长期低迷等因素的冲击下，供个人计算机使用的DRAM(动态随机存取内存)，交易价格更趋下滑，主力产品128MB DRAM的现货价格，已跌破两美元 |
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日系DRAM厂加速委外代工 (2001.06.26)
今年以来动态随机存取内存(DRAM)现货价格遽跌逾六成，造成DRAM制造厂大幅亏损，为了避免亏损幅度不断扩大，三菱电机、日立制作所、东芝、恩益禧(NEC)等日系整合组件制造厂(IDM)，已决定加速释出64MB DRAM委外代工订单 |
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迪讯预估今年DRAM产值减少55% (2001.06.23)
迪讯（Dataquest）预估，二○○一年全球ＤＲＡＭ产值将仅能达到一百四十亿美元，预估将较去年年产值三百一十五亿美元严重萎缩五五．五％，下滑的幅度将创下历史新高 |
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今年DRAM产值惨跌创下历史新高 (2001.06.23)
迪讯(Dataquest)昨日(廿一日)预估，DRAM产业三年内将出现暴起暴落。2001年全球DRAM产值将仅能达到一百四十亿美元，预估将较去年年产值三百一十五亿美元严重萎缩55.5％，下滑的幅度将创下历史新高 |
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第二季亏损扩大 DRAM厂商拟联合减产 (2001.06.20)
64Mb及128Mb动态随机存取内存(DRAM)昨(19)日价格同步下跌，分别掼破1美元及2美元关卡，国内DRAM厂已不敷成本，第三季希望连手减产10%到15%；并将透过管道与美光、三星及现代等国际大厂，一起加入减产行列，但因缺乏互信，减产仍有不小变量 |
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进军RDARM 华邦和世界先进暂时按兵不动 (2001.06.20)
英特尔公司大力推动的Rambus DRAM，今年以来价格持续下滑，配合英特尔强力的促销下，出货量有显增加，不过台湾已获授权生产Rambus DRAM的华邦电子与世界先进，仍在观察市场变化，虽具备技术却尚未量产 |
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晶豪陈兴海:未来DDR、RDRAM及SDRAM三强鼎力 (2001.06.19)
面对景气不振，国内存储器大厂晶豪科技总经理陈兴海表示，不排除128Mb SDRAM价格有破两美元的可能，主因是需求虽有增加、但供需不平衡情况仍严重。另外，陈兴海认为，在英特尔力拱之下，未来Rambus DRAM、DDRDRAM与SDRAM将呈现三强鼎立的局面 |
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256Mb DRAM主流态势不可档 (2001.06.11)
全球主要动态随机存取内存(DRAM)厂商已开始投入256Mb DRAM，三星、美光、Hynix公司目前256Mb DRAM占总出货量的20%，估计今年第四季比重拉到50%。茂硅表示，256Mb DRAM逐渐进入桌面计算机市场，成为主流 |
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AMD与美光携手力推DDR规格 (2001.06.10)
为重振DDR内存规格声势与促销芯片组，超威(AMD)正与美光(Micron)计划推动「Power by DDR」活动，以七六○芯片组搭配DDR模块出货，市场估计售价将低于六十美元才能有吸引力；但市场也认为，在通路上已可取得DDR内存下，本次搭售方案能否有成效仍待观察 |
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茂硅积极展开DDR内存布局 (2001.06.10)
美商微软电玩游戏机X-Box量产在即，该机款的内存配备采用倍速数据传输 (DDR)内存，国内DRAM厂商如茂硅等公司，近来积极争取DDR内存订单，茂硅已在DDR内存领域展开布局。
茂硅7日发表256Mb DDR SDRAM产品与高密度的DDR模块样品，茂硅今年初推出128Mb DDR SDRAM后，继续推出256MbDDR SDRAM |
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茂硅积极展开DDR内存布局 (2001.06.08)
美商微软电玩游戏机X-Box量产在即，该机款的内存配备采用倍速数据传输 (DDR)内存，国内DRAM厂商如茂硅等公司，近来积极争取DDR内存订单，茂硅已在DDR内存领域展开布局。
茂硅7日发表256Mb DDR SDRAM产品与高密度的DDR模块样品，茂硅今年初推出128Mb DDR SDRAM后，继续推出256MbDDR SDRAM |
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茂硅128Mb DDR SDRAM及DDR模块通过认证 (2001.06.08)
茂硅电子宣布该公司的128Mb DDR SDRAM组件及DIMM模块获得SmartModular公司实行的认证测试计划，通过HP-83K测试器对其128Mb DDR266b(V58C2128804SAT-75)的认证。此外茂硅的PC2100A 128Mb非缓冲式(unbuffered) DDR SDRAM DIMM模块(V826516K04SATG-B1)与PC2100B 128mb非缓式DDR SDRAM DIMM模块(V826516K04SATG-B0)与AMD 760TM芯片组及VIA Apollo Pro266芯片组也都通过Smart Modular的认证 |
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RDRAM v.s DDR鹿死谁手？ (2001.06.07)
韩国三星(Samusung)内存营销副总裁 Ilung Kim表示，在英特尔极力推动Pentium4(P4)平台下，估计年底Rambus DRAM市占率将达12％、相对于DDR DRAM低于7％的市占率预估将高出许多。
Ilung Kim并表示 |
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华腾展出覆晶封装1Gb DRAM模块 (2001.06.05)
内存模块厂华腾国际昨(四)日于台北国际计算机展(Computex)中展出全球第一个采用覆晶封装(Flip Chip)、容量可达一Gb动态随机内存(DRAM)模块，第三季将出货给广达、仁宝等笔记本电脑代工业者，并搭配太阳计算机的高阶服务器一同出货 |
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内存模块厂计算机展中力推DDR规模 (2001.06.04)
看好六月四日台北国际计算机展中几家主板大厂将推动倍速数据传输内存(DDR)规格，内存模块厂宇瞻科技与勤茂科技，都决定在计算机展中展出DDR内存模块，希望能抢先卡位，同时藉计算机展人气打开销售数量 |
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展前DDR、RAMBUS二大阵营火并加温 (2001.05.31)
台北国际计算机展下周一(六月四日)才登场，RAMBUS(RDRAM)与DDR两阵营间的火并却在本周明显加温，在英特尔积极推动下，大厂华硕、技嘉与微星开发的四层板P4产品，可望提前在会场展出，并在七月前后现身，这使P4更添价格竞争力 |
