 |
国内自行设计之DDR DRAM渐有成果 (2001.02.20)
国内IC设计公司自行设计的DDR DRAM，最近已渐有产能开出，力晶半导体为钰创代工制造的2×32DDR DRAM，近日试产阶段已有不错良率开出，但DDR产品成本障碍集中于后段测试部份，则是目前各IC设计公司与下游合作厂商努力达成的目标 |
|
DRAM涨跌间端视美光季末操作 (2001.02.18)
这几天亚洲和美国等地区的64Mb DRAM现货价格上扬，据报导，有几点是此波上扬的重要因素，除大陆联想计算机需求有持续发烧现象外，尚包括花旗集团有意以债权作股权，入股韩国现代电子等皆是促成要素 |
|
日商Elpida副总裁预估DRAM市场第三季将出现短缺 (2001.02.16)
日本动态随机存取内存 (DRAM)大厂Elpida公司副总裁兼技术营销部门总经理犬饲英守表示，目前DRAM市场虽不振，但今年DRAM产能提升速度不如需求成长，第三季底全球DRAM市场将可能出现短缺 |
|
扬智总经理吴钦智:第一季SDRAM芯片将为主流 (2001.02.15)
扬智科技总经理吴钦智昨 (14)日表示，今年第一季芯片组市场仍会以同步动态随机存取内存(SDRAM)为主，不过第二季开始，可共享倍速数据传输内存 (DDR)和SDRAM的主板需求将逐步上扬，扬智也将有机会重回芯片组主流市场 |
|
DDR2可望于明年提出明确规格 (2001.02.13)
威盛电子产品开发处长张元麟表示，威盛正和内存大厂共同进行第二代倍速数据传输内存(DDR2)规格研发，预计可在2002年确定规格，并在2003年正式量产出货。
DDR SDRAM由于在成本及制程上和现行动态随机存取内存(DRAM)相近，因此获得不少内存厂商支持，但其处理速度仍和RDRAM高达800MHz以上有一段距离 |
|
东芝、NEC拟增产采Rambus架构之高速计算机记忆芯片 (2001.02.09)
东京的日经英语新闻于今(8)日引述不具名产业消息来源指出，东芝和NEC计划增产采用Rambus架构之高速计算机记忆芯片，藉以满足高阶系统对该产品日渐增加的需求。
报导中指出，东芝正酝酿增产依据Rambus设计的动态随机存取记忆(DRAM)芯片 |
|
DDR高峰会各厂态度仍有差异点 (2001.02.08)
为了顺利推动DDR架构，国内芯片组大厂威盛、扬智举办为期二天的DDR国际盛会，而此活动也为近来产业景气的低迷气氛，营造了许多令人振奋的效果，从整个活动下来也反映出各厂商在DDR方面的布局与态度 |
 |
美光强力促销省电DRAM新产品 (2001.02.08)
商美光科技动态随机存取内存 (DRAM)营销处长麦勒斯 (Jeff Mailloux)7日表示，随着个人数字助理(PDA)、可携式产品等需求上扬，这五年内，通讯IC和消费性IC对DRAM市场将成为扩大DRAM市场的主力 |
|
超威拟仿效英特尔折让方式推动DDR (2001.02.08)
超威(AMD)表示，正评估仿效英特尔以折让(Rebate)推广Pentium 4与Rambus DRAM(RDARM)方式，针对特定市场区隔推出处理器搭配芯片组或内存等刺激DDR需求；另外英特尔第二季折让空间将会加大，以挽救第一季P4销售不如预期的空缺 |
|
威盛DDR高峰会获内存大厂撑腰 (2001.02.07)
为了巩固DDR的地位，日前威盛电子特别举办了DDR平台高峰会，最引人注目的是，全球前五大内存厂商包括美光、现代、三星等、Infneon及EIPIDA等均齐聚一堂，会中除宣示DDR内存量产已准备就绪，并宣称市占率将由今年的15%提升到明年的50%，并预计在后年成为市场主流，另外会中也发表了第二代的DDR规格 |
|
美光将发表低功率DRAM抢攻无线通信市场 (2001.02.07)
SDRAM今年前景未明，为寻求产业第二春，ＤＲＡＭ巨擘美光(Micron)将在下周于美国发表低功率(low power)DRAM，产品定名为BAT-RAM，将抢攻无线通信市场，Infi neon、韩国三星等随后也都将在下半年推出低功率DRAM样本，预料将逐渐对低功率SRAM产生冲击 |
|
DDR芯片组激战将开打 (2001.02.06)
倍速数据传输内存(DDR)芯片组争霸战即将开打，威盛电子今(6)日举行DDR系统平台高峰会，邀集内存及主板大厂共同推动DDR规格。国内三家芯片组厂商、国外大厂ATI、nVidia 和美光科技也将在今年加入DDR芯片组战局，今年下半年DDR芯片组将占整体芯片组市场三成以上 |
 |
内存模块相关技术及未来发展趋势 (2001.02.01)
一场信息革命，使信息产业的发展一日千里；而信息产业结合数字时代的趋势，亦促使市场的需求朝向多元化的方向前进，消费者对于PC系统的效能要求于是愈来愈高。受CPU速度愈来愈快，软件功能更为强大及IA产品兴起的影响，为了配合系统配备需求发展，高速传输的内存扮演了极为重要的角色，本文将针对PC用的内存模块做介绍 |
|
茂硅将于2月5日发表128兆位DDR内存 (2001.01.31)
茂硅将于2月5日首度对市场发表128兆位DDR内存，该公司并于今(31)日进一步指出，此项产品已获得威盛和扬智的认证，有助于未来在市场上的发展；并采用茂德的0.17微米制程切入，可有效降低成本 |
|
DRAM现货价 春节期间持平 (2001.01.29)
国内农历春节期间，美国AICE的64兆位DRAM现货报价持平，128兆位DRAM现货报价则下跌二％。同期间，美光股价小跌1.1%，比费城半导体指数4.7%跌势小；不过，同期间台积电、联电ADR 跌势均超过10%以上较重 |
|
DDR芯片组量产时程递延，错失旺季 (2001.01.18)
nVidia、ＡＴＩ与美光等本月起陆续送交ＤＤＲ芯片组样本，但因已较原定时间落后一季，预估量产时间都在第二季底或其后，系统厂认为这三家公司将只能抢食下半年自有品牌市场及圣诞节ＯＥＭ市场，明年开始才会对现有芯片组厂商构成威胁 |
|
勤茂科技推出DDR SO-DIMM笔记本电脑迈入双倍频世纪 (2001.01.16)
勤茂科技继率先展出采用双倍数据读取频率技术的内存模块DDR DIMM之后，再度领先同业推出双倍频技术的小型内存模块200-pin DDR Unbuffered Small Outline DIMM，专供笔记本电脑市场 |
|
DRAM厂商今年纷提高生产量 (2001.01.12)
在经过去年三温暖式的内存市场震荡后，DRAM厂商去年营收报告也已全部完成，从业者营收状况分析，去年大多数厂商已实施调降财测动作，而之后的营收实绩亦大多能达成调降后财测水平 |
|
南韩DRAM厂加重128M生产比例 (2001.01.09)
全球DRAM的发展诡谲多变，南韩媒体日前的报导指出，三星电子与现代电子两家大厂有意在128M DRAM继续加重其生产的比例，原因为最近64M DRAM的国际现货报价持续暴跌，而目前市场上二颗64M DRAM已相当于一颗128M DRAM的价格 |
|
DRAM景气 何时复苏？ (2001.01.08)
所罗门美邦证券半导体分析师指出，美国联准会(FED)于上周三的降息动作，预料在未来6~9个月内会带动PC，使得DRAM的景气复苏。分析师认为，消费者对微软新版操作系统(Windows Me)以及英特尔(Intel)的Pentium4微处理器接受度不高，是造成DRAM产业在去年底面临旺季不旺窘境的主要原因 |
