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创见本月份推DDR 200/266记忆卡 (2000.10.02)
创见资讯将于本月份推出DDR (Double Data Rate) 200/266记忆卡。创见记忆卡产品经理黄胤峰表示：「此次推出DDR200/266系列产品，容量为128MB及256MB，184PIN。执行资料的速度将可以比原有的SDARM提升，并且工作电压也降低为2.5Volts，所以消费者在使用时电脑可以更省电 |
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DRAM现货价 勉强维持6美元上下 (2000.09.29)
在上周跌破六美元关卡的DRAM现货价，终于在这2天翻上6.2美元，而外资前日买超，激励华邦电，使得廿八日买盘进场大抢DRAM股。茂矽、茂德、力晶、南科、世界及华邦电股价全面开高，力晶更一度维持涨停板 |
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勤茂科技开发完成AIMM模组 (2000.09.28)
配合英特尔815(Solano)晶片组所需的影像快取记忆体模组(AIMM)，勤茂科技已于日前开发完成AIMM模组，并通过国内各大主机板厂815主机板的相容性测试。
Solano晶片组内的AGP介面主要有两项功能，AGP影像显示卡及快取记忆体 |
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半导体业者喊话无效 DRAM股依旧跌停 (2000.09.27)
证交所于25日邀请半导体业者进行业绩说明会，希望借此能让台股止跌回升。包括晶圆厂业者台积电、联电，DRAM厂业者茂矽、华邦，IC设计业者威盛及非挥发性记忆体厂商业者旺宏均发表对未来业绩持乐观意见的说法 |
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美光股价重挫 全球科技股大震荡 (2000.09.27)
全球CPU制造商龙头英特尔(Intel)发布第三季业绩警讯，由于美光股价重挫，直逼50美元关卡，形成全球股市大震荡，科技股亦受到波及，特别是半导体股类。英特尔第三季业绩受到威盛、全美达及超微的激烈竞争影响 |
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勤茂完成DDR模组的样品开发 (2000.09.25)
勤茂科技在新一代DDR(Double Data Rate) 模组的研发上，日前已完成DDR模组的样品开发，并已通过现有平台的测试，待支援DDR的晶片组上市后，勤茂的DDR模组可随时配合市场的需求进行量产 |
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十二吋晶圆厂会是未来供过于求的元凶吗？ (2000.09.19)
为期三天(9月13~15日)的2000年台湾半导体材料暨设备展，上周在台北世贸中心热闹展开，各设备厂商清一色展出最新十二吋相关制程设备及材料，以因应市场需求。表面上看 |
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创见推出DDR 200/266记忆卡 (2000.09.15)
创见资讯宣布，该公司推出新款DDR(Double Data Rate) 200/266记忆卡，容量为128MB及256MB，184PIN，执行资料的速度将可以比原有的SDARM提升，并且工作电压也降低为2.5V，所以消费者在使用时电脑可以更省电 |
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DRAM进入台风期，厂商应做好防台措施 (2000.09.15)
早在这个月初，从许多半导体代理商对PC市场的消极反应来看，DRAM价格的疲软似乎是难以避免的。果不其然，相隔没几天后，重量级分析师Ashok Kumar公开表示对PC成长的悲观预期，并调降英特尔的投资评等，造成股市振荡... |
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美光股价大跌，DRAM荣景已过？ (2000.09.15)
美国的DRAM大厂美光(Micron Technology)于九月六日被美国的证券商DLJ调降评等，从原来的买进(Buy)，调降到表现不佳(Underperform)，而且目标价更是从$122美元，调低到$50美元，2000年的每股获利从原来的$2.48调低到$2.43，2001年的EPS则是从$6.24调低到$5.36，而调整的理由则是DRAM的现货价有可能因为降低库存而下跌，而九月以后的DRAM合约价也可能走低 |
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国内各DRAM厂制程竞赛加温 (2000.09.05)
茂德、华邦、力晶及南亚科技「制程竞争」愈演愈炽，4家厂商不约而同明年将主流制程由0.175微米导入0.14微米制程，生产256MB DRAM(动态随机存取内存)以上高阶产品，预计产能增加6成左右，芯片产出成本大幅降低 |
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南亚可望获威盛代工订单 (2000.09.01)
南亚科技近期可望获得威盛电子特殊用途内存代工订单，计划明年第1季运用0.175微米制程，生产2Mx32同步动态随机存取内存(SDRAM)，月产能约1,000片；并开发影音内存(VRAM)。据了解，台积电目前约有8 |
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巨磁阻随机存取记忆体(MRAM)工作原理及未来产域应用 (2000.09.01)
由台湾厂商投资的美国联邦先进半导体科技公司(Union Semiconductor Technology)于7月在台发表巨磁阻随机存取记忆体(MRAM)，掀起国内外各界对未来记忆体的发展产生极大的兴趣。 |
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Intel不单独支持Rambus之影响 (2000.08.04)
七月二十六日，Intel宣布了将使用标准性DRAM界面设计的芯片组，来支持它将推出的Pentium 4微处理器。而在Intel做出这项宣布之前，这家世界最大的半导体一直是信誓旦旦的讲要以Rambus公司的RDRAM当作Pentium 4微处理器唯一的选择 |
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南亚科技0.175微米技术突破 七月份业绩也大幅成长 (2000.08.04)
南亚科技表示，该公司0.175微米试产已获重大突破，以新制程生产128M DRAM良率已接近70%，并获得IBM认证通过，8月已陆续大量投片，预计第4季单月可产出8000片，2001年第1季单月产量提升至2.5万片 |
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景气上扬 64MB DRAM合约价往上提升 (2000.07.31)
半导体业者非常看好今年下半年景气。晶圆代工厂商采取「策略性」涨价、「选择性」接单，64MB DRAM合约价持续上涨，显示半导体产能供不应求情形扩大中。
从晶圆代工厂商的客户--IC设计公司得知 |
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PC-133主流确立 VCM技术窜起 (2000.07.28)
由于英特尔(Intel)正式加入支持PC-133的行列，PC-133内存规格可望在未来的3年内持续占有半数以上的市场。而有鉴于其主流地位已经确立，日本内存大厂恩益禧(NEC)也开始联合现代、Infineon等业者 |
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英特尔表态支持SDRAM (2000.07.27)
英特尔与Rambus公司两造决裂的事件越演越烈，在26日又有新的进展。英特尔26向主板业表示，英特尔将在明年第3季推出支持P4架构的Brookdale(内部命名)的芯片组，由于Brookdale将支持PC-133 SDRAM架构，与英特尔先期宣称P4将仅支持Rambus架构的说法不同，不仅引起业界关注，也透露出英特尔拓展P4市场规模的决心 |
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DRAM价格疲软 (2000.07.26)
64MB DRAM价格疲软不振，美国现货报价周一已回挫至每颗7.9美元，台湾的现货报价则在8.1美元左右。预估8月中以前，DRAM价格强势反弹的可能性不高。
受到欧洲、美洲地区暑期休假效应，以及7月正处于信息产业季节性淡季的末期影响，DRAM买气虚弱不振 |
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茂德DDR9月出货 (2000.07.25)
本土DRAM大厂茂德昨日宣布，新一代的DDR内存已经于上周正式投片量产，预计9月底应可顺利出货，而公司也计划自明年起，旗下的DRAM产品将全数内建DDR的控制接口，明确表达支持的态度 |
当传输技术进入数字时代之后，用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重，结合显示适配器硬件的数字显示接口标准，其发展进度因而更受到瞩目。
