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八四五DDR问世，产业下单意愿保守 (2001.12.17)
英特尔八四五DDR芯片组在十六日正式问世，不过从通路与主板业端传出的讯息指出，产业现阶段下单意愿仍趋保守，与先前八四五 SDRAM版本出来时的热潮相比，简直是天壤之别 |
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DRAM涨价 茂硅亿恒合并案破裂 (2001.12.08)
台湾内存芯片大厂台湾茂硅表示，已取消与德国亿恒公司(Infineon)的合并谈判，茂硅表示，亿恒仍希望透过与竞争对手合作，扩大其市场占有率。
动态随机存取内存 (DRAM) 价格持续飙涨 |
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SRAM价格未随DRAM上扬 (2001.12.08)
国内SRAM设计公司表示，目前低功率二五六Kb约维持在○．七或○．八美元，供货商只有连邦与国外Cypress、韩国三星等少数厂家，低功率二Mb价格在一．五美元上下，四Mb区间落在二．一美元至三．五美元、均价约为三美元 |
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超威0.13微米制程转换延期 (2001.12.03)
超威0.13微米制程延后转入0.13微米制程可能影响超威毛利率和市占率，进而影响芯片组厂商威盛 、硅统明年支持超威Athlon XP处理器的芯片组销售顺利与否。
国内芯片组厂商威盛、硅统仍有三成以上出货量来自于支持超威处理器的芯片组 |
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富士通关闭美国闪存工厂 (2001.12.01)
移动电话记忆芯片第三大制造商富士通公司（Fujitsu Ltd.）将关闭美国奥勒冈州的闪存工厂，并裁员670人。富士通决定在2002年1月底关闭这座半导体厂，并且出售相关资产。
该公司在声明中指出：「关厂反映出全球半导体市场持续下跌 |
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威盛公告与英特尔争讼判决结果 (2001.11.28)
威盛电子27日公告指出，美国加州北区联邦地方法院11月20日判决，威盛支持超威的芯片组并未侵犯英特尔AGP规格中的快写功能，至于本案其余争议，尚在法院审理中。不过威盛主管也表示，经美国律师正式通知，英特尔控告威盛支持超威平台芯片组侵权一案 (法院案号：No |
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英特尔诉讼情势不利 (2001.11.27)
英特尔在旧金山的发言人穆洛依 (ChuchMulloy) 否认英特尔已被法院裁定败诉，他说: 「这个案子仍在进行，即将开始审理。」英特尔在这场诉讼中声称，威盛支持超威（AMD）微处理器所设计的芯片组，侵犯英特尔Pentium 3微处理器的知识产权 |
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日本DRAM厂亏损严重 (2001.11.26)
读卖新闻25日报导指出，128兆位动态随机存取内存(DRAM)对大型用户销售的平均价格去年9月为每颗1,893日圆，今年10月只剩180日圆，约跌到十分之一。各大电机厂商上半年度都出现空前严重亏损 |
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威盛反控诉获胜 (2001.11.26)
去年七月威盛与英特尔曾针对彼此在芯片组前端总线(FSB)与绘图控制芯片部份的侵权诉讼达成和解。英特尔对威盛支持超威平台芯片组的专利争议，并未纳入和解范围。威盛在这项诉讼达两年以上的旧案取得胜利，是否有助于双方近期有关P4产品专利诉讼和解，备受市场瞩目 |
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亿恒、东芝可能并出新企业 (2001.11.23)
DRAＭ价跌，部份厂商寻求合并或联盟，亿恒先前已坦承和东芝洽谈合作事宜，最关切的是合作后可能出现的债务负担；东芝发言人对上述消息不予置评。目前有关协商的方向并不清楚，但可能讨论的内容包括把两家公司DRAM部门各自独立出来，再合组成新企业，或者由亿恒直接并购东芝的DRAM部门 |
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DRAM涨价，模块厂跟进 (2001.11.21)
动态随机存取内存（ＤＲＡＭ）价格飙涨，主要导因于上游ＤＲＡＭ厂锁货策略，不过在近一周内的ＤＲＡＭ涨价期间，一向为ＤＲＡＭ市场最大采购者的内存模块业者，却不见在市场上大举搜括现货的大动作，预料将削弱ＤＲＡＭ厂锁货策略成效 |
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P4X266将由威盛通路商经销 (2001.11.20)
威盛继传在美洲通路市场突围后，又与转投资通路商建达国际确定，将配合十二月信息展推出建达品牌的P4X266系统。另一方面威盛也在前3计时大IC公司中，几下滑邦占居第三 |
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DRAM市场浮现假性需求 (2001.11.19)
动态随机存取内存（ＤＲＡＭ）价格在上游大厂锁货不出下，在短短一周内大涨九成以上，上周五（十六日）虽已小幅回调，业界仍觉得ＤＲＡＭ此波涨势来得过快且突然，倘若仔细评估其中原因，除了市场供给量的大幅萎缩外，系统厂、通路商、模块厂等回填安全库存的假性需求，则是刺激价格飙涨的主要因素 |
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两大记忆卡家族纷注新血 (2001.11.16)
宏碁、华硕在Comdex展中加入Sony，力挺MS记忆卡；东芝、Panasonic、Palm则扩展SD记忆卡新势力，SD派公司增产，产能将超过Sony MS记忆卡。松下电器、东芝等主导的SD记忆卡近来战火转趋激烈，Sony在台合作伙伴已达30多家，包括宏碁、广达、大众、精英、鑫明、太平洋光电、扬智、硅统、英群、阿瑟等，此次Comdex展中宏碁、华硕、硅统站台助阵 |
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快闪记忆体市场，竞争白热化 (2001.11.16)
闪存 (Flash)族群，力晶、茂硅预定年底投片试产，世界先进也预定明年第二季加入竞逐行列，华邦电及南亚科技也决定透过技术开发提升技术层次，则决定在近期导入0.15微米制程技术试产高密度闪存，拉大竞争者的差距 |
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硅成4Mbit 静态随机存取内存进入量产阶段 (2001.11.15)
以高速异步静态随机存取内存的供货商硅成集成电路日前表示，自去年起开始积极发展的超低耗电SRAM系列。其中待命电流为2uA, 最低工作电压可达1.65V的4Mbit 静态随机存取内存(SRAM)已进入量产阶段 |
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威盛 英特尔传出和解 (2001.11.15)
近日盛传英特尔(Intel)下周一(十九日)将与威盛电子就Pentium4(Ｐ４)芯片组诉讼案正式和解，不过十四日英特尔台湾分公司与威盛电子均不愿证实此事。英特尔表示，不会再对已进入司法程序的议案发表意见，至于威盛则表示「以和为贵」 |
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Flash 市场激战 (2001.11.14)
面对华邦、力晶等ＤＲＡＭ大厂纷纷投入闪存开发制造，旺宏总经理吴敏求十三日表示，闪存是差异性颇大的半导体产品，需相当时间累积组件设计及制程整合的能力，他认为最近台湾的竞争同业增加，并不会对旺宏形成任何威胁 |
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Hynix恐将与其它半导体业者合并 (2001.11.14)
南韩开发银行周二证实，债权银行考虑促成经营陷入困境的动态随机存取内存（DRAM）大厂Hynix半导体与其它半导体业者合并，市场传闻可能对象为美光科技，不过稍早Hynix半导体高层透露ＬＧ集团也是可能买家之一，惟ＬＧ集团否认有此计划 |
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全球DRAM厂供应量将减少10% (2001.11.08)
DRAM价格崩盘，全球DRAM厂厂莫不寻求出路。尤其以产量占全球第一名的美光，在本次的不景气中受到相当大影响，是否减产甚至关厂备受注目。据指出，此次美光停工的厂可能是先进制程大厂，包括美国本土的0 |
总的来说，一系列与时俱进的Bus规格标准，便是不断提升在计算机主机与接口设备之间，数据传输速度、容量与质量的应用过程。下面我们就简介几个重要的总线应用规格标准。
